Solid State Technology Branch of NASA Lewis Research Center

Reprints of one year's production of research publications (June 1990 to June 1991) are presented. These are organized into three major sections: microwave circuits, both hybrid and monolithic microwave integrated circuits (MMICs); materials and device work; and superconductivity. The included papers also cover more specific topics involving waveguides, phase array antennas, dielectrics, and high temperature superconductors

Solid State Technology Branch of NASA Lewis Research Center Second Annual Digest, June 1989 - June 1990

A collection of papers and presentations authored by the branch between June 1989 and June 1990 is presented. The papers are organized into four sections. Section 1 deals with research in microwave circuits and includes full integrated circuits, the demonstration of optical/RF interfaces, and the evaluation of some hybrid circuitry. Section 2 indicates developments in coplanar waveguides and their use in breadboard circuits. Section 3 addresses high temperature superconductivity and includes: thin film deposition, transport measurement of film characteristics, RF surface resistant measurements, substrate permittivity measurements, measurements of microstrip line characteristics at cryogenic temperatures, patterning of superconducting films, and evaluation of simple passive microstrip circuitry based on YBaCuO films. Section 4 deals with carbon films, silicon carbide, GaAs/AlGaAs, HgCdTe, and other materials

Aktive Frequenzvervielfacher zur Signalerzeugung im Millimeter- und Submillimeterwellen Frequenzbereich

In this work a new transistor topology for frequency multiplication is developed, achieving relative bandwidths of complex and balanced structures with only four transistors. It enables the highest bandwidth in active multiplication beyond 110 GHz. Cascading techniques are shown enabling a cascaded frequency multiplier by eight with a frequency range of 220 to 320 GHz. For the first time an active frequency multiplier by six reaches output frequencies up to 670 GHz

Aktive Frequenzvervielfacher zur Signalerzeugung im Millimeter- und Submillimeterwellen Frequenzbereich

Die in dieser Arbeit entwickelte Schaltungstopologie zur Frequenzvervielfachung erreicht Bandbreiten komplexer und balancierter Vervielfacher mit nur vier Transistoren. Als Einzelschaltung erreicht sie die höchsten relativen Bandbreiten aktiver Vervielfacher über 110 GHz. Weiter werden Kaskadierungstechniken gezeigt, die einen Verachtfacher mit einer Bandbreite von 220 bis 320 GHz ermöglichen. Erstmals erzeugt ein hier entwickelter aktiver Frequenzversechsfacher Frequenzen bis zu 670 GHz

Transistor- und Leitungsmodellierung zum Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den hohen Millimeterwellen-Frequenzbereich

Ziel ist der Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den Frequenzbereich von 200 bis über 250 GHz. Dafür sind verlässliche und flexible Leitungs- und Transistormodelle notwendig. Sie werden erstellt und ihre Genauigkeit wird bis 325 GHz bestätigt. Es wird ein Verstärkerkonzept erarbeitet, das maßgeschneidert für den Frequenzbereich und die MMIC-Technologie ist. Es nutzt einen neuartigen Koppler, der kompakte Verstärker mit hoher Bandbreite und Ausgangsleistung ermöglicht