Исследование процессов модуляции базовой области кремниевой p⁺р-n⁺-структуры

Проведены исследования зависимости емкости кремниевых p⁺р-n⁺-структур от запирающего напряжения. Экспериментально показано, что в двухсторонне-диффузионных структурах вольтемкостные характеристики подчиняются кубическому закону за счет линейного распределения примесей в базовой области, при этом приращения емкости от запирающего напряжения имеют постоянную величину. В диффузионно-эпитаксиальных структурах наблюдается резкое снижение емкости в интервале напряжений от 0 до 5 вольт, что четко проявляется в зависимости динамической емкости от запирающего напряжения. Наблюдаемые зависимости объясняются равномерной модуляцией базовой области в двухсторонне-диффузионной структуре и сильной модуляцией базы в диффузионно-эпитаксиальной структуре за счет образования p⁺p⁰-n⁺- и p⁺p⁰-i-n⁺ -структур в технологических процессах получения р-n-перехода.Проведено дослідження залежності ємності кремнієвих p⁺р-n⁺-структур від замикаючої напруги. Експериментально показано, що у двосторонньо-дифузійних структурах вольтємнісні характеристики відповідають кубічному закону за рахунок лінійного розподілу домішок у базовій області, при цьому прирощення ємності від замикаючої напруги мають постійну величину. У дифузійно-епітаксиальних структурах спостерігається різке зниження ємності в інтервалі напруг від 0 до 5 вольтів, що чітко проявляється в залежності динамічної ємності від замикаючої напруги. Залежності, які спостерігаються поясненюються рівномірною модуляцією базової області у двосторонньо-дифузійній структурі та сильній модуляції бази в дифузійно-епітаксиальній структуріза рахунок утворення p⁺p⁰-n⁺ - і p⁺p⁰-i-n⁺ -структур у технологічних процесах одержання р-n-переходу.The research of depends of p⁺р-n⁺ -silicon structures volume on locked voltage. Experimentally shown that in two-way-diffusion structures volt-ampere characteristics accept to cubic law by linear distribution of impurities in the base. The increments of capacity from locked voltage are constant. In the diffusionepitaxial structures a sharp decline in the capacity range of voltages from 0 to 5 volts, which is clearly manifested in the dependence of the dynamic capacity of the locked voltage. The observed depends are explained by the uniform modulation of the base region in a two-sided-diffusion structure and strong modulation of the base in the diffusion-epitaxial structure by forming p⁺p⁰-n⁺ - and p⁺p⁰-i-n - structures in technological processes of p-n-junction

Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников

В работе экспериментально исследованы влияния межзеренных границ (МЗГ) на дрейф носителей заряда в объеме поликристаллического кремния (ПК) и р-n-структур на их основе. Предложена модель р-n-перехода в области МЗГ ПК р-n-структур. Предложенные метод и модель р-n-перехода в МЗГ. Полученные результаты представляют существенный интерес при исследованиях поликристаллических полупроводниковых р-n-структур.У роботі експериментально досліджені впливи міжзернових границь (МЗГ) на дрейф носіїв заряду в об’ємі полікристалічного кремнію (ПК) і р-n-структур на їхній основі. Запропоновано модель р-n-переходу в області МЗГ ПК р-n-структур. Запропоновані метод і модель р-n-переходу в МЗГ. Отримані результати становлять істотний інтерес при дослідженнях полікристалічних напівпровідникових р-n-структур.We experimentally investigated the influence of inter-grain boundaries on the drift of charge carriers in the volume of polycrystalline silicon (PC) and p-n-structures based on them. A model of p-njunction in IGBs PC p-n-structures. The proposed method and model p-n-junction in the intergrain boundaries, and the results represent a significant interest in studies of polycrystalline semiconductor p-n-structures

Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур

В работе описаны результаты разработки нового неразрушающего метода измерения глубины залегания р-n-перехода в структурах, предназначенных для изготовления фотоэлектрических приборов. Предложенный метод позволяет использовать более простые технические средства, по сравнению с традиционными методами, исключает громоздкие математические вычисления, сокращает длительность и упрощает процесс измерения.У роботі описані результати розробки нового неруйнівного методу виміру глибини залягання р-n-переходу в структурах, призначених для виготовлення фотоелектричних приладів. Запропонований метод дозволяє використовувати більш прості технічні засоби, у порівнянні із традиційними методами, виключає громіздкі математичні обчислення, скорочує тривалість і спрощує процес виміру.This paper describes the results of a new nondestructive method for measuring the depth of the p-njunction in the structures for the manufacture of photovoltaic devices. The proposed method allows the use of simple technical means, as compared with traditional methods, eliminates the cumbersome mathematical calculations, shortens and simplifies the process of measurement

Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения

Проведены исследования функциональных характеристик полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах и схемах включения. Экспериментально установлено, что максимальные значения токов стока при соединении двух транзисторов от интенсивности излучения изменяются по квадратичному закону, а фоточувствительность становится больше по сравнению с дискретной структурой. При этом максимальные значения токов стока соответствующие световым токам дискретных транзисторов от прямосмещающего напряжения изменяются по квадратичному закону и являются продолжением темновой передаточной характеристики, что делает возможным их использование в качестве фотоприемников в электронных схемах. В последовательно соединенных полевых транзисторах модулируемый переход, как и в двухбарьерных структурах, управляет параметрами второго перехода за счет перераспределения напряжения приложенного от внешнего источника питания.Проведено дослідження функціональних характеристик польового транзистора з керуючим р-n-переходом при різних режимах і схемах включення. Експериментально встановлено, що максимальні значення струмів стоку при сполуці двох транзисторів від інтенсивності випромінювання змінюються за квадратичним законом, а фоточутливість стає більшою в порівнянні, с дискретною структурою. При цьому максимальнізначення струмів стоку відповідним світловим струмам дискретних транзисторів від прямозміщеної напруги змінюються за квадратичним законом і є продовженням темнової передатної характеристики, що уможливлює їхнє використання як фотоприймачів у електронних схемах. У послідовно з’єднаних польових транзисторах моделюючий перехід, як і у двохбар’єрних структурах, управляє параметрами другого переходу за рахунок перерозподілу напруги прикладеного від зовнішнього джерела живлення.The functional characteristics of junction field-effect transistor were researched at different bias polarities and schemes of inclusion. It was established experimentally that the maximum value of drain current when two transistors were connected varies in a quadratic law with the radiation intensity, and photosensitivity becomes more than in a discrete structure. In this case the maximum values of drain current corresponding to the light currents of discrete transistors by forward voltage vary in a quadratic law and they are a continuation of the transfer characteristics in dark, which makes possible their use as photodetectors in electronic circuits. In the series-connected field-effect transistors modulated junction, as in the two-barrier structures, controls the parameters of the second junction due to redistribution of the voltage applied from an external power source

Применение сочетаний методов оперативных вмешательств на структурах плечевого сплетения при его обширном повреждении

ПЛЕЧЕВОЕ СПЛЕТЕНИ

Инновационные стратегии в предпринимательских структурах

Рассматриваются актуальные проблемы внедрения маркетинговых инновационных стратегий в деятельности современных предпринимательских структур и методика экспертизы экономической эффективности от использования инновационной технологии. Систематизируются факторы инновационных технологий, влияющие на характер маркетинговых стратегий. Акцентируется внимание на стратегии роста и иллюстрируется схема ее возможных комбинаций. Приводится научно обоснованная классификация и методы расчета экспертной оценки на примера

Нітроксидергічний дисбаланс та вільнорадикальна модифікація білків у структурах проміжного мозку щурів з експериментальним цукровим діабетом за умов гострого порушення кровообігу в басейні сонних артерій

Сахарный диабет снижает содержание метаболитов оксида азота и продуктов окислительной модификации белков во всех исследованных структурах промежуточного мозга. Каротидная ишемияреперфузия увеличивает содержание метаболитов оксида азота, более существенно – у животных с диабетом, а также содержание продуктов окислительной модификации белков в перегородке мозга крыс с диабетом.Diabetes mellitus reduces the content of nitric oxide metabolites and products of oxidative modification of proteins in all the investigated structures of the diencephalon. Carotid ischemia-reperfusion in all brain regions increases levels of nitric oxide metabolites, more significantly - in animals with diabetes mellitus, as well as the content of products of oxidative modification of proteins in brain septum in rats with diabetes

Фізичні процеси в функціональних елементах на основі плівкових систем Co/Cu(Ag, Au) із спін-залежним розсіюванням електронів

Cheshko I.V. Physical processes in functional elements on base film systems Co/Cu(Ag, Au) with spindepended scattering of electrons. – Manuscript. Thesis for a Doctor of philosophy degree (Ph. D.) in physics and mathematics on specialty 01.04.01 – Physics of devices, elements and systems – Sumy State University, Sumy, 2009. The dissertation work covers theoretical and experimental researches of structural and phase state, diffusion processes, electrophysical, magnetoresistive and magnetooptic properties of spin-valves structures Au, Со, Cu and Cr based or functional elements microdevices with spindepended scattering of electrons on base of Co, Cu, Ag and Au. By results of structural and phase state investigation of films Со, Cu, Ag and Au based formation conditions of solid solution (Cu, Со), (Ag, Со) and (Au, Со) were establish. Formation method of spin-valves structures functional elements by layerwise condensation of Au, Co, Сu and Cr nanolayers with due order temperature processing changes during condensation was propose. Electrophysical, magnetoresistive and magnetooptic properties of this microelectronics structure were investigated. Key words: effect of giant magnetoresistance, multilayer films, granular solid solution, temperature coefficient of resistance, gauge factor.Дисертація присвячена теоретичному і експериментальному дослідженню особливостей структурно-фазового стану, дифузійних процесів, електрофізичних, магнітотранспортних і магнітооптичних властивостей функціональних елементів мікроприладів у вигляді спін- клапанної структури на основі Au, Со, Cu і Cr або спін-залежним розсіюванням електронів на основі Co і Cu, Ag та Au. За результатами досліджень особливостей структурно-фазового стану плівкових систем на основі Со, Cu, Ag та Au запропонована методика формування функціонального елемента спін-клапанної структури у вигляді багатошарової плівкової системи шляхом пошарової конденсації нанорозмірних шарів Au, Co, Сu і Cr із відповідною послідовністю температурної обробки в процесі осадження. Вивчені електрофізичні, магнітооптичні та магнітотранспортні властивості даних приладових структур. // Русск. версия: Диссертация посвящена теоретическому и экспериментальному исследованию особенностей структурно-фазового состояния, диффузионных процессов, электрофизических, магнитотранспортных и магнитооптических свойств функциональных элементов в виде спин- клапанной структуры на основе Au, Со, Cu и Cr или многослойных пленочных систем со спин-зависимым рассеиванием электронов на основе Co, Cu, Ag и Au. По результатам исследования особенностей структурно-фазового состояния пленочных систем на основе Со, Cu, Ag и Au установлены условия формирования твердых растворов (Cu, Со), (Ag, Со) и (Au, Со) путем послойной конденсации компонент со стабилизацией гранулированного состояния Со. Получены соответствующие зависимости параметров решеток и эллипсометрических углов данных т.р. от общей концентрации атомов Со. На основе исследований электрофизических (удельное сопротивление, температурный коэффициент сопротивления, коэффициент тензочувствительности) и магнитооптических свойств многослойных пленок на основе Со, Cu, Ag и Au предложена методика формирования функционального элемента спин- клапанной структуры в виде многослойной пленочной системы, путем послойной конденсации наноразмерных слоев Au, Co, Сu и Cr с соответствующей последовательностью температурной обработки в процессе конденсации. Изучены магнитооптические и магниторезистивные свойства данных структур микроэлектроники. Измерения магнитосопртивления полученных спин-клапанных структур и гранулированных т.р. (Ag, Co) и (Au, Co) показывают наличие признаков ГМС. При цитировании документа, используйте ссылку http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/63

USE PROSPECTS IN MICROELECTRONICS FOR POLYCRYSTALLINE SILICON FILM STRUCTURES WITH p–n JUNCTION

The paper discusses perspectives of elaborating microelectronic and optoelectronic devices on polycrystalline silicon films. The I-V features of structures with p-n-junction, formed by using methods of р-type conductivity layer grow, thermal diffusion and ion-implantation of boron atoms into n-type polycrystalline silicon layer are compared. The I-V feature with S-form curve of the investigated structures conditioned by changing of the conductivities of base and grain boundaries under thermal processing are revealed.Polycrystalline silicon, grain boundaries, ion-implantation, microelectronics, negative differential resistance, photodiode, I-V characteristics, Research and Development/Tech Change/Emerging Technologies,

Complex treatment of generalized catarrhal gingivitis with precursors of early formation of destructive phenomena in the bone structures of periodontium.

The article presents the results of comprehensive rehabilitation of 92 patients with generalized catarrhal gingivitis by creating differentiated programs for prevention and treatment of the disease, depending on the absence or presence of laboratory signs that have not been detected by X-ray, early destructive processes in the bone structures of periodontal tissues. It was revealed that appearance in gums tissue of representatives of the major periodontal bacteria is a precursor to the development of initial stage of generalized periodontitis in it. It was established that the earlier objective indicators of bone resorptive process in periodontal tissues in patients with generalized catarrhal gingivitis is an overproduction of proinflammatory cytokines IL-1.beta and TNF-alpha and the lack of anti-inflammatory cytokineIL-4