A survey of emerging architectural techniques for improving cache energy consumption

The search goes on for another ground breaking phenomenon to reduce the ever-increasing disparity between the CPU performance and storage. There are encouraging breakthroughs in enhancing CPU performance through fabrication technologies and changes in chip designs but not as much luck has been struck with regards to the computer storage resulting in material negative system performance. A lot of research effort has been put on finding techniques that can improve the energy efficiency of cache architectures. This work is a survey of energy saving techniques which are grouped on whether they save the dynamic energy, leakage energy or both. Needless to mention, the aim of this work is to compile a quick reference guide of energy saving techniques from 2013 to 2016 for engineers, researchers and students

Gestión de jerarquías de memoria híbridas a nivel de sistema

Tesis inédita de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Informática, Departamento de Arquitectura de Computadoras y Automática y de Ku Leuven, Arenberg Doctoral School, Faculty of Engineering Science, leída el 11/05/2017.In electronics and computer science, the term ‘memory’ generally refers to devices that are used to store information that we use in various appliances ranging from our PCs to all hand-held devices, smart appliances etc. Primary/main memory is used for storage systems that function at a high speed (i.e. RAM). The primary memory is often associated with addressable semiconductor memory, i.e. integrated circuits consisting of silicon-based transistors, used for example as primary memory but also other purposes in computers and other digital electronic devices. The secondary/auxiliary memory, in comparison provides program and data storage that is slower to access but offers larger capacity. Examples include external hard drives, portable flash drives, CDs, and DVDs. These devices and media must be either plugged in or inserted into a computer in order to be accessed by the system. Since secondary storage technology is not always connected to the computer, it is commonly used for backing up data. The term storage is often used to describe secondary memory. Secondary memory stores a large amount of data at lesser cost per byte than primary memory; this makes secondary storage about two orders of magnitude less expensive than primary storage. There are two main types of semiconductor memory: volatile and nonvolatile. Examples of non-volatile memory are ‘Flash’ memory (sometimes used as secondary, sometimes primary computer memory) and ROM/PROM/EPROM/EEPROM memory (used for firmware such as boot programs). Examples of volatile memory are primary memory (typically dynamic RAM, DRAM), and fast CPU cache memory (typically static RAM, SRAM, which is fast but energy-consuming and offer lower memory capacity per are a unit than DRAM). Non-volatile memory technologies in Si-based electronics date back to the 1990s. Flash memory is widely used in consumer electronic products such as cellphones and music players and NAND Flash-based solid-state disks (SSDs) are increasingly displacing hard disk drives as the primary storage device in laptops, desktops, and even data centers. The integration limit of Flash memories is approaching, and many new types of memory to replace conventional Flash memories have been proposed. The rapid increase of leakage currents in Silicon CMOS transistors with scaling poses a big challenge for the integration of SRAM memories. There is also the case of susceptibility to read/write failure with low power schemes. As a result of this, over the past decade, there has been an extensive pooling of time, resources and effort towards developing emerging memory technologies like Resistive RAM (ReRAM/RRAM), STT-MRAM, Domain Wall Memory and Phase Change Memory(PRAM). Emerging non-volatile memory technologies promise new memories to store more data at less cost than the expensive-to build silicon chips used by popular consumer gadgets including digital cameras, cell phones and portable music players. These new memory technologies combine the speed of static random-access memory (SRAM), the density of dynamic random-access memory (DRAM), and the non-volatility of Flash memory and so become very attractive as another possibility for future memory hierarchies. The research and information on these Non-Volatile Memory (NVM) technologies has matured over the last decade. These NVMs are now being explored thoroughly nowadays as viable replacements for conventional SRAM based memories even for the higher levels of the memory hierarchy. Many other new classes of emerging memory technologies such as transparent and plastic, three-dimensional(3-D), and quantum dot memory technologies have also gained tremendous popularity in recent years...En el campo de la informática, el término ‘memoria’ se refiere generalmente a dispositivos que son usados para almacenar información que posteriormente será usada en diversos dispositivos, desde computadoras personales (PC), móviles, dispositivos inteligentes, etc. La memoria principal del sistema se utiliza para almacenar los datos e instrucciones de los procesos que se encuentre en ejecución, por lo que se requiere que funcionen a alta velocidad (por ejemplo, DRAM). La memoria principal está implementada habitualmente mediante memorias semiconductoras direccionables, siendo DRAM y SRAM los principales exponentes. Por otro lado, la memoria auxiliar o secundaria proporciona almacenaje(para ficheros, por ejemplo); es más lenta pero ofrece una mayor capacidad. Ejemplos típicos de memoria secundaria son discos duros, memorias flash portables, CDs y DVDs. Debido a que estos dispositivos no necesitan estar conectados a la computadora de forma permanente, son muy utilizados para almacenar copias de seguridad. La memoria secundaria almacena una gran cantidad de datos aun coste menor por bit que la memoria principal, siendo habitualmente dos órdenes de magnitud más barata que la memoria primaria. Existen dos tipos de memorias de tipo semiconductor: volátiles y no volátiles. Ejemplos de memorias no volátiles son las memorias Flash (algunas veces usadas como memoria secundaria y otras veces como memoria principal) y memorias ROM/PROM/EPROM/EEPROM (usadas para firmware como programas de arranque). Ejemplos de memoria volátil son las memorias DRAM (RAM dinámica), actualmente la opción predominante a la hora de implementar la memoria principal, y las memorias SRAM (RAM estática) más rápida y costosa, utilizada para los diferentes niveles de cache. Las tecnologías de memorias no volátiles basadas en electrónica de silicio se remontan a la década de1990. Una variante de memoria de almacenaje por carga denominada como memoria Flash es mundialmente usada en productos electrónicos de consumo como telefonía móvil y reproductores de música mientras NAND Flash solid state disks(SSDs) están progresivamente desplazando a los dispositivos de disco duro como principal unidad de almacenamiento en computadoras portátiles, de escritorio e incluso en centros de datos. En la actualidad, hay varios factores que amenazan la actual predominancia de memorias semiconductoras basadas en cargas (capacitivas). Por un lado, se está alcanzando el límite de integración de las memorias Flash, lo que compromete su escalado en el medio plazo. Por otra parte, el fuerte incremento de las corrientes de fuga de los transistores de silicio CMOS actuales, supone un enorme desafío para la integración de memorias SRAM. Asimismo, estas memorias son cada vez más susceptibles a fallos de lectura/escritura en diseños de bajo consumo. Como resultado de estos problemas, que se agravan con cada nueva generación tecnológica, en los últimos años se han intensificado los esfuerzos para desarrollar nuevas tecnologías que reemplacen o al menos complementen a las actuales. Los transistores de efecto campo eléctrico ferroso (FeFET en sus siglas en inglés) se consideran una de las alternativas más prometedores para sustituir tanto a Flash (por su mayor densidad) como a DRAM (por su mayor velocidad), pero aún está en una fase muy inicial de su desarrollo. Hay otras tecnologías algo más maduras, en el ámbito de las memorias RAM resistivas, entre las que cabe destacar ReRAM (o RRAM), STT-RAM, Domain Wall Memory y Phase Change Memory (PRAM)...Depto. de Arquitectura de Computadores y AutomáticaFac. de InformáticaTRUEunpu

Embedded electronic systems driven by run-time reconfigurable hardware

Abstract This doctoral thesis addresses the design of embedded electronic systems based on run-time reconfigurable hardware technology –available through SRAM-based FPGA/SoC devices– aimed at contributing to enhance the life quality of the human beings. This work does research on the conception of the system architecture and the reconfiguration engine that provides to the FPGA the capability of dynamic partial reconfiguration in order to synthesize, by means of hardware/software co-design, a given application partitioned in processing tasks which are multiplexed in time and space, optimizing thus its physical implementation –silicon area, processing time, complexity, flexibility, functional density, cost and power consumption– in comparison with other alternatives based on static hardware (MCU, DSP, GPU, ASSP, ASIC, etc.). The design flow of such technology is evaluated through the prototyping of several engineering applications (control systems, mathematical coprocessors, complex image processors, etc.), showing a high enough level of maturity for its exploitation in the industry.Resumen Esta tesis doctoral abarca el diseño de sistemas electrónicos embebidos basados en tecnología hardware dinámicamente reconfigurable –disponible a través de dispositivos lógicos programables SRAM FPGA/SoC– que contribuyan a la mejora de la calidad de vida de la sociedad. Se investiga la arquitectura del sistema y del motor de reconfiguración que proporcione a la FPGA la capacidad de reconfiguración dinámica parcial de sus recursos programables, con objeto de sintetizar, mediante codiseño hardware/software, una determinada aplicación particionada en tareas multiplexadas en tiempo y en espacio, optimizando así su implementación física –área de silicio, tiempo de procesado, complejidad, flexibilidad, densidad funcional, coste y potencia disipada– comparada con otras alternativas basadas en hardware estático (MCU, DSP, GPU, ASSP, ASIC, etc.). Se evalúa el flujo de diseño de dicha tecnología a través del prototipado de varias aplicaciones de ingeniería (sistemas de control, coprocesadores aritméticos, procesadores de imagen, etc.), evidenciando un nivel de madurez viable ya para su explotación en la industria.Resum Aquesta tesi doctoral està orientada al disseny de sistemes electrònics empotrats basats en tecnologia hardware dinàmicament reconfigurable –disponible mitjançant dispositius lògics programables SRAM FPGA/SoC– que contribueixin a la millora de la qualitat de vida de la societat. S’investiga l’arquitectura del sistema i del motor de reconfiguració que proporcioni a la FPGA la capacitat de reconfiguració dinàmica parcial dels seus recursos programables, amb l’objectiu de sintetitzar, mitjançant codisseny hardware/software, una determinada aplicació particionada en tasques multiplexades en temps i en espai, optimizant així la seva implementació física –àrea de silici, temps de processat, complexitat, flexibilitat, densitat funcional, cost i potència dissipada– comparada amb altres alternatives basades en hardware estàtic (MCU, DSP, GPU, ASSP, ASIC, etc.). S’evalúa el fluxe de disseny d’aquesta tecnologia a través del prototipat de varies aplicacions d’enginyeria (sistemes de control, coprocessadors aritmètics, processadors d’imatge, etc.), demostrant un nivell de maduresa viable ja per a la seva explotació a la indústria