基于ARM11的精简BootLoader的设计

嵌入式系统一般有三个部分构成:系统引导加载程序、嵌入式操作系统内核以及根文件系统。由于嵌入式系统引导加载程序严重依赖于CPu体系结构和嵌入式板级设备的配置,所以没有一个通用的嵌入式引导加载程序。嵌入式系统引导加载程序一般分为二个阶段,第一阶段主要是和CPu体系结构相关的代码,第二阶段和板级硬件配置相关代码。本文基于ArM体系结构的硬件平台主要分析引导加载程序第一阶段,进而研究引导加载程序的实质

Building of Embedded System and WiFi Porting Based on Android

随着科技的不断发展，嵌入式技术在社会的各个领域的应用越来越广泛，尤其是在消费类电子产品中，比如智能手机、平板电脑，甚至传统的电视机领域等等，嵌入式系统的应用几乎无处不在。那么如何根据自己的需求，构建一个嵌入式系统就成了一个迫切的问题。一般来说，嵌入式系统的整体性能远不及桌面电脑，所以嵌入式系统的开发是基于桌面电脑系统上进行开发的。而嵌入式系统设备的处理器架构体系和桌面系统的通常是不相同的，那么要想在桌面电脑系统上进行嵌入式系统的开发首先就要解决交叉编译的问题。嵌入式系统一般由三大部分组成，这三大组成部分分别是嵌入式系统加载程序Bootloader、嵌入式根文件系统和嵌入式系统内核。 本文重点...As the consistent development of science and technology, embedded technology in all life areas is used more and more widely, especially in the consumer electronics products, such as smart phones, tablet PCs, and even the traditional field of television sets and so on. Then how to build an embedded system according to our needs has become a pressing issue. Generally speaking, compared to desktop co...学位：工学硕士院系专业：物理与机电工程学院机电工程系_精密仪器及机械学号：1992008115295

热态烟气循环流化床半干法脱硫小试试验研究

我国是燃煤大国,长期以来,煤炭在中国一次能源生产和消费结构的比例都在70%左右。煤炭的大量消费造成了SO2的大量排放,据统计,我国排放的SO2中90%来自燃煤。烟气SO2的减排成为环境污染控制的重点,而烟气脱硫工艺相应的成为研究热点。现阶段国内脱硫工艺有十多种,其中采用循环流化床技术的脱硫工艺主要有干法、半干法、湿法。而循环流化床半干法烟气脱硫是一种新型的脱硫技术,由于其具有工艺流程简单、能耗小、运行费用少、占地面积小、脱硫产物呈干态,便于处理等优点,已在国内烟气脱

基于视频中日常行为分析的心理生态化感知技术研究

我们的日常生活已经和网络有深度的融合,在国内像抖音、快手这样的短视频平台包含着用户丰富的多模态行为数据,比如视频中的面部、肢体动作和语音,这些数据可以被远程、生态化、长期纵向的捕捉和记录,构成庞大复杂的网络数据空间。已有大量研究提出了心理指标和行为线索之间的相关性,我们在前人研究的基础上,通过计算机手段获取和量化视频中个体面部和步态行为的变化,利用数据挖掘技术将行为线索和心理指标间的映射关系进行科学的数字量化,从而实现基于行为分析的心理生态化感知模型,实现对人格、情绪及心理健康指标的有效识别,给心理学研究应用带来巨大的影响,同时对人工智能领域的发展起到重大的推动作用。</p

航空煤油热物理特性实验研究

针对广泛应用于飞机发动机的碳氢燃料，开展了-10℃～40℃温度区间内的热物理特性参数实验研究。以某检定中心提供的航空煤油作为样品，测试了其在不同温度下的密度、黏度、压缩系数和膨胀系数。研究结果显示，航空煤油黏度和压缩系数与温度呈正相关，而密度与温度呈负相关，并且随着温度的增大，航空煤油膨胀系数表现为先减小后增大的趋势。在此基础上，结合标准温度下各参数的测量结果提出了密度、黏度、压缩系数和膨胀系数随温度变化的数学预测模型。研究对于航空煤油密度、黏温关系的预测误差在10%以内，而膨胀系数预测模型有待进一步完善

循环流化床脱硫反应器流场特性实验研究

在&phi;250 mm&times;9000 mm循环流化床实验装置上,研究了循环流化床的压力和颗粒浓度在不同操作条件下的分布规律,并采用径向不均匀指数(RNI)对颗粒浓度径向分布的不均匀性沿轴向的变化进行了定量描述。试验结果表明,循环流化床中循环回路压力平衡曲线呈&quot;8&quot;字型分布,主床压差主要集中在文丘里段,与回料口在文丘里扩张段相比,文丘里压差所占比例有所减小,文丘里压差在相似操作条件下的变化与主床一致。循环流化床床内颗粒浓度随固体颗粒循环流率的增大或表观气速的减小而增大,径向颗粒浓度呈典型的&quot;中心稀边壁浓&quot;的环-核结构,循环流化床径向平均浓度随着提升管高度的增加先减小后增大,截面平均颗粒浓度沿轴向呈&quot;C&quot;型分布。固体颗粒浓度径向分布的不均匀性沿轴向先增大后减小,并与截面平均颗粒浓度存在很强的关联性

Growth of Thick Ge Epitaxial Layers with Low Dislocation Density on Silicon Substrate by UHV/CVD

采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si(001)衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结果表明在Si基上生长的约550nm厚的Ge外延层,表面粗糙度小于1nm,XRD双晶衍射曲线和Ra-man谱Ge-Ge模半高宽分别为530″和5.5cm-1,具有良好的结晶质量.位错腐蚀结果显示线位错密度小于5×105cm-2.可用于制备Si基长波长集成光电探测器和Si基高速电子器件.Thick Ge epitaxial layers are grown on Si(001) substrates with low temperature buffer layers with ultra-high vacuum chemical vapor deposition systems using Si2H6 and GeH4 as precursors.The deposition process of the Ge layer on Si is investigated in real time by reflection high-energy electron diffraction,and the quality of the Ge layer was evaluated by atomic force microscopy,double crystal X-ray diffraction(XRD),and Raman measurement.The root-mean-square surface roughness of the Ge epilayer with a thickness of 550nm is less than 1nm and the full-width-at-half maximum of the Ge peak of the XRD profile and the Ge-Ge mode of the Raman spectra are about 530″ and 5.5cm-1,respectively.These measurements indicate that the Ge epitaxial layer is of good quality.The etch pit density related to threading dislocations is less than 5×105cm-2.This is a promising material for Si-based long wavelength photodetectors and electronic devices国家自然科学基金(批准号:60676027,50672079,60336010);; 福建省重点科技项目(批准号:2006H0036);; 教育部回国留学人员启动基金资助项目~

UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层

采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si_2H_6和GeH_4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si（001）衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结果表明在Si基上生长的约550nm厚的Ge外延层,表面粗糙度小于1nm,XRD双晶衍射曲线和Ra-man谱Ge-Ge模半高宽分别为530″和5.5cm~(-1),具有良好的结晶质量.位错腐蚀结果显示线位错密度小于5×105cm~(-2).可用于制备Si基长波长集成光电探测器和Si基高速电子器件