Фотолитографические технологии в производстве оптических деталей : учебное пособие

Изложены основы фотолитографии, виды и способы изготовления оптических шкал. Рассмотрены оптические детали, требующие формирования топологии на поверхности. Пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлению «Оптотехника», аспирантов и научных сотрудников, интересующихся фотолитографическими технологиями

Strength Properties of Photoresist-Silicon Structures, Γ-Irradiated and Implanted by B+ and P+ Ions

Методами атомно-силовой микроскопии, склерометрии и индентирования исследованы пленки позитивного фоторезиста ФП9120 толщиной 1,0–5,0 мкм, облученные γ-квантами 60Co и имплантированные ионами В+ и Р+. Показано, что в процессе имплантации ионов P+ происходит модификация морфологии поверхности позитивного фоторезиста, выражающаяся в формировании неравномерно распределенных по поверхности конусообразных структур, которые обусловлены релаксацией напряжений, образовавшихся в процессе изготовления полимерной пленки, и радиационно-химическими процессами в приповерхностном слое фоторезиста. Процессы радиационного упрочнения при ионной имплантации структур фоторезист-кремний протекают далеко за областью проецированного пробега ионов Р+ и В+. Полученные экспериментальные результаты объяснены процессами радиационного сшивания молекул полимера за областью пробега ионов, усадкой полимерной пленки и ее карбонизацией в области пробега ионов= Films of the FP-9120 positive photoresist thickness of 1,0 – 5,0 microns irradiated with γ-rays 60Co and implanted by B+ and P+ ions was investigated by the atomic force microscopy, sclerometry and indentation methods. It was shown that cone-shaped structures are formed on the surface of FP9120 positive photoresist in the process of ion implantation. These structures are uniformly distributed over the surface of the photoresist. They are due to the relaxation stresses formed during manufacture of the polymer film, and radiation-chemical processes in the surface layer of the photoresist. Radiation hardening of photoresist-silicon structures at ion implantation flow far beyond the range of P+ and B+ ions. These experimental results to explain the process of radiation cross-linking of polymer molecules far the range of ions, shrinkage of the polymer film and its carbonization in the range of ions

Анализ методов структурирования материалов, применяемых в медицине

In this paper, structuring methods for materials, which are used in medicine, are analyzed. A comparison of obtained structures (surface’s parameters) and biological tests’ results is shown

Технология нанесения никелевой лицевой металлизации ФЭП с использованием различных защитных масок

В статье описана методика нанесения рисунка никелевой металлизации на поверхность кремниевых ФЭП с использованием различных материалов, таких как фоточувствительная защитная маска Elpemer SD 2054 парафиновый композит, тонер лазерного принтера, в качестве защитной маски при нанесении. Показана возможность применения как фоторезистивной технологии, так и терморезистивной и офсетной печати маски на восковой основе, как дешевой альтернативы фоторезистным покрытиям.The article describes the technique of the application of the nickel metal coating at the surface of the cilicone photovoltaic cells with the use of the different materials such as photosensitive protective coating Elpemer SD 2054, paraffin composite material and the laser printer toner. The posibility for the application of the photoresistive tecnology as well as the thermoresistant and offset printing of the coating on the wax basis is shown, as the cheper alternative for the photoresistant coatings

Исследование прочностных свойств пленок фоторезиста на кремнии методом склерометрии

STUDY OF STRENGTH PROPERTIES OF PHOTORESIST FILMS ON SILICON BY THE SCRATCHING METHOD. S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH (Polotsk State University); D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, Y. YANKOVSKI (Белорусский государственный университет, Минск)Методами индентирования и склерометрии исследованы прочностные свойства структур фо- торезист-кремний. Пленки позитивного фоторезиста ФП-9120 толщиной 1,0–5,0 мкм наносились на пластины кремния различных марок методом центрифугирования. Установлено, что микротвердость, определяемая методом склерометрии, на 20–40 % больше микротвердости, полученной методом мик- роиндентирования. При использовании нагрузки, равной 1–2 г, более точные значения микротвердости измерены методом склерометрии. Увеличение нагрузки до 10 и более грамм приводит к нивелированию указанного различий – значения микротвердости, полученные обоими методами, совпадают.= The strength properties of the structures of the photoresist-silicon was investigated by indenting and scratching methods. Film positive photoresist with thickness of 1.0–5.0 μm was deposited on silicon wafers of various brands by the centrifugation method. It was found that the microhardness as determined by sclerometer, 20–40 % more than microhardness obtained by the microindentation methods. When using the load, which equals 1–2 g, more accurate values of microhardness gives the scratching method. Increasing the load to 10 or more grams leads to a leveling of the specified differences – values of microhardness obtained by both methods coincide

Положительный фоторезист GеSе3 для микропрофилирования поверхностей при создании сенсорных структур

Представлено результати досліджень можливого використання безмиш‘якової халькогенідної сполуки GeSe3 як позитивного фоторезисту для процесу інтерференційної фотолітографії.The results of possible application of arsenic free GeSe3 chalcogenide compound as a positive photoresist for interference photolithography process reported.Представлены результаты исследований возможного использования безмишьякового халькогенидного соединения GeSe3 как положительного фоторезиста для процесса интерференционной фотолитографии

Reflection Spectra of Γ-Irradiated Films of Diazoquinone-Novolak Photoresist

Методом измерения спектров отражения исследованы облученные γ-квантами 60Co пленки позитивного фоторезиста ФП9120 толщиной 1,8 мкм, нанесенные на поверхность пластин кремния марки КДБ-10 (111) методом центрифугирования. Показано, что облучение γ-квантами 60Co приводит к образованию модифицированного слоя полимера с показателем преломления, отличным от объемного. Обнаружена немонотонная зависимость показателя преломления приповерхностного слоя фоторезиста с ростом дозы облучения, обусловленная изменением молярной массы полимера в процессе эксперимента.=Measuring the reflectance spectra were studied by γ-rays irradiated 60Co films positive photoresist FP9120 1,8 microns thick, deposited on the surface of silicon wafers brand KDB-10 (111) by centrifugation. It is shown that irradiation 60Co γ-rays leads to the formation of the modified polymer layer having a refractive index different from the bulk. A no monotonic dependence of the refractive index of the surface layer of photoresist with increasing radiation dose, due to the change of the molar mass of the polymer during irradiation

Разработка методов тестирования качества пластин нелинейно-оптических сегнетоэлектриков для создания высокоэффективных преобразователей лазерного излучения на основе периодических доменных структур : этап 2

В отчете представлены результаты исследований, выполненных по 2 этапу Государственного контракта №П2127 "Разработка методов тестирования качества пластин нелинейно-оптических сегнетоэлектриков для создания высокоэффективных преобразователей лазерного излучения на основе периодических доменных структур." (шифр "НК-394П") от 5 ноября 2009 г по направлению "Приборостроение, основанное на новых физических принципах" в рамках мероприятия 1.3.2 "Проведение научных исследований целевыми аспирантами", мероприятия 1.3 "Проведение научных исследований молодыми учеными - кандидатами наук и целевыми аспирантами в научно-образовательных центрах", направления 1 "Стимулирование закрепления молодежи в сфере науки, образования и высоких технологий" федеральной целевой программы" Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009-2013 годы. Цель работы - Разработка методов тестирования качества пластин нелинейно-оптических сегнетоэлектриков для создания высокоэффективных преобразователей лазерного излучения на основе периодических доменных структур.ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России на 2009-2013 годы

Scanning Surfaces Solid Structures and Oil-Waist Var Systems by Atomic Force Microscopy

Работы, выполненные с помощью атомно-силового микроскопа NT-207, показали большие возможности исследования поверхности веществ методами сканирующей зондовой микроскопии. Атомно-силовая микроскопия может применяться для исследования поверхности веществ в широком диапазоне: от нефтяных дисперсных систем (гудрон, битум) до поверхности любых твердотельных структур. Атомно-силовой микроскоп NT-207 позволяет измерять шероховатость исследуемой площади поверхности, изучать рельеф поверхности, измерять размеры кластеров и наночастиц, определять физико-механические свойства материала.=The work carried out using an atomic force microscope the NT-207 demonstrated broad research opportunities surface materials using scanning probe microscopy. Atomic force microscopy can be used to study the surface of the materials in a wide range - from the oil disperse systems (tar, bitumen) to the surface of any solidstate structures. The atomic force microscope is the NT-207 allows you to measure the roughness of the surface area of study, studying topography, measure the size of clusters and nanoparticles, to determine physicalmechanical properties of material