Feasible Analysis on the Stock Repurchase of MX Company

股份回购是成熟资本市场上重要的金融工具，是国外公司经常使用的资本运营手段和经营策略，其具有替代股利分配、反收购、改善股权结构，实现股东财富最大化等各项功能。中国证券市场尚处发展阶段，股份回购起步较晚。从早期1992年的小豫园并入大豫园案到近期的电广传媒“以股抵债”等等股份回购的案例，基本上都是一种金融创新性质的探索与尝试，但其同样具有国外公司股份回购所具有的功能。本文对MX公司股份回购进行可行性分析，进而对我国股份回购的法律制度提出一些建议。本文的研究结构如下：第一章概括介绍股份回购的理论发展及目前资本市场上常见的股份回购的方式、股份回购的资金来源、股份回购的功能。第二章主要分析我国及世界玻璃...Stock repurchase is an important financial tool in mature capital market and is also a capital operation method and a kind of strategy often used by foreign companies. It has the function of replacing dividend allocation, anti-purchasing, improving stock construction and maximizing shareholder’s fortune. China’s securities business market is still in its growing stage, so the stock repurchase ...学位：工商管理硕士院系专业：管理学院工商管理教育中心_工商管理硕士(MBA)学号：X20011504

单晶6H-SiC经氦离子辐照及退火后的微观组织研究

在400℃下对单晶6H-SiC进行了400keV氦离子辐照,辐照剂量为1×1016He+/cm2,随后在1200和1500℃退火30min。采用透射电子显微镜和扫描电子显微镜对辐照态和退火态SiC进行微观结构观察与分析。结果表明,单晶6H-SiC在400℃经氦离子辐照后,仅观察到由辐照引起的位移损伤带,而未观察到明显尺寸的氦气泡。但经1200℃退火30min后,在辐照损伤区域形成了呈血小板状的气泡簇,其主要分布在（0001）晶面上,少量形成在（1120）晶面。辐照未在6H-SiC表面上形成明显尺寸的缺陷,而经1200℃退火30min后,SiC表面出现大尺寸的起泡和凹坑,进一步提高退火温度至1500℃时,表面起泡和形成凹坑更严重,并产生了大量裂纹。本研究同时对微观结构演化的机理进行了分析与讨论。中国工程物理研究院NPL,CAEP项目资助(2015AB001

甲烷氧化偶联CaF_2／Sm_2O_3催化剂的研究

甲烷氧化偶联ＣａＦ_２／Ｓｍ_２Ｏ_３催化剂的研究周水琴，龙瑞强，黄亚萍，万惠霖，蔡启瑞（厦门大学化学系，固体表面物理化学国家重点实验室，厦门，３６１００５）关键词甲烷氧化偶联，氟化钙，三氧化二钐，离子交换，氧物种甲烷氧化偶联制乙烯是催化领域中最活跃的?.

Oxidative Coupling of Methane Over CaF_2/Sm_2O_3 Catalysts

甲烷氧化偶联CAf_2/SM_2O_3催化剂的研究周水琴，龙瑞强，黄亚萍，万惠霖，蔡启瑞（厦门大学化学系，固体表面物理化学国家重点实验室，厦门，361005）关键词甲烷氧化偶联，氟化钙，三氧化二钐，离子交换，氧物种甲烷氧化偶联制乙烯是催化领域中最活跃的？..The results showed that,with the addition of CaF2 to Sm2O3,the catalytic properties For OCM were apparently improved.XRD analysis of the Fresh catalysts revealed the existence of Smof in 20%-80%CaF2/Sm2O3.XPS and IR spectra of O2-pre adsorbed CaF2/Sm2O3 samples taken at room temperature indicated the presence of O and Ospecies.O species could also be detected over 20%CaF2/Sm2O3 at 500℃ in situ IR spectroscopy,but it vanished over the Sm2O3 at the same temperature.国家自然科学基

GaAs基GaSb体材料及InAs/GaSb超晶格材料的MBE生长

采用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长GaSb体材料,以此GaSb为缓冲层生长了不同InAs厚度的InAs/GaSb超晶格,其10K光致发光谱峰值波长在2.0～2.6 μm.高分辨透射电子显微镜观察证实超晶格界面清晰,周期完整