Trematode Parthenitae Infection Rate and Distribution of Kola Bay Actic Molluscs of the Genus Littorina

The study was carried out in 2018 in the littoral zone of Kola Bay during the autumn period in the areas of Abram Mys Settlement, Mishukovo Settlement and Retinskaya Bay. Molluscs of the genus Littorina were collected from various substrates: stones, algae, metal construction and soil. In addition, samples were taken not from a particular substrate, but along the borders of the littoral zone to study species composition of molluscs and common level of infection rate in study areas. Our data showed that L. saxatilis infested by mature trematode parthenitae prefer being on the surface of algae, metal structure, stones at low tide instead of hiding under the stones, in the thickness of algae and in other possible shelters. The study of age distribution among infested Littorina molluscs living on different substrates showed that the ratio of age groups is different and varies from 1+ to 13+. Distribution data are established and considered for infested molluscs by trematode parthenitae of the group ”pygmaeus”: Microphallus pygmaeus, M. piriformes, which are characterized by the absence of free-living cercariae. Trematode parthenitae of other species which have a stage of free-living cercaria in their life cycle are absent in molluscs during the autumn period

Тонкі плівки оксиду диспрозію, утворені при швидкому термічному відпалі на пористих підкладках SiC

In this paper, we consider the effect of rapid thermal annealing (RTA) on the properties of Dy2O3 film formed on the surface of a substrate with a por-SiC/SiC structure. The atomic composition of the films under study was analyzed as a function of the RTA time. It is shown that the RTA method makes it possible to obtain thin Dy oxide films with a composition close to the stoichiometric one. In this case, an increase in the RTA time leads to improving the quality of film-substrate interface and increasing the optical transmission of Dy2O3/por-SiC/SiC structureУ цій роботі розглянуто вплив швидкого термічного відпалу (ШТВ) на властивості плівки Dy2O3, що утворюється на поверхні підкладки зі структурою por-SiC/SiC. Атомний склад досліджуваних плівок аналізували як функцію часу ШТВ. Показано, що метод ШТВ дозволяє отримувати тонкі плівки оксиду диспрозію зі складом, близьким до стехіометричного. У цьому випадку збільшення часу ШТВ призводить до поліпшення якості межі поділу плівка-підкладка і до збільшення оптичного пропускання структури Dy2O3/por-SiC/SiC

Адміністративне судочинство у справах, пов’язаних із виборчим процесом

Бачеріков О. В. Адміністративне судочинство у справах, пов’язаних із виборчим процесом : автореф. дис. ... канд. юрид. наук : 12.00.07 / О. В. Бачеріков; кер. роботи С. В. Ківалов; Нац. ун.-т "Одеська юридична академія". – Одеса, 2011. – 21 с.Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата юридичних наук за спеціальністю 12.00.07 – адміністративне право і процес; фінансове право; інформаційне право. – Національний університет «Одеська юридична академія», Одеса, 2011. У дисертації досліджуються науково-теоретичні та практичні питання адміністративно-правового регулювання розгляду й вирішення виборчих спорів в адміністративних судах. Розглянуто теоретичні положення, пов’язані з визначенням виборчих спорів як предмета адміністративного судочинства, здійснено аналіз судового та адміністративного порядку розгляду й вирішення виборчих спорів, визначено предмет виборчих спорів, які розглядаються в адміністративному судочинстві. Здійснено науково-теоретичний аналіз особливостей адміністративного судочинства у справах, пов’язаних з виборчим процесом, який має прояв у таких процесуальних інститутах, як правила підсудності; коло осіб, що згідно з законом можуть набути статусу учасників адміністративного процесу; представництво; процесуальні строки та порядок їх обчислення; судові витрати; здійснення викликів і повідомлень; оскарження; виконання рішень адміністративного суду. На підставі зазначеного аналізу розроблено пропозиції, спрямовані на підвищення ефективності розгляду й вирішення виборчих спорів в адміністративних судах.Диссертация на соискание научной степени кандидата юридических наук по специальности 12.00.07 – административное право и процесс; финансовое право; информационное право. – Национальный университет «Одесская юридическая академия», Одесса, 2011. В диссертации исследуются научно-теоретический и практический вопросы административно-правового регулирования порядка рассмотрения и разрешения избирательных споров в административном судопроизводстве. Рассмотрены теоретические положения, связанные с определением правовой природы избирательного спора, проанализированы особенности процессуальной формы рассмотрения и разрешения избирательных споров в административном и судебном порядке, определен предмет избирательных споров, подлежащих рассмотрению и разрешению в административных судах. Сделан вывод о том, что избирательные споры представляют собой дело административной юрисдикции по иску субъектов избирательного процесса о нарушении их прав, свобод и интересов в ходе назначения, подготовки и проведения выборов. Осуществлен научно-теоретический анализ особенностей административного судопроизводства по делам, связанным с избирательным процессом, которые проявляются в таких процессуальных институтах, как правила подсудности; круг лиц, которые в соответствии с законом могут приобрести статус участников административного процесса; представительство; процессуальные сроки и порядок их исчисления; судебные расходы; осуществление вызовов и сообщений; обжалование; исполнение решений административного суда. Определено, что субъектный состав заинтересованных лиц – участников административного судопроизводства по делам об избирательном процессе не предусматривает обязательного участия субъекта властных полномочий, которые в избирательных спорах представлены избирательными комиссиями и их должностными лицами. По субъектному критерию данная категория дел ограничивается участием субъекта избирательного процесса. Осуществлен анализ подсудности, сроков и стадий административного судопроизводства по делам, связанным с избирательным процессом. На основании указанного анализа разработаны предложения, направленные на повышение эффективности порядка рассмотрения и разрешения избирательных споров в административных судах.Thesis gaining a scientific degree of a candidate of jurisprudence in special 12.00.07 – administrative law and process; financial law; informational law. – National University “Odessa Academy of Law”, Odessa, 2011. Scientific-theoretical and practical questions of administrative-legal regulation of election disputes consideration and decision in administrative courts are researched in the dissertation. Theoretical provisions connected with election disputes definition as a subject of administrative legal proceeding are considered, the analysis of court and administrative order of election disputes consideration and decision is made, subject of election disputes that are considered and decided in the administrative legal proceeding is defined. Scientific-theoretical analysis of special features of administrative legal proceeding connected with election process is made; those features are the following procedural institutes: court jurisdiction rules, persons that on the basis of law can gain a status of participants of administrative legal proceeding, representation, procedural terms and rules of their calculation, court expenses, realizing of summons and notices, appeal, administrative court decision execution. Propositions, which are determined on increasing of the effectiveness of consideration and decision of election disputes in administrative courts, are formulated on the basis of mentioned analysis

Line-shape analysis and simulation of Er3+ photoluminescence spectra in erbium-stabilized nanocrystalline zirconia structures

Peculiarities of the near-infrared and visible up-conversion spectra of nanocrystalline (Er2O3)x (ZrO2)1-x have been studied. It is shown that for the samples with 0.026 < x < 0.143 the photoluminescence spectra of Er3+ are defined a by similar erbium environment in spite of the different symmetry of the host ZrO2 matrix. The low temperature and room temperature emission bands in the spectral range of the 4I13/2 → 4I15/2 transition are measured and interpreted in terms of the multi-electron molecular orbitals cluster model developed for the case of nanocrystal structures. The role of the intra-manifold 4I13/2 relaxatio

Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates

The comparative analysis of optical characteristics inherent to TiO2/SiC and TiO2/por-SiC/SiC structures has been performed. It has been shown that, in these structures regardless of the substrate structure, formation of TiO2 layers with approximately the same width 60 nm takes place. In this case the TiO2 film composition is close to the stoichiometric one. At the same time, the presence of an additional porous layer in the TiO2/por-SiC/SiC structure leads to blurring the oxide film – substrate interface but promotes an increase in the intensity of the Raman scattering signal from the oxide film

Luminescent properties of fine-dispersed ZnS:Cu prepared using self-propagating high-temperature synthesis

Fine-dispersed ZnS doped with Cu was prepared using self-propagating hightemperature synthesis. In the photoluminescence excitation spectra, the blue shift of the host lattice excitation peak is observed for powder ZnS:Cu that contains nano- and mesosized (submicron) particles. The obtained spectra indicate that radiative recombination in meso-sized particles is significantly reduced as compared to micro-sized particles, which can be caused by the increase of non-radiative relaxation processes in surface states

Influence of the presence of a fluxing agent and its composition on the spectral characteristics of ZnS(Cu) obtained by self-propagating high-temperature synthesis

Investigated in this work were the photoluminescence spectra and luminescence excitation spectra of powered ZnS:Cu, obtained using the method of selfpropagating high-temperature synthesis (SHS) with addition of NaCl and MgCl₂ as a fluxing agent into the charge and without them. It was shown that increasing the amount of fraction with the particle sizes ≤5 nm in powdered ZnS:Cu-SHS, where fluxing agents are present in the charge, is caused by the decrease in temperature inside the reactor in the course of the synthesis reaction. Besides, related increasing the intensity of the PL blue band with λmax ~ 450…465 nm in powdered ZnS:Cu-SHS/MgCl₂, which is associated with redistribution of the copper impurity in the bulk of microcrystals, probably, occurring as a result of increasing the partial pressure of Cl during synthesis

Electroluminescence powdered ZnS:Cu obtained by one-stage synthesis

Photo- and electroluminescence properties of ZnS obtained using selfpropagating high-temperature synthesis and doped with Cu were studied in this work. It has been shown that high-temperature one-stage synthesis enables to obtain two-phase system ZnS-Cu₂₋xS with the maximum radiation 515 nm for photo- and electroluminescence. Since the synthesis process is non-equilibrium, impurities distribute nonuniformly in the bulk of microcrystals. Additional annealing and introducing the Ga coactivator lead to more non-uniform distribution of impurities in the bulk of microcrystals. It causes the increase in the intensity of the blue band in photoluminescence spectra and shift of the maximum of electroluminescence toward longer wavelengths. It is probable that this increase in the intensity of the blue band in photoluminescence spectra is caused by formation of the radiative centers Cui₋CuZn

Interface features of SiO₂/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO₂ thin films

In this work, we studied comparative characteristics of the SiO₂/SiC heterostructures. The following two techniques were used for SiO₂ formation: thermal oxidation in water vapor (i) and oxidation in solution (ii). According to experimental results obtained from optical absorption and photoluminescence spectra as well as from measurements of internal mechanical stresses, one can conclude that the thin SiO₂ films prepared using the technique (ii) possess SiO₂/SiC interface with a less number of defective states than that for SiO₂ films prepared using the technique (i)