STUDY OF STRENGTH PROPERTIES OF PHOTORESIST FILMS ON SILICON BY
THE SCRATCHING METHOD. S. VABISHCHEVICH, N. VABISHCHEVICH (Polotsk State University); D. BRINKEVICH, V. PROSOLOVICH, Y. YANKOVSKI (Белорусский государственный университет, Минск)Методами индентирования и склерометрии исследованы прочностные свойства структур фо-
торезист-кремний. Пленки позитивного фоторезиста ФП-9120 толщиной 1,0–5,0 мкм наносились на
пластины кремния различных марок методом центрифугирования. Установлено, что микротвердость,
определяемая методом склерометрии, на 20–40 % больше микротвердости, полученной методом мик-
роиндентирования. При использовании нагрузки, равной 1–2 г, более точные значения микротвердости
измерены методом склерометрии. Увеличение нагрузки до 10 и более грамм приводит к нивелированию указанного различий – значения микротвердости, полученные обоими методами, совпадают.= The strength properties of the structures of the photoresist-silicon was investigated by indenting and
scratching methods. Film positive photoresist with thickness of 1.0–5.0 μm was deposited on silicon wafers of
various brands by the centrifugation method. It was found that the microhardness as determined by sclerometer,
20–40 % more than microhardness obtained by the microindentation methods. When using the load, which
equals 1–2 g, more accurate values of microhardness gives the scratching method. Increasing the load to 10 or
more grams leads to a leveling of the specified differences – values of microhardness obtained by both methods
coincide
