Diseño de una pila de hidrógeno para su aplicación en automoción

En este proyecto se ha realizado un diseño completo de un sistema de pila de combustible, que incluye equipo y subsistemas, cuyo propósito será utilizarlo en el campo de la automoción para impulsar un vehículo de tamaño medio con una potencia de 90 kW. La tecnología seleccionada ha sido de tipo PEM (Proton Exchange Membrane) debido a que permitirá construir un equipo compacto, con bajo riesgo de utilización, arranque rápido y baja temperatura de funcionamiento. Estas características, entre otras, la convierten en una tecnología especialmente propicia para su uso en aplicaciones móviles. En lo que a cálculos se refiere, se ha seleccionado como base de cálculo la autonomía (600 km), la potencia de salida (90 Kw) y el combustible utilizado (hidrógeno). A partir de estos datos, se han calculado el resto de los parámetros de operación como la tensión de celda real (0,776 V) y la eficiencia total de la pila (44,54 %) entre otros. El equipo comercial que cumple con estos requerimientos instalando 3 equipos en paralelo es el modelo Horizon VL-30. El trabajo se completa con un análisis básico de costes a lo largo de la vida del sistema que incluye los costes de fabricación y de mantenimiento a fin de compararlo con el resto de tecnologías.Departamento de Ingeniería Química y Tecnología del Medio AmbienteMáster en Ingeniería Industria

Regulación de la actividad de la GTPasa RRas2 por interacción directa con los receptores de antígeno

Tesis Doctoral inédita leída en la Universidad Autónoma de Madrid, Facultad de Ciencias, Departamento de Biología Molecular. Fecha de lectura: 15-09-2017El receptor para antígeno de células T (TCR) está formado por dos subunidades (a y b) responsables del reconocimiento del ligando, y las subunidades CD3g, CD3z, CD3e y CD3d, encargadas de la transmisión de señales al interior del linfocito. Los linfocitos B, por otra parte, poseen un receptor para antígeno (BCR) formado por una molécula de inmunoglobulina de tipo IgM o IgD, anclada a membrana y unida no covalentemente al heterodímero Iga-Igb, que juega un papel equivalente al de las subunidades CD3 en los linfocitos T. Tanto las cadenas CD3 como las de Iga e Igb poseen, embebidas en su secuencia peptídica, unos motivos denominados ITAM (YxxL/I (x)6-8YxxL/I) sobre los que recae la tarea de la transmisión de señales iniciada desde los receptores para antígeno. Las tirosinas de este complejo son fosforiladas por Lck y se convierten así en plataformas de señalización para proteínas SH2. Siendo las más conocidas Zap70 en linfocitos T y Syk en linfocitos B, que se unen con alta afinidad al motivo ITAM doblemente fosforilado en sus tirosinas. RRas2 pertenece a la familia Ras de GTPasas pequeñas, o monoméricas. Esta familia está formada por 150 miembros aproximadamente, cuyos ortólogos están conservados en multitud de especies. Las GTPasas monoméricas basan su funcionamiento en el intercambio de moléculas de GDP por moléculas de GTP. Cuando se encuentran unidas a GDP están en su forma inactiva, y necesitan de proteínas adicionales (GEFs) para intercambiar GDP por GTP y así poder ejercer su función. Dentro del amplio abanico de funciones en las que participan estas GTPasas destacan los procesos de diferenciación celular, proliferación y expresión génica. Además, en lo referente al sistema inmune, Ras ha demostrado ser esencial para el proceso de selección positiva de timocitos. Investigaciones previas llevadas a cabo en nuestro laboratorio han puesto de relieve la importancia de RRas2 en las rutas de señalización del TCR. En particular en el mantenimiento de la señalización homeostática de linfocitos T mediada principalmente por la ruta de PI3K, que es reclutado por RRas2 a través de la subunidad catalítica P110d. Por otra parte, también se estudiado en nuestro laboratorio el papel de RRas2 en la internalización del TCR; lo que ha determinado que RRas2 es imprescindible en el proceso fagocítico de reciclaje del TCR desde la sinapsis inmunológica. En este trabajo, se pone de manifiesto la estrecha relación entre RRas2 y el receptor de antígeno de las células T, y como éste es necesario para una completa activación de RRas2. Por otra parte, también se demuestra la prevalencia de RRas2 frente a otras GTPasas en la vía de señalización de PI3K en linfocitos T y B. Mientras que su contribución a la ruta de Raf-MAPK es menor en este tipo de células

Proyecto de una nave de usos múltiples de 450 m2 para el servicio del Embalse de Requejada (Palencia) empleando tecnología BIM

En este trabajo de fin de grado se ha desarrollado el proyecto completo de una obra de nueva construcción de una instalación industrial de 450 m2 de planta situada en la localidad de Cervera de Pisuerga (Palencia). Dicha instalación industrial estará dispuesta para usos múltiples y estará destinada a prestar servicio a las instalaciones del Embalse de la Requejada. Los estudios que se han desarrollado en dicho proyecto han sido el cálculo estructural, la distribución en planta y el cálculo de instalaciones así como la redacción de los documentos administrativos pertinentes para poder llevar a cabo la obra en el futuro. Entre las instalaciones estudiadas se encontrarán las siguientes: Sistema de calefacción, producción de agua caliente sanitaria, abastecimiento de agua potable, recogida de aguas residuales, sistema de aire comprimido, instalación eléctrica, instalación de máquinas-herramienta, sistema anti-intrusión y sistema anti-incendios.Departamento de Ciencias de los Materiales e Ingeniería Metalúrgica, Expresión Gráfica en la Ingeniería, Ingeniería Cartográfica, Geodesia y Fotogrametría, Ingeniería Mecánica e Ingeniería de los Procesos de FabricaciónGrado en Ingeniería Mecánic

Electron Tomography of Pencil-Shaped GaN/(In,Ga)N Core-Shell Nanowires

The three-dimensional structure of GaN/(In,Ga)N core-shell nanowires with multi-faceted pencil-shaped apex is analyzed by electron tomography using high-angle annular dark-field mode in a scanning transmission electron microscope. Selective area growth on GaN-on-sapphire templates using a patterned mask is performed by molecular beam epitaxy to obtain ordered arrays of uniform nanowires. Our results of the tomographic reconstruction allow the detailed determination of the complex morphology of the inner (In,Ga)N multi-faceted shell structure and its deviation from the perfect hexagonal symmetry. The tomogram unambiguously identifies a dot-in-a-wire configuration at the nanowire apex including the exact shape and size, as well as the spatial distribution of its chemical composition. © 2019, The Author(s)

Percepciones y atribuciones causales sobre la violencia de género en León (Nicaragua)

En Nicaragua –segundo país menos desarrollado de Centroamérica, número 129 en el IDH- la violencia hacia las mujeres presenta una escasa visibilidad. El trabajo analiza las circunstancias de las mujeres en situación de pobreza víctimas de violencia de género que habitan en las áreas marginales de la ciudad de León, a quienes se accedió a través de la red de apoyo e intervención de la Comisaría de la Mujer y la Niñez. La información obtenida, además de aportar información sobre las características sociodemográficas de las víctimas, está permitiendo analizar distintas cogniciones sociales relacionadas con la violencia que padecen y algunos factores implicados en su construcción, como la existencia de violencia de género en la familia de origen

Selective area growth and characterization of InGaN nano-disks implemented in GaN nanocolumns with different top morphologies

This work reports on the morphology control of the selective area growth of GaN-based nanostructures on c-plane GaN templates. By decreasing the substrate temperature, the nanostructures morphology changes from pyramidal islands (no vertical m-planes), to GaN nanocolumns with top semipolar r-planes, and further to GaN nanocolumns with top polar c-planes. When growing InGaN nano-disks embedded into the GaN nanocolumns, the different morphologies mentioned lead to different optical properties, due to the semi-polar and polar nature of the r-planes and c-planes involved. These differences are assessed by photoluminescence measurements at low temperature and correlated to the specific nano-disk geometry

Corrosión de tuberías en instalaciones de edificación

This paper deals with the behaviour during about one year, of cast-iron and galvanized cast-iron tubes used for water pipes in building instalations, either as such or previously wrapped up in newspaper —according to some local practices—, from the viewpoint of their corrosion in contact with cement mortars and concretes in which they are normally embedded. Provisional practical results of the study up to date, as well as their interpretation and evaluation and conclusions drawn from them emphasize how inadequate and damaging such practices may be and lead to reject their application. As far as the influence of PA-350 cements containing blast-furnace slags, and S-11-350 cements (blas-furnace slag cements) are concerned, which have been used in the work and are specified in Spanish Cement Standards RC-75, the results do not show any difference in behaviour between both cements, in the sense that neither the one nor the other cause corrosion of not wrapped cast-iron tubes, either galvanized or not, in the experimental working conditions, when observed after one year of embedment. The results also show the importance of using adequate materials and accomplishing regulations of good practice in building, to avoid the bad behaviour of either of the mentioned, tubes in water pipes, as far as their durability against corrosion is concerned.Se estudia en este trabajo el comportamiento a un año, aproximadamente, de tubo negro y tubo galvanizado empleados para conducciones de agua en instalaciones de edificación, tanto desnudos como previamente envueltos en papel de periódico —según prácticas locales—, desde el punto de vista de su corrosión en contacto con morteros y hormigones de cemento, en los que normalmente se encuentran embebidos. Los resultados parciales y provisionales del estudio hasta el momento presente, así como su interpretación y valoración, y las conclusiones emanadas de los mismos, ponen de relieve lo inadecuado y perjudicial de tales prácticas y aconsejan renunciar a las mismas. En lo que se refiere a la influencia de los cementos PA-350 con adición de escorias siderúrgicas y S-II-350 del Pliego RC-75, utilizados en el estudio, los resultados no muestran diferencia de comportamiento entre unos y otros, en las condiciones experimentales tenidas en cuenta y al tiempo de observación de un año, en el sentido de que ninguno de ambos cementos causa corrosión en los tubos negros o galvanizados desnudos. Los resultados ponen también de manifiesto la importancia de la adecuación de los materiales y del cumplimiento de las reglas de buena práctica en la construcción, si se quiere evitar el mal comportamiento de unos u otros de dichos tubos en instalaciones de conducción de agua en edificación, desde el punto de vista de su durabilidad frente a la corrosión

Electron tomography of (In,Ga)N insertions in GaN nanocolumns grown on semi-polar (11(2)over-bar2) GaN templates

We present results of scanning transmission electron tomography on GaN/(In,Ga)N/GaN nanocolumns (NCs) that grew uniformly inclined towards the patterned, semi-polar GaN( 112̄ 2 ) substrate surface by molecular beam epitaxy. For the practical realization of the tomographic experiment, the nanocolumn axis has been aligned parallel to the rotation axis of the electron microscope goniometer. The tomographic reconstruction allows for the determination of the three-dimensional indium distribution inside the nanocolumns. This distribution is strongly interrelated with the nanocolumn morphology and faceting. The (In,Ga)N layer thickness and the indium concentration differ between crystallographically equivalent and non-equivalent facets. The largest thickness and the highest indium concentration are found at the nanocolumn apex parallel to the basal planes

Raman scattering by coupled plasmon-LO phonons in InN nanocolumns

Raman measurements on high quality, relaxed InN nanocolumns grown on Si(001) and Si(111) substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy are reported. A coupled LO phonon-plasmon mode around 430 cm-1, together with the uncoupled LO phonon appears in the nanocolumnar samples. The coupled mode is attributed to spontaneous accumulation of electrons at the lateral surfaces of the nanocolumns, while the uncoupled phonon originates from their inner part. Infrared reflectance measurements confirm the presence of electrons in the nanocolumns. The electron density in the accumulation layer depends on the growth temperature and is sensitive to exposure of HCl. Our results indicate that accumulation of intrinsic electrons occurs not only at the polar surfaces of InN layers, but also on non-polar lateral surfaces of InN nanocolumns. Its origin is attributed to an In-rich surface reconstruction of the nanocolumns sidewalls