ВИКОРИСТАННЯ ТЕХНОЛОГІЇ DATA MINING ДЛЯ З'ЯСУВАННЯ СУДОВО-МЕДИЧНИХ ЕКСПЕРТНИХ ОСОБЛИВОСТЕЙ НЕНАЛЕЖНОЇ МЕДИЧНОЇ ДОПОМОГИ

The paper presents Data Mining technology, in particular the method of induction of decision trees, for solving of special issues during forensic medical expertise in cases of medical malpractice. Based on the obtained results with using of the automated mathematical program of intellectual processing of the database, specific forensic expert peculiarities of inappropriate medical care were established. Presented research was performed on the example of medical malpractice litigation in internal medicine practiceВ работе представлены возможности технологии искусственного интеллекта Data Mining, в частности метода индукции деревьев решений, для решения специальных вопросов во время судебно-медицинской экспертизы уголовных дел, возбуждённых против врачей в случаях ненадлежащего оказания медицинской помощи. На основании полученных результатов, обоснованных автоматизированной математической программой интеллектуальной обработки базы данных, установлены конкретные судебно-медицинские экспертные особенности ненадлежащей медицинской помощи на примере уголовных дел, возбужденных против врачей-терапевтов.У роботі представлені можливості технології штучного інтелекту Data Mining, зокрема методу індукції дерев рішень, для вирішення спеціальних питань під час судово-медичної експертизи кримінальних проваджень, відкритих проти лікарів у випадках неналежного надання медичної допомоги. На підставі отриманих результатів, обґрунтованих автоматизованою математичною програмою інтелектуальної обробки бази даних, встановлені конкретні судово-медичні експертні особливості неналежної медичної допомоги на прикладі кримінальних справ, порушених проти лікарів-терапевтів

Измерение СВЧ параметров диэлектрических материалов методом тонкого диэлектрического резонатора

У статті розглянуто метод тонкого діелектричного резонатора для вимірювання НВЧ параметрів діелектричних матеріалів, його переваги і недоліки. Показано, що запропонований метод має високу чутливість і може бути використаний для вимірювання параметрів тонких діелектричних плівок, нанесених на підкладку.The article describes the method of thin dielectric resonator for measuring parameters of microwave dielectric materials, its advantages and disadvantages. It is shown that the proposed method has a high sensitivity and can be used for measuring the dielectric thin films deposited on a substrate.В статье рассмотрен метод тонкого диэлектрического резонатора для измерения СВЧ параметров диэлектрических материалов, его преимущества и недостатки. Показано, что предложенный метод имеет высокую чуствительность и может быть использован для измерения параметров тонких диэлектрических пленок, нанесенных на подложку

Температурные свойства полупроводниковых резонансных структур с электронным управлением

Розглянуто p-i-n діоди як багатошарові електродинамічні системи. Показано, що в таких системах можливе виникнення електромагнітного резонансу E-типу. На основі цього підходу отримано аналітичні вирази для оцінювання температурних залежностей параметрів таких приладів. Експериментально досліджено температурні властивості резонансних систем на основі p-i-n діодів, виготовлених із кремнію та арсеніду галію, а саме залежність резонансної частоти і власної добротності від температури в міліметровому діапазоні довжин хвиль. Показано доцільність використання p-i-n діодів як керованих резонансних структур у надвисокочастотному діапазоні.The p-i-n diodes as multilayer electromagnetic systems are considered. It is shown that in such systems may experience electromagnetic E-type resonance. Using this approach, analytical expressions for the evaluation of the temperature dependence of the parameters of such devices are obtained. The temperature properties of resonant systems on the base of Si and GaAs p-i-n diodes, namely the dependence of resonant frequency and unloaded Q-factor from temperature at millimeter wavelengths are experimentally studied. The expediency of the use of p-i-n diodes as controlled resonant structures in the UHF range is shown.Рассмотрены p-i-n диоды как многослойные электродинамические системы. Показано, что в таких системах возможно возникновение электромагнитного резонанса E-типа. На основе данного подхода получены аналитические выражения для оценки температурных зависимостей параметров таких приборов. Экспериментально исследованы температурные свойства резонансных систем на основе p-i-n диодов, изготовленных из кремния и арсенида галлия, а именно зависимость резонансной частоты и собственной добротности от температуры в миллиметровом диапазоне длин волн. Показана целесообразность использования p-i-n диодов как управляемых резонансных структур в сверхвысокочастотном диапазоне

Block Shear Capacity of Bolted Connections in Cold-Reduced Steel Sheets

This paper examines the mechanisms for block shear failures of bolted connections in steel plates postulated in the design equations specified in the North American, European and Australian steel structures codes. It explains that there is only one feasible mechanism for the limit state of conventional block shear failure, that which involves tensile rupture and shear yielding, irrespective of the steel material ductility. It describes the fundamental shortcomings of various code equations for determining the block shear capacity of a bolted connection. Based on the tensile rupture and shear yielding mechanism, an in-plane shear lag factor, and the active shear resistance planes identified in the present work, this paper proposes a rational equation that is demonstrated to provide more accurate results compared to all the code equations in predicting the block shear capacities of bolted connections in G450 steel sheets subjected to concentric loading. The resistance factor of 0.8 for the proposed equation is computed with respect to the LRFD approach given in the North American specification for the design of cold-formed steel structures

Температурні властивості напівпровідникових резонансних структур з електронним керуванням

The p-i-n diodes as multilayer electromagnetic systems are considered. It is shown that in such systems may experience electromagnetic E-type resonance. Using this approach, analytical expressions for the evaluation of the temperature dependence of the parameters of such devices are obtained. The temperature properties of resonant systems on the base of Si and GaAs p-i-n diodes, namely the dependence of resonant frequency and unloaded Q‑factor from temperature at millimeter wavelengths are experimentally studied. The expediency of the use of p-i-n diodes as controlled resonant structures in the UHF range is shown.References 5, figures 3, tables 1.Рассмотрены p-i-n диоды как многослойные электродинамические системы. Показано, что в таких системах возможно возникновение электромагнитного резонанса E-типа. На основе данного подхода получены аналитические выражения для оценки температурных зависимостей параметров таких приборов. Экспериментально исследованы температурные свойства резонансных систем на основе p-i-n диодов, изготовленных из кремния и арсенида галлия, а именно зависимость резонансной частоты и собственной добротности от температуры в миллиметровом диапазоне длин волн. Показана целесообразность использования p-i-n диодов как управляемых резонансных структур в сверхвысокочастотном диапазоне.Библ . 5, рис. 3, табл . 1.Розглянуто p-i-n діоди як багатошарові електродинамічні системи. Показано, що в таких системах можливе виникнення електромагнітного резонансу E-типу. На основі цього підходу отримано аналітичні вирази для оцінювання температурних залежностей параметрів таких приладів. Експериментально досліджено температурні властивості резонансних систем на основі p-i-n діодів, виготовлених із кремнію та арсеніду галію, а саме залежність резонансної частоти і власної добротності від температури в міліметровому діапазоні довжин хвиль. Показано доцільність використання p-i-n діодів як керованих резонансних структур у надвисокочастотному діапазоні.Бібл. 5, рис. 3, табл. 1

Numerical diagnostics of the conduct of the circular foundation of the tower type building according to the method of boundary elements

Розглядається кількісне оцінювання механічних процесів в ґрунтових основах кільцевих фундаментів, що виникають під впливом антропогенних факторів будівельної діяльності людини.The work deals with the quantitative estimation of mechanic processes in the soil grounds of circular foundations arising up under the influence of anthropogenic factors of building activity.Рассмотрена количественная оценка механических процессов в грунтовых основаниях кольцевых фундаментов, возникающих под воздействием антропогенных факторов строительной деятельности человека