239 research outputs found

    回归伦理世界的政治

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    古典政治建立在人性向善的目的论基础上,以探究德性为主题,强调人的价值和意义只有进入城邦过政治生活才能完全体现出来,从而实现了政治与伦理的有机结合。现代性政治强调工具理性而撇开伦理维度,以权力为核心范畴,对程序正义的偏爱甚于实质正义(德性),试图在程序正义的框架内寻求社会秩序的正当性与合法性根据,因而忽视了政治的价值理性,导致了政治生活的非伦理化。现代社会应当把政治参与视为人们一种现实生活样式,政治实践的目的在于更好地提升人的生存意义,在其现实性上也是推进民主政治、促进社会和谐发展的重要条件

    试析尼采对德勒兹后现代思想形成的影响

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    尼采对现代西方哲学、后现代哲学和许多后现代主义理论家产生了深远的影响。尼采对德勒兹的后现代思想具有决定性影响,主要体现在批判精神、后现代认识论、差异理论、欲望理论、游牧思想等方面。正是借助尼采,德勒兹建立了独特的后现代理论,并将其运用到批判资本主义与现代性中来,获得了巨大的成功

    基于CISC/RISC混合架构的嵌入式MCU设计

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    CISC与R ISC是目前微控制器(MCU)设计的两种主要指令体系。从MCU的架构原理入手分析基于这两种指令体系的MCU的各自功能特点,说明对于不同应用系统所需的嵌入式MCU设计所要考虑的基本问题及关键模块的设计方法。最后,以一款自主设计的八位MCU与CISC型微控制器MCS-51、R ISC型微控制器PIC16C54的性能作比较,说明基于CISC/R ISC混合架构的MCU的一些性能优势

    马克思思想与德勒兹后马克思主义理论

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    马克思对德勒兹后马克思主义理论有着重要影响。德勒兹一方面承续了马克思的批判精神、理论、观点、概念与方法,另一方面也解构了马克思的社会矛盾论、阶级学说等理论,并建构了自己的理论。德勒兹的承续、批判与建构为激进理论与政治策略提供了新视角,但其将普救使命赋予资产阶级,这具有保守性;将希望寄托在精神分裂者、块茎、游牧民等后现代主体身上,其理想具有空想性

    基于RF MEMS开关的移相器设计

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    传统电子移相器由于损耗问题难以向更高频率发展,射频微机电系统(RF MEMS)技术的出现使其得以替代半导体开关来设计更高频率的移相器.利用具有优异RF性能的串联电阻式RFMEMS开关来进行开关线式移相器设计,通过开关切换不同的信号延迟通路,以实现从0°-180°步进22.5°的相移功能.仿真结果表明,该移相器在5.8 GHz时,插入损耗在-0.3--0.7 dB变化,输入回损低于-20 dB,相移功能正确

    嵌入式C编译器测试用例生成工具的设计

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    首先提出了一种嵌入式编译器测试验证方法,即基于串口传输的变量值验证法,在此基础上设计了一款针对嵌入式C编译器测试的测试用例生成工具ECPAG。该工具根据嵌入式C语法,采用随机算法产生符合规则的任意语法组合,采用概率算法限定各语法要素的生成概率,成功地将基于深度优先搜索的有向图拓扑排序方法应用于函数随机调用中的递归问题的解决。工程应用表明:该自动化工具生成的测试用例集合能够较好地覆盖嵌入式C语法,达到75%以上的块测试覆盖率

    基于EFAB工艺的可植入RFID天线设计

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    可植入RFID目前已被广泛应用于动物识别和生物医学应用等领域,为了保证RFID在植入体内后避免引起动物或人体的不适,小尺寸和高灵敏度是可植入RFID设计的基本要求.首先说明可植入RFID天线设计的基本参数要求,然后介绍一种标准的MEMS工艺——EFAB工艺,并利用该工艺标准的设计规则进行可植入RFID天线的结构设计,最后通过仿真验证该线圈天线符合可植入RFID的工作要求

    上市公司并购重组热下的冷思考

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    随着我国加入WTO以及一系列新证券法律的出台,外资并购曙光乍现,内资重组新潮涌动,上市公司的并购重组再度点燃了人们的希望之火。在如此热度之下,充分认识投资者保护所遭遇的挑战、认真研究外资并购中所存在的问题,以及正确理解并购重组的价值意义,对监管者和投资者都是一支适时的清醒剂

    RF-MEMS器件及其关键工艺技术

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    综合介绍目前无线通讯产品中使用的各种类型RF-MEMS器件,统一说明RF-MEMS器件的基本工作原理,并分析RF-MEMS器件加工的关键工艺技术及设计制作时应注意的问题

    基于STI工艺的高压LDMOS器件设计与优化

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    在LDMOS功率器件设计中可以引入STI工艺替代LOCOS工艺来进一步抑制表面电荷效应,以提高LDOMS功率器件的耐压强度及降低比导通电阻。本文将介绍STI工艺的优势和LDMOS器件设计原理,并在TSMC 0.6μm BCD工艺为基础上增加STI工艺流程来设计一款适用于汽车电子应用的40V LDMOS器件。通过ATHENA(工艺模拟)和ATLAS(器件仿真)仿真实验与器件参数提取,表明采用STI工艺的LDMOS器件比采用LOCOS工艺的LDMOS器件在耐压漂移区长度比方面提高了23.40%,且比导通电阻降低了66.12%
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