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    Preface

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    Développement des contraintes lors de la réaction entre un film mince de métal et un substrat de Si : application aux systèmes Pd/Si(001) et Pd/Si(111)

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    Dans ce travail de thèse nous nous sommes attaché à analyser en détail les contraintes générées lors de la formation de Pd2Si par réaction entre un film de Pd et un substrat monocristallin de Si orienté (001) ou (111). Les mesures de courbure et diffraction des rayons X in-situ montrent que la contrainte dans PdzSi est compressive pour les deux orientations Si(001) et Si(lll), alors que la contrainte d'épitaxie dans le cas de Pd3Si/Si(111) laisse prévoir une contrainte de tension (misfit +1,8%). La comparaison de ces deux orientations s'avère intéressante puisque la microstructure de la couche finale Pd2Si varie beaucoup avec l'orientation du substrat. La croissance de PdzSi n'est pas épitaxiée sur Si(OO1) (texture de fibre avec une mosaïcité de l'ordre 17) et épitaxiée sur Si(111) mosaïcité de l'ordre de 1,8). Ces microstructures très contrastées se reflètent dans l'évolution des contraintes. En particulier on constate une différence très marquée de cinétique de relaxation des contraintes ; pas ou peu de relaxation sur Si(111), relaxation importante sur Si (001). Des mesures complémentaires de DRXqui ont été réalisées à l'ESRF sur des substrats de Si(001) montrent un élargissement des raies asymétrique 22.1 du Pd2Si. Ces résultats confirment la présence d'un fort gradient de contrainte dans le siliciure. L'ensemble des résultats expérimentaux ont été comparés qualitativement avec le modèle de Zhang-d'Heurle.AIX-MARSEILLE3-BU Sc.St Jérô (130552102) / SudocSudocFranceF
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