ВИБІР ДРАЙВЕРІВ СИЛОВИХ ТРАНЗИСТОРІВ В ПЕРЕТВОРЮВАЧАХ, ВИКОРИСТОВУВАНИХ В ЯКОСТІ КЕРОВАНИХ ДРАЙВЕРІВ СВІТЛОДІОДІВ

Abstract

This paper represents one of the development stages of the converter (light-emitting diode driver) operating in amplitude mode light regulation. The principles of construction of the MOSFET driver circuits for the schematic with two n-channel MOSFET transistors are described. Also the schematic where high side transistor is substituted with p-channel transistor is considered. Utilization of the p-channel transistor allows eliminating necessity of using of isolated power supply for the driver of the high side transistor. In the last two sections of the article the losses in driver circuits are considered. This allows evaluating the scope of application for all considered approaches. From point of view of transistor driver losses it is preferable to use schematic with p-channel transistor at lower input voltages (in range of 12…30V) and higher switching frequencies.Данная статья представляет собой описание одного из этапов разработки преобразователя (драйвера светодиодов), работающего по новым принципам в режиме амплитудного регулирования. Описаны принципы построения драйверов силовых транзисторов для схемы, в которой оба ключа являются n-канальными полевыми транзисторами. Рассмотрена так же схема, в которой один из полевых транзисторов заменен на р-канальный. Использование р-канального транзистора позволяет избавиться от использования гальванически развязанного блока питания для драйвера транзистора верхнего плеча. В последней части статьи приведены расчеты потерь драйверов транзисторов, что позволяет судить о целесообразности использования того или иного подхода в зависимости от конфигурации преобразователя и области его применения. С точки зрения потерь схему с p-канальным транзистором выгоднее использовать при низком входном напряжении (порядка 12…25В) и при более высоких частотах преобразователя.Дана стаття являє собою опис одного з етапів розробки перетворювача (драйвера світлодіодів), що працює за новими принципами в режимі амплітудного регулювання струму. Описано принципи побудови драйверів силових транзисторів для схеми, в якій обидва ключа є n-канальні польові транзистори. Розглянута так само схема, в якій один з польових транзисторів замінений на р-канальний. Використання р-канального транзистора дозволяє позбутися від використання гальванічно розв'язаного блоку живлення для драйвера транзистора верхнього плеча. В останній частині статті наведено розрахунки втрат драйверів транзисторів, що дозволяє судити про доцільність використання того чи іншого підходу в залежності від конфігурації перетворювача і області його застосування. З точки зору втрат схему з p-канальним транзистором вигідніше використовувати при низькій вхідній напрузі (порядку 12 - 25В). З точки зору втрат схему з p-канальним транзистором вигідніше використовувати при низькій вхідній напрузі (порядку 12 - 25В) і при більш високих частотах перетворювача