The role of ITO resistivity on current spreading and leakage in InGaN/GaN light emitting diodes

The effect of a transparent ITO current spreading layer on electrical and light output properties of blue InGaN/GaN light emitting diodes (LEDs) is discussed. When finite conductivity of ITO is taken into account, unlike in previous models, the topology of LED die and contacts are shown to significantly affect current spreading and light output characteristics in top emitting devices. We propose an approach for calculating the current transfer length describing current spreading. We show that an inter-digitated electrode configuration with distance between the contact pad and the edge of p-n junction equal to transfer length in the current spreading ITO layer allows one to increase the optical area of LED chip, as compared to the physical area of the die, light output power, and therefore, the LED efficiency for a given current density. A detailed study of unpassivated LEDs also shows that current transfer lengths longer than the distance between the contact pad and the edge of p-n junction leads to increasing surface leakage that can only be remedied with proper passivation. © 2017 Elsevier Lt

The Infrared And Raman-Spectra Of 4-Phenylpyridine And Its Hofmann Type Complexes

The Infrared and Raman spectra of 4-Phenylpyridine are reported for the first time in the 4000-400cm-1 range. Vibrational assignments have been made for fundamental modes on the basis of frequency shifts of coordinated ligand, infrared and Raman band contours and comparison with the assignments for related molecules. The infrared spectra of M (4-Phenylpyridine) Ni(CN)4 complexes (M=Mn, Ni or Cd) are reported. Their structure consists of polymeric layers of [M-Ni(CN)4]infinity with the 4-phenylpyridine molecules bound to metal (M), similar to the structure found in Hofmann type host complexes.Wo

Characterization of the production processes and developing of fundamental knowledge on semiconductor nanocrystal based materials

TÜBİTAK MAG01.10.2010Italya ve Türkiye Dışişleri Bakanlığı arasında yapılan anlaşma çerçevesinde oluşturulan proje programı ile desteklenen bu projede aşağıda belirtilen konular araştırılımış ve sonuçlar elde edilmiştir. Projede eş-saçtırma yöntemi Si, Ge ve SiGe nanokristallerin SiO2 matris içinde üretilmiştir. Üretilen nanokristaller çeşitli tanı ve analiz teknikleri (Fotolüminesans,TRPL, Raman, FTIR, XPS, I-V ölçümleri) ile incelenmiş ve üretim süreçlerine geri besleme sağlanmıştır. Böylece üretim süreçlerinin optimizasyonu ve bir metodoloji (know-how) oluşturulmuştur. Optik özellikleriyle ilgili Si nanokristallerin oda sıcaklığı, sıcaklık bağımlı fotolüminesansı ve zaman çözümlü fotolüminesansı incelenmiştir. Ayrıca, terbium (Tb) katkılanmış Si nanokristallerin optik özellikleri incelenmistir. Ge-zengin SiGe nanokristallerin yüksek sıcaklıklarda fırınlandığında çekirdek-kabuk yapısının oluşumu gözemlenmiştir. Optiksel özelliklerine gelince fırınlama sıcaklığı, fırınlma süresinin, ve Ge yoğunluğunun etken parametreler olduğu tesbit edilmiştir. Ayrıca, terbium (Tb) içermiyen ve içeren Si nanokristallerden MOS-LED aygıtlar üretilip, incelenmiştir. Si nanokristal içeren yarıiletken dalga kılavuzlarının modellenmesi, üretimi ve karakterizasyonu projede incelenen diger önemli konularıdır. Tanı ve analiz sonuçları, aygıt uygulamalarında kullanılan malzemelerin seçimi için gerekli altyapıyı oluşturulmuştur. Projenin son aşamasında elektronik ve optik açıdan en iyi özelliklere sahip nanokristalleri içeren örneklerin kullanıldığı LED’ ler üretilip bu aygıtların elektronik uygulamalar açısından özellikleri incelenmiştir. Proje başlangıçta önerilen hedeflere büyük ölçüde ulaşılmıştır. Elde edilen sonuçlar yayın ve bildiri olarak yayınlanmış ya da yayınlanmak üzere hazırlanmıştır. Projenin amaçlarından bir tanesi de Türk-İtalyan işbirliğini artırmak ve yeni projeler oluşturmaktır. Bu işbirliğinin bir sonucu olarak 8-10 Aralık 201o tarihinde İstanbul’da büyük bir çalıştay düzenlenmektedir. Ayrıca Italyan cnr ile birlikte bir fp7 projesi hazırlanmaktadır