ENTRE AMORES ÉBRIOS E FAZER ARTÍSTICO: TÓPOI E POÍESIS NAS 'ANACREÔNTICAS' | BETWEEN DRUNKEN LOVE AND ARTISTIC PRAXIS: TÓPOI AND POÍESIS IN THE 'ANACREONTEA'

Neste texto, trato das temáticas encontradas nos poemas que compõem o corpus das Anacreônticas, apresentando a discussão à luz dos poemas originais acompanhados de traduções próprias, de viés poético. Abstract: In this article he themes found in the poems that comprise the corpus of the Anacreontea are analyzed by referring to the original poems and my own poetic translations

WILLIAM SHAKESPEARE: SONETOS XVII, XVIII e XXIX – TRADUÇÃO E COMENTÁRIO

Este texto apresenta a tradução (em Português brasileiro) comentada de três sonetos (XVII, XVIII e XXIX) de William Shakespeare, apontando algumas dificuldades na tarefa de tradução e o modo pelo qual elas foram enfrentadas na busca de uma transposição semelhante em forma e conteúdo, mas que se permite algumas licenças

Rasuras poéticas para a Teogonia de Hesíodo

O presente artigo tem como objetivo delinear as perspectivas hermenêuticas e tradutórias adotadas para uma tradução rítmica e poética da Teogonia de Hesíodo. Ao final, apresentaremos alguns trechos do trabalho de tradução a fim de ilustrar a teoria que buscaremos expor aqui.This paper aims to line out the hermeneutic and translation pespectives used in our rhythmic and poetic translation of Hesiod’s Theogony. By the end of the text, we will present a few excerpts of the translation in order to illustrate what will be exposed here theorywise

Apresentação

Apresentaçã

Sumário

Sumári

Oxygen vacancy engineering of TaOx-based resistive memories by Zr doping for improved variability and synaptic behavior

Resistive switching devices are promising emerging non-volatile memories. However, one of the biggest challenges for resistive switching (RS) memory applications is the device-to-device (D2D) variability which is related to the intrinsic stochastic formation and configuration of oxygen vacancy (VO) conductive filaments. In order to reduce D2D variability, the control of oxygen vacancy formation and configuration is paramount. We report in this study Zr doping of TaOx-based RS devices prepared by pulsed laser deposition (PLD) as an efficient mean to reduce VO formation energy and increase conductive filament (CF) confinement, thus reducing D2D variability. Such findings were supported by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), spectroscopic ellipsometry (SE) and electronic transport analysis. Zr doped films presented increased VO concentration, and more localized VO thanks to the interaction with Zr. According to DC and pulse mode electrical characterization, D2D variability was decreased by a factor of 7, resistance window was doubled and a more gradual and monotonic long-term potentiation/depression (LTP/LTD) in pulse switching was achieved in forming-free Zr:TaOx devices thus displaying promising performance for artificial synapse applications.Comment: 19 pages, 10 figure

Control of multiferroic properties in rare earth doped oxide thin films for memory and logic device applications

Nas últimas décadas, o consumo de dispositivos eletrônicos e a alta demanda por armazenamento de dados tem mostrado grandes oportunidades para a criação de novas tecnologias que garantam as necessidades mundiais na área de computação e desenvolvimento. Alguns materiais multiferroicos tem sido amplamente estudados e o BiFeO3, considerado o único material multiferroico em temperatura ambiente, ganhou destaque como candidato para produção de dispositivos lógicos e de memória. O uso de técnicas de crescimento como a deposição por laser pulsado permitiu a produção de filmes finos de BiFeO3 com elevado controle de qualidade. Heteroestruturas de filmes multiferroicos de BiFeO3 e LaBiFeO3 foram crescidas com diferentes espessuras sobre substratos de SrTiO3(100), DyScO3(110) e SrTiO3/Si(100) para avaliação e teste de suas propriedades elétricas e magnéticas. Filmes ferromagnéticos de Co0,9Fe0,1 foram depositados por sputtering sobre os filmes multiferroicos para avaliação da interação interfacial entre ordenamentos magnéticos. Técnicas como fotolitografia foram utilizadas para padronização de microdispositivos gravados sobre as amostras. Tanto os filmes finos de BiFeO3 como os de LaBiFeO3 foram crescidos epitaxialmente sobre os substratos já cobertos com uma camada buffer de SrRuO3 usado como contato elétrico inferior. A estrutura cristalina romboédrica das ferritas de bismuto foi confirmada pelos dados de difração de raios X, bem como a manutenção de tensão estrutural causada pela rede cristalina do substrato para amostras de 20 nm. Os valores de coeficiente do tensor piezelétrico d33 foram da ordem de 0,15 V (∼ 60 kV.cm-2) para amostras com 20 nm de espessura enquanto que os valores de voltagem coerciva para as análises de histerese elétrica foram da ordem de 0,5 V para as mesmas amostras. A relação de coercividade elétrica com a espessura corresponde ao perfil encontrado na literatura pela relação E≈d-2/3. As amostras de CoFe/BFO e CoFe/LBFO depositadas em diferentes substratos apresentam acoplamento interfacial entre ordenamento ferromagnético e antiferromagnético com momento ferromagnético de rede.For the last few decades, the consumption of electronic devices and the high demand for data storage have shown great opportunities to create modern technologies that assure the worldwide needs in computing and development. Some multiferroic materials have been extensively studied and BiFeO3, considered the only multiferroic material at room temperature, has received attention as a candidate to produce logic and memory devices. The use of growth techniques such as pulsed laser deposition allowed the production of thin films of BiFeO3 with high quality control. Multiferroic film heterostructures of BiFeO3 and LaBiFeO3 were grown with different thicknesses on SrTiO3 (100), DyScO3 (110) and SrTiO3/Si (100) substrates to evaluate and test their electrical and magnetic properties. The allow Co0.9Fe0.1 ferromagnetic films were deposited by sputtering on the multiferroic films to evaluate the interfacial interaction between magnetic ordering. Techniques such as photolithography were used to pattern microdevices on the samples. Both the BiFeO3 and LaBiFeO3 thin films were grown epitaxially on the substrates already covered with a SrRuO3 buffer layer used as the lower electrical contact. The rhombohedral crystalline structure of the bismuth ferrites was confirmed by the X-ray diffraction data as well as the strain maintenance caused by the crystal lattice of the substrate for 20 nm samples. The coefficient values of the piezoelectric tensor d33 were around 0.15 V (∼ 60 kV.cm-2) for 20 nm thick samples whereas the coercive voltage values for the electrical hysteresis analyzes were about 0.5 V for the same samples. The relation between electric coercivity and the thickness corresponds to the profile found in the literature by the relation E≈d-2/3. The samples of CoFe/BFO and CoFe/LBFO deposited in different substrates present interfacial coupling between ferromagnetic and antiferromagnetic arrangement with net ferromagnetic moment