Relax Dog Perú

¿Te asusta que te visiten porque temes a una reacción violenta de tu perro? ¿En fiestas temes dejar solo a tu perro porque llora o ha sufrido ataques por culpa de la juegos artificales? Esto ocurre porque la mayoría de mascotas, pricipalmente los perros, quienes tienen sus odios 4 veces más sensibles que los humanos. Por ello, reaccionan de forma tan alarmante ante ruidos FUERTES, más porque alteran su zona de confort. RELAX DOG, brinda la mejor alternativa para tener a su mascota en un ambiente seguro y libre de ruidos fuertes ya que cuenta con aislantes acústicos y un cojín que permite que la mascota tenga máxima comidad en su hogar. Este innovador y sofisticado producto acabará con el estrés del engreído y permitirá que el ambiente en el hogar sea más relajante y cómodo. Se podrá realizar una fiesta, celebrar navidad o año nuevo sin ningún inconveniente Nuestra empresa ha tenido una impresionante acogida via FACEBOOK, donde recibimos constantes mensajes de personas que ya quieren obtener nuestro producto, inclusive estas comparten nuestra página o etiquetan a más personas, haciendo asi mas conocida nuestra marca lo cual significa que nuestro producto esta captando el interés de muchas personas a nivel nacional. Las ganancias que obtendremos podrán ser vistas desde el primer año de ventas, recuperando asi nuestro capital total dentro del cuarto año. Finalmente, nuestra mesa directiva esta solicitando un aporte de 36,800 nuevos soles, para hacer realidad este proyectoAre you afraid of being visited because as soon as your dog hears loud noises he reacts violently? Are you afraid of leaving your dog alone at home because he cries or suffers panic attacks because of fireworks? This happens because most pets, mainly dogs, have their ears 4 times more sensitive than humans. Therefore, they react alarmingly at hearing STRONG noises, more because they feel their comfort zone is invaded. RELAX DOG, provides the best alternative solution to have a pet in a safe environment and free of loud noises. This innovative and sophisticated product puts an end to the stress of cocky and allows the home environment to be more relaxing and comfortable. There may be a party, celebrate Christmas or New Year, and you will not have any inconvenience. Also, it is very important to mention that Relax Dog has had an impressive reception through FACEBOOK, where we receive constant messages from people who want our product, including people who share our page or tag more people, making our brand more known, which means that our product is capturing the interest of many people throughout the country. The profits that we will obtain can be seen from the first year of sales, thus recovering our total capital within the fourth year. Finally, the board of directors is requesting a contribution of S. / 36,800.00 to make this project a reality.Trabajo de investigació

¡Vamos app!

En esta investigación se analiza el desarrollo de la aplicación llamada “Vamos App”, que permite medir el aforo de los locales en tiempo real. La idea surge dada la coyuntura en la que se encuentra el país, donde estamos en un proceso constante de adaptación a las necesidades actuales, con aforos reducidos y distanciamiento social obligatorio. Además, el estilo de vida en general es cada vez más dinámico y la gente tiene menos tiempo para esperar. Por ello, esta aplicación permitirá a los usuarios conocer el aforo de los locales y conocer cuáles son los que tienen espacio disponible según la ubicación de la persona. Además, en nuestra versión “Premium” se podrá acceder a otros beneficios como descuentos, la posibilidad de hacer reservas, entre otros. La investigación nos ha permitido confirmar la viabilidad del proyecto, incursionando nuestra aplicación en el mercado peruano. Para ello, hemos utilizado las redes sociales como nuestro canal de ventas principal, lo que nos permitió obtener resultados satisfactorios expresados en las ventas realizadas. Posteriormente, se realizó el proceso de validación de problema y de la idea de negocio, para luego realizar los planes a futuro, con lo que se obtuvo el plan financiero. Los resultados de nuestra investigación se pueden resumir en que nuestro VAN es de 53,933.27, con retorno en el año 2 y nuestro TIR es de 57.70%, lo que demuestra la viabilidad del proyecto.This research analyzes the development of the application called "Vamos App", which allows measuring the capacity of the premises in real time. The idea arises given the current situation in the country, where we are in a constant process of adaptation to current needs, with reduced capacity and mandatory social distancing. In addition, the lifestyle in general is increasingly dynamic and people have less time to wait. Therefore, this application will allow users to know the capacity of the premises and to know which ones have available space according to the location of the person. In addition, in our "Premium" version you can access other benefits such as discounts, the possibility of making reservations, among others. The research has allowed us to confirm the viability of the project, entering our application in the Peruvian market. For this, we have used social networks as our main sales channel, which allowed us to obtain satisfactory results expressed in the sales made. Subsequently, the process of validation of the problem and the business idea was carried out, to then carry out the future plans, with which the financial plan was obtained. The results of our research can be summarized in that our NPV is 53,933.27, with a return in year 2 and our IRR is 57.70%, which shows the viability of the project.Trabajo de investigació

Gestión de seguridad para reducir los accidentes en el sector metalmecánico

Actualmente, en el mundo globalizado en el que vivimos las organizaciones empresariales deben buscar adaptarse a nuevos cambios obteniendo la máxima rentabilidad en relación a sus recursos. Es preciso por tanto fomentar entornos de trabajo seguros y saludables al ofrecer ambientes que permita a la organización identificar y controlar satisfactoriamente sus riesgos de seguridad, reduciendo el número de accidentes y cumplimiento con el marco legal.(IESS, 2019, p.16).El objetivo general del presente artículo es determinar como la gestión de seguridad reduce los accidentes producidos .Teniendo en cuenta que en el año 2018-2019, las notificaciones por accidentes en el trabajo fueron de 4.6%, exactamente en meses de diciembre; con un coeficiente de correlación (R) 0.851, lo que significa que a medida que transcurra el tiempo, estos, se incrementarán (Dumont,2020). La gestión de seguridad es un registro donde se efectúa la aplicación del plan de gestión de SST con la colaboración de los empleados y los que los representa para cumplir con los estándares normativos, pudiendo así, estatizar los riesgos y peligros fomentando una cultura de prevención para lograr la reducción de los accidentes (OEFA, 2020). Por el cual, se identifica una condición insegura cuando esta presenta una situación poco fiable siendo observado como un peligro, que, a su vez, puede generar un daño reversible e irreversible estableciéndose como un riesgo, en consecuencia, se puede concatenar a un accidente o enfermedad profesional (Rodríguez, 2012). Cabe destacar, que una política de seguridad y salud en el trabajo es un pronunciamiento en el cual se compromete una entidad a tomar en consideración el nivel de exposición a los que se encuentran los trabajadores del lugar y como es su participación en la aplicación de objetivos y planes de gestión (Essalud, 2013). El índice de accidentes que, acorde con el Ministerio de Trabajo y Promoción del Empleo (MTPE), cuantifica a través de los datos hallados del producto de frecuencia y severidad de los percances presentados en el ambiente laboral en un plazo definido. Asimismo, el índice de frecuencia representa el factor que vincula la cantidad de accidentes laborales con la cantidad de tiempo en horas utilizado para efectuar las actividades en el trabajo (Guixà, 2015). Por otro lado, el índice de severidad es el nexo existente de la cantidad de tiempo jornal perdido durante el trabajo por algún accidente y la cantidad de horas completas empleadas, ello respecto al plazo establecido (Butrón, 2018). El diseño de la investigación es cuasi experimental y es de tipo aplicada con un alcance temporal el cual es longitudinal teniendo un enfoque cuantitativo. La conclusión principal que se obtuvo referente a la comparación pre y post del índice de accidentabilidad ha sido relevante para reducir los accidentes que suceden en el sector metalmecánico; corroborando que los resultados aminoran significativamente los índices de frecuencia con lesión fatal y frecuencia con tiempo perdido aplicando la gestión para esta investigación, siendo preponderante la mejora del ámbito laboral en la empresa, el confort de los empleados y la seguridad a la hora de laborar

Study of In-rich InX Al1-X N semiconductor compounds : growth and Optimization of In-containing Heterostructures for High Electron Mobility Transistors (HEMTs)

Cette thèse est une contribution à l'étude de composés semiconducteurs InX Al1-X N à forte teneur en Indium. Ces composés présentent des propriétés très intéressantes pour des applications dans le domaine de l'amplification des hyperfréquences. L'objectif principal de la thèse est de définir des hétéro-structures de type AlGaInN / GaN, pour transistors à Effet de Champ Piézoélectrique (HEMT), épitaxiées sur substrats de saphir, silicium, et SiC, optimisées en vue de l'amplification hyperfréquence. Dans la première partie, nous étudions la croissance épitaxiale de couches minces du composé binaire GaN, en phase vapeur, à partir de précurseurs organométalliques (MOVPE), dans des conditions optimisées pour obtenir des couches fortement résistives. La deuxième partie est consacrée à l'étude de structures HEMT AlGaN/GaN sur SiC et sur silicium. Sur SiC, nous montrons la forte influence des propriétés du substrat sur les propriétés électriques des structures HEMT. Nous avons étudié une structure nouvelle incluant une fine couche de AlN entre les couches AlGaN et GaN et évalué les performances de transistors HEMT AlGaN/GaN et AlGaN/AlN/GaN sur SiC et sur Silicium (111). La partie suivante est consacrée à la croissance de composés ternaires InAlN. Nous avons étudié l'influence de la température de croissance et du rapport V/III sur les propriétés structurales de InAlN. Les conditions optimales ont été utilisées pour la réalisation de structures HEMT InAlN/AlN/GaN. Nous démontrons l'influence considérable de la couche AlN sur les propriétés électriques de ces structures. Enfin, nous discutons les performances obtenues sur des transistors à effet de champ InAlN/AlN/GaN sur SiCThis work reports on the metal-organic vapor phase epitaxy and on the characterisation of III-N GaInAlN heterostructures for High Electron Mobility Transistors. In a first part, the heteroepitaxy of semiinsulating GaN layers on sapphire, SiC and silicon is presented as the basis for the subsequent growth of III-N HEMT structures. The influence of suitable nucleation layers on the properties of GaN is presented and discussed. A second part deals with AlGaN/GaN HEMT structures grown on SiC and on Si (111) wafers. The influence of SiC substrate properties on the electrical performances of AlGaN/GaN HEMT is presented. A novel structure, including a thin AlN interlayer between the GaN buffer layer and the AlGaN barrier layer has also been introduced. The section is completed by device results obtained on selected heterostructures. A study of the impact of selected growth parameter (i.e. growth temperature, V/III ratio) on the structural and surface properties of InAlN layers is then presented. The optimized conditions have been used for the growth InAlN/AlN/GaN HEMT structures which have been thoroughly characterized. The electrical properties of the structures were found to be strongly dependent on the growth conditions of the AlN interlayer (e.g. deposition time, V/III ratio). Finally, state of the art device results obtained with InAlN/AlN/GaN heterostructures are presente

Optimized ohmic contacts for InAlGaN/GaN HEMTs

International audienceIn this work, we have carried out a detailed transmission electron microscopy investigation on ohmic contacts in InAl GaN/GaN high electron mobility transistors consisting of Ti/Al/Ni/Au deposited by evaporation electron beam followed by a rapid thermal annealing at 875°C for 30s under N2 atmosphere. Subsequent to an optimized surface preparation, prior to the metal deposition, it has been possible to systematically obtain a contact resistance of 0.15-0.16 Ω.mm instead of the usual 0.5-0.6 Ω.mm. This is comparable to the state of the art results which have been published subsequent to more complex processes including molecular beam regrowth