Mo/n-Si Schottky Diyotların Akım-Voltaj ve Kapasite-Voltaj Karakteristiklerinin Analizi

Bu çalışmada Mo/n-Si Schottky diyotların bazı elektriksel özellikleri incelendi. Diyotlar, Molibdenin (Mo) n-tipi Silisyum (Si) üzerine manyetik saçtırma yöntemi kullanılarak biriktirilmesiyle üretildi. Akım-voltaj (I-V) ve kapasite-voltaj (C-V) ölçümleri oda sıcaklığında alındı. İdealite faktörü (n=1,48), sıfır beslem engel yüksekliği ( b0=0,72 eV), seri direnç (Rs=2,02 k) gibi temel diyot parametreleri I-V verileri kullanılarak elde edildi. Ayrıca engel yüksekliği ve katkılama yoğunluğu (ND) değerleri 1kHz-3MHz frekans aralığında C-V ölçümlerinden belirlendi. I-V ve C-V ölçümlerinden elde edilen b değerleri karşılaştırıldı. Her iki yöntemden elde edilen engel yüksekliği değerlerinin farklılığı, engel yüksekliğinin homojen olmayışı olgusuna ve geleneksel I-V ve C-V yöntemlerinin farklı tabiatına atfedildi

Electric and photoelectric properties of n-AgInSe2/p-Si heterojunction diode fabricated by successive layer deposition

Thin films of AgInSe2 ternary compound were grown by a successive process in which the production of AIS-Ag-AIS-Ag-AIS-Ag layers was deposited by e-beam and thermal evaporation on p-type silicon substrates. The formation of a stoichiometric AgInSe2 thin film with 75.2% crystallinity was achieved and the film had homogenous and smooth surfaces. n-AgInSe2/p-Si structure has exhibited good rectifying behavior with rectification ratio of 3.99 x 10(3). The ideality factor and saturation current were found to be 1.74 and 2.71 x 10(-7) A, respectively. The n-AgInSe2/p-Si heterojunction diode exhibited non-ideal reverse-bias capacitance-voltage (C-2-V) characteristic due to fully depletion of n-AgInSe2 side. The basic photovoltaic parameters of the diode such as open-circuit voltage (V-oc), short-circuit current (I-sc), and fill factor (FF) were obtained as 0.49 V, 4.03 mA, and 27.65%, respectively

Mo/n-Si Schottky Diyotların Akım-Voltaj ve Kapasite-Voltaj Karakteristiklerinin Analizi

Bu çalışmada Mo/n-Si Schottky diyotların bazı elektriksel özellikleri incelendi. Diyotlar, Molibdenin (Mo) n-tipi Silisyum (Si) üzerine manyetik saçtırma yöntemi kullanılarak biriktirilmesiyle üretildi. Akım-voltaj (I-V) ve kapasite-voltaj (C-V) ölçümleri oda sıcaklığında alındı. İdealite faktörü (n=1,48), sıfır beslem engel yüksekliği ( b0=0,72 eV), seri direnç (Rs=2,02 k) gibi temel diyot parametreleri I-V verileri kullanılarak elde edildi. Ayrıca engel yüksekliği ve katkılama yoğunluğu (ND) değerleri 1kHz-3MHz frekans aralığında C-V ölçümlerinden belirlendi. I-V ve C-V ölçümlerinden elde edilen b değerleri karşılaştırıldı. Her iki yöntemden elde edilen engel yüksekliği değerlerinin farklılığı, engel yüksekliğinin homojen olmayışı olgusuna ve geleneksel I-V ve C-V yöntemlerinin farklı tabiatına atfedildi

Ultrasonik Sprey Piroliz ile Üretilen Flor Katkılı Kalay Oksit İnce Filmlerin Yapısal, Morfolojik, Optiksel ve Elektriksel Analizleri

Bu çalışmada yüksek şeffaflığa sahip Flor katkılı Kalay Oksit ince filmleri ultrasonik sprey piroliz tekniği ile başarılı bir şekilde üretilmiştir. İnce filmlerin yapısal ve morfolojik karakterizasyonu için X-ışını kırınımı, taramalı elektron mikroskobu ve atomik kuvvet mikroskobu analizleri yapılmıştır. X-ışını kırınımı desenleri göstermiştir ki filmler polikristal haldedir ve (200) tercihli yönelimi boyunca büyümüşlerdir. 3,16 eV’luk bir band aralığı UV-Vis ölçümlerinden elde edilmiştir. İnce filmlerin öz direnci 1,35×10-3W-cm olarak bulunmuştur