MBE生长应变Si（1-x）Ge_x/Si MQW结构中Ge分布的计算

根据MBE实际生长条件，采用在应变Si_(1-x)Ge_x/Si MQW结构中同应变相关的Ge的扩散系数，用生长过程的移动边界条件，求解了Ge在Si_(1-x)Ge_x/Si MQW中的扩散方程，模拟出了MQW的畸变，指出了这种畸变具有固定的不对称性，并分析了不同生长温度、应变及阱宽情况下MQW畸变

图形衬底上应变SiGe/Si超晶格的结构及光致发光研究

该文研究了在Si的图形衬底上生长应变SiGe/SI超晶格的结构和其光致发光性质。图形衬底由光刻形成的类金字塔结构组成。发现在组成倒金字塔结构的(111)面的交界处有富Ge的SiGe量子线出现。对相同条件下图形衬底和平面衬底上的应变SiGe层的光致发光光谱进行了比较，图形衬底上总的发光强度相对提高了5.2倍。认为这种提高同富Ge的SiGe量子线的产生相关

（113）面硅衬底上自组织生长的GeSi量子点及其光荧光

用透射电子显微镜观察了Si(113)衬底上由固态源分子束外延生长的自组织量子点的形貌，测量了其原生及退火后低温下的荧光光谱。对所得结果进行了分析

不同温度下快速热退火对SiGe量子阱光致发光谱的影响

对GS-MBE生长的Si/SiGe/Si量子阱结构用快速热退火(RTA)方法进行处理，研究了其在低温下的光致发光(PL)特性。发现存在一个最佳退火温度范围，使得PL谱的发光得到改善。随着退火温度的继续提高，PL谱线发生兰移，发光强度下降。认为这种趋势是由内部缺陷和位错以及Si/SiGe/Si量子阱结构在退火过程中相应的变化所导致。辅助的缺陷显微观察证实了此结论

中红外硅微透镜阵列的离焦效应（英文）

采用严格数值算法对中红外硅微透镜阵列进行了模拟,该微透镜阵列特征尺寸小于波长工作波长.研究发现该微透镜阵列存在一个显著的离焦效应,其离焦量达到0.4左右,超出了现有的传统理论模型预测范围.对微透镜阵列进行了制作和焦距测试,发现测试结果跟数值模拟基本吻合.微纳衍射光学集成系统中透镜离焦量是系统集成非常重要的一个参数,该研究结果为硅微透镜阵列和中红外探测器光学集成提供有效参考.Supported by Special Project on the Integration of Industry；Education and Research of Aviation Industry Corporation of China(CXY2011XD24)

JUNO Sensitivity on Proton Decay p→νˉK+p\to \bar\nu K^+ Searches

The Jiangmen Underground Neutrino Observatory (JUNO) is a large liquid scintillator detector designed to explore many topics in fundamental physics. In this paper, the potential on searching for proton decay in $p\to \bar\nu K^+$ mode with JUNO is investigated.The kaon and its decay particles feature a clear three-fold coincidence signature that results in a high efficiency for identification. Moreover, the excellent energy resolution of JUNO permits to suppress the sizable background caused by other delayed signals. Based on these advantages, the detection efficiency for the proton decay via $p\to \bar\nu K^+$ is 36.9% with a background level of 0.2 events after 10 years of data taking. The estimated sensitivity based on 200 kton-years exposure is $9.6 \times 10^{33}$ years, competitive with the current best limits on the proton lifetime in this channel