15,012 research outputs found

    О Ρ€ΠΎΠ»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ΄Ρ‹ примСси Π² ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠΈ GaAs, ΠΈΠΌΠΏΠ»Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΌ ΠΈΠΎΠ½Π°ΠΌΠΈ Al+ ΠΈ P+

    Get PDF
    Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ настоящСго исслСдования ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ влияниС ΠΏΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ΄Ρ‹ внСдряСмой примСси Π½Π° Ρ‚ΠΎΡ€ΠΌΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ процСссов ΠΎΡ‚ΠΆΠΈΠ³Π° Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΠ² Π² GaAs, ΠΈΠΌΠΏΠ»Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΌ Al+ ΠΈ P+, эффСктивно Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΌΠ°Π»Ρ‹Ρ… (Π² максимумС распрСдСлСния N(P,Al)=0,2 Π°Ρ‚ %) количСствах Π²Π½Π΅Π΄Ρ€Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ примСси

    Atmosphere pollution modeling in the case of the accident at the rocket propellant storage

    Get PDF
    Π ΠΎΠ·Ρ€ΠΎΠ±Π»Π΅Π½ΠΎ Ρ‡ΠΈΡΠ΅Π»ΡŒΠ½Ρƒ модСль Ρ‚Π° ΠΊΠΎΠ΄ для модСлювання Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²ΠΈΠΌΡ–Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ процСсу пСрСносу Π·Π°Π±Ρ€ΡƒΠ΄Π½ΡŽΠ²Π°Ρ‡Π° ΠΏΡ€ΠΈ Π°Π²Π°Ρ€Ρ–ΠΉΠ½ΠΎΠΌΡƒ Π²ΠΈΠΊΠΈΠ΄Ρ– Π½Π΅Π±Π΅Π·ΠΏΠ΅Ρ‡Π½ΠΎΡ— Ρ€Π΅Ρ‡ΠΎΠ²ΠΈΠ½ΠΈ. Π ΠΎΠ·Ρ€ΠΎΠ±Π»Π΅Π½Π° модСль Π±Π°Π·ΡƒΡ”Ρ‚ΡŒΡΡ Π½Π° Ρ‡ΠΈΡΠ΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ Ρ–Π½Ρ‚Π΅Π³Ρ€ΡƒΠ²Π°Π½Π½Ρ– Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²ΠΈΠΌΡ–Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ рівняння пСрСносу Π΄ΠΎΠΌΡ–ΡˆΠΊΠΈ. Для Ρ‡ΠΈΡΠ΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ інтСгрування Π²ΠΈΠΊΠΎΡ€ΠΈΡΡ‚ΠΎΠ²ΡƒΡ”Ρ‚ΡŒΡΡ нСявна Ρ€Ρ–Π·Π½ΠΈΡ†Π΅Π²Ρ– схСма.Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Π° числСнная модСль ΠΈ ΠΊΠΎΠ΄ для модСлирования Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…ΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ процСсса пСрСноса загрязнитСля ΠΏΡ€ΠΈ Π°Π²Π°Ρ€ΠΈΠΉΠ½ΠΎΠΌΡƒ выбросС опасного вСщСства. Разработанная модСль основываСтся Π½Π° числСнном ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…ΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ уравнСния пСрСноса примСси. Для числСнного интСгрирования ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ нСявная разностная схСма.A numerical model and code were developed to simulate the pollutant dispersion in the case of the accident release of the toxic chemical. The model is based on the K-gradient model of pollutant dispersion. The implicit schemes is used for the numerical integration

    Об ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Π΅ управлСния процСссом очистки Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ΅ΠΌΠ° ΠΎΡ‚ примСси

    Get PDF
    РассматриваСтся Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Π° управлСния процСссом очистки Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ΅ΠΌΠ° ΠΎΡ‚ примСси с использованиСм Π²Ρ‹Ρ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ΠΈΠ· Π½Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΊΠΈ. УправляСмой ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ являСтся концСнтрация примСси, ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ΠΈΠ· Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ΅ΠΌΠ° Π² Ρ€Π΅ΠΊΡƒ. РаспространСниС примСси Π² Ρ€Π΅ΠΊΠ΅ описываСтся ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ пСрСноса. Π’ это ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ слагаСмоС, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ опрСдСляСтся Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ источниками примСси, ΠΏΠΎΠΏΠ°Π΄Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π² Ρ€Π΅ΠΊΡƒ. Π’ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ этого слагаСмого нСизвСстно. Π—Π°Π΄Π°Π½Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Ρ‹ Π΅Π³ΠΎ измСнСния. ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ качСства управлСния являСтся Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ примСси Π² Ρ€Π΅ΠΊΠ΅ Π² Π·Π°Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ ΠΈ ΠΎΡΡ‚Π°Π²ΡˆΠ΅Π΅ΡΡ количСство массы примСси Π² этот ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ Π² Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ΅ΠΌΠ΅. ЦСль управлСния Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ этого показатСля оказалось Π² Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΠ΅ΠΆΡƒΡ‚ΠΊΠ΅

    ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ нСстационарной ползучСсти ΠΎΠ±Π»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΎΠ² с ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅ΡΡŒΡŽ

    No full text
    ВСорСтичСски рассмотрСно влияниС примСси Π½Π° Π΄ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈΠΊΡƒ ползучСсти ΠΎΠ±Π»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΎΠ² Π² Ρ€Π°ΠΌΠΊΠ°Ρ… ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ скольТСния дислокаций, Π»ΠΈΠΌΠΈΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΡ… ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΠΎΠ»Π·Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ. Π£Ρ‡Ρ‚Π΅Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡΡ‰Π°Ρ дислокация способна Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΡ‡Π΅Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚Ρ‹ ΠΈ ΠΈΡ… ΠΌΠ°Π»Ρ‹Π΅ скоплСния, Π° Π°Ρ‚ΠΎΠΌΡ‹ примСси ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ комплСксы Π°Ρ‚ΠΎΠΌ примСси-вакансия. Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ исслСдования Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΉ систСмы ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ, которая описываСт Π΄ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈΠΊΡƒ развития ползучСсти ΠΎΠ±Π»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†Π°, прСдставлСны Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ состояний ΠΈ Ρ„Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΠΎΠ². ИсслСдовано, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ° состояний ΠΈ Ρ„Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚Ρ‹ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ Π² присутствии примСси. Показано, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² зависимости ΠΎΡ‚ условий облучСния ΠΈ свойств ΠΎΠ±Π»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½, Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π΄Π²Π° устойчивых Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° ползучСсти. ВсС качСствСнныС эффСкты, свойствСнныС ползучСсти Π² ΠΎΠ±Π»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°Ρ… Π±Π΅Π· примСси (ΠΈΠ·Π»ΠΎΠΌ, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³ΠΈΠ±, гистСрСзис, ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π°Π» скорости ползучСсти) ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈ Π² ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π°Ρ… с примСсями.Π’Π΅ΠΎΡ€Π΅Ρ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎ розглянуто Π²ΠΏΠ»ΠΈΠ² Π΄ΠΎΠΌΡ–ΡˆΠΊΠΈ Π½Π° Π΄ΠΈΠ½Π°ΠΌΡ–ΠΊΡƒ повзучості ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ–Π½Π΅Π½ΠΈΡ… ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Ρ–Π² Π² Ρ€Π°ΠΌΠΊΠ°Ρ… ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»Ρ– ковзання дислокацій, Ρ‰ΠΎ Π»Ρ–ΠΌΡ–Ρ‚ΠΎΠ²Π°Π½Π΅ Ρ—Ρ… пСрСповзанням. Π£Ρ€Π°Ρ…ΠΎΠ²Π°Π½ΠΎ, Ρ‰ΠΎ ΠΊΠΎΠ²Π·Π°ΡŽΡ‡Π° дислокація Π·Π΄Π°Ρ‚Π½Π° Π·Π°Ρ…ΠΎΠΏΠ»ΡŽΠ²Π°Ρ‚ΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΎΠ²Ρ– Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈ Ρ– Ρ—Ρ… ΠΌΠ°Π»Ρ– скупчСння, Π° Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΈ Π΄ΠΎΠΌΡ–ΡˆΠΊΠΈ ΠΌΠΎΠΆΡƒΡ‚ΡŒ ΡƒΡ‚Π²ΠΎΡ€ΡŽΠ²Π°Ρ‚ΠΈ комплСкси Π°Ρ‚ΠΎΠΌ Π΄ΠΎΠΌΡ–ΡˆΠΊΠΈ-вакансія. Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ΠΈ Π΄ΠΎΡΠ»Ρ–Π΄ΠΆΠ΅Π½ΡŒ Π½Π΅Π»Ρ–Π½Ρ–ΠΉΠ½ΠΎΡ— систСми Ρ€Ρ–Π²Π½ΡΠ½ΡŒ, Ρ‰ΠΎ ΠΎΠΏΠΈΡΡƒΡŽΡ‚ΡŒ Π΄ΠΈΠ½Π°ΠΌΡ–ΠΊΡƒ Ρ€ΠΎΠ·Π²ΠΈΡ‚ΠΊΡƒ повзучості Π·Ρ€Π°Π·ΠΊΠ° ΠΏΡ–Π΄ опромінСнням, прСдставлСно Ρƒ вигляді Π΄Ρ–Π°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΈ станів Ρ– Ρ„Π°Π·ΠΎΠ²ΠΈΡ… ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚Ρ–Π². ДослідТСно як Π·ΠΌΡ–Π½ΡŽΡ”Ρ‚ΡŒΡΡ Π΄Ρ–Π°Π³Ρ€Π°ΠΌΠ° стану Ρ– Ρ„Π°Π·ΠΎΠ²Ρ– ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΠΈ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»Ρ– Π² присутності Π΄ΠΎΠΌΡ–ΡˆΠΊΠΈ. Показано, Ρ‰ΠΎ Π² залСТності Π²Ρ–Π΄ ΡƒΠΌΠΎΠ² опромінСння Ρ– властивостСй ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ–Π½Π΅Π½ΠΈΡ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€Ρ–Π°Π»Ρ–Π² існує Π°Π±ΠΎ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½, Π°Π±ΠΎ Π΄Π²Π° стійкі Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΈ стаціонарної повзучості. Всі якісні Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈ (Π·Π»Π°ΠΌΠΈ, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³ΠΈΠ½ΠΈ, гістСрСзис, ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π°Π» ΡˆΠ²ΠΈΠ΄ΠΊΠΎΡΡ‚Ρ– повзучості), Ρ‰ΠΎ властиві повзучості Π² ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ–Π½Π΅Π½ΠΈΡ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€Ρ–Π°Π»Π°Ρ…, ΠΌΠ°ΡŽΡ‚ΡŒ місцС як Π² чистих, Ρ‚Π°ΠΊ Ρ– Π² ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π°Ρ… Π· Π΄ΠΎΠΌΡ–ΡˆΠΊΠ°ΠΌΠΈ.Within the framework of the dislocation climb-glide model a theoretical approach to influence of the impurity on the evolution of creep of metals under irradiation. It takes into account that glide dislocation can capture point defects and their small clusters and also impurity can make up impurity-vacancy systems. Results of the investigation ΠΎf nonlinear equations for the creep development are shown as state diagram and phase portrait. It is investigated the change of state diagram and phase portraits under the influence of impurity. It is shown depending on conditions of the irradiation and characteristic of irradiated material, one or two inconvertible states of the stationary creep exist. All qualitative effects (fracture, inflection, hysteresis, dip of creep’s speed) are particular to the creep in irradiated materials, it has a place as in pure, as in materials with an admixture

    Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΈ ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Π²Π΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ примСси

    Get PDF
    ΠœΠ°Ρ‚Π΅ΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠ°Ρ модСль Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΈ ΠΈ ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Π²Π΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ примСси Π² Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½ΠΎ ΡƒΠΏΡ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ пористой срСдС выводится ΠΊΠ°ΠΊ усрСднСниС систСмы ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ Бтокса, Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Π²Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΌ ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΈ

    ИзмСнСниС сСгнСтоэлСктричСских свойств Π² процСссС ΠΌΠΎΠ΄ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ кристаллов TGS

    Get PDF
    Π˜Π·ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹ диэлСктричСских свойств (слабыС ΠΈ ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ элСктричСскиС поля) ΠΌΠΎΠ΄ΠΈΡ„ΠΈΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… кристаллов TGS. Π’ качСствС ΠΌΠΎΠ΄ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² использовались ΠΊΠ°ΠΊ примСси внСдрСния (ΠΈΠΎΠ½Ρ‹ Li+, Ni2+, Мо+, Cu2+, К+, Na+), Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ замСщСния (L--Π°Π»Π°Π½ΠΈΠ½
    • …
    corecore