Determination of Sizes of Ag Nanoparticles in Glass Li2B4O7:Ag,Gd

Annealing in air and vacuum were obtained glass samples Li2B4O7:Ag,Gd with Ag NPs. Three methods: the half-width strip plasmon resonance, X-ray diffraction and Small-angle X-ray scattering, in these samples by size NPs Ag. Revealed that the size of NPs Ag, defined by half-widths plasmon resonance band much smaller than obtained by other methods. It is concluded that the methods of X-ray diffraction and small-angle X-ray scattering give results closer to reality than the method plasmon resonance

Особливості структури та фізико-хімічних властивостей поліортотолуїдину легованого толуенсульфо кислотою

Features of crystal structure, electrical conductivity and thermal stability of poly-ortho-toluidine (PoTi) samples, obtained with method of oxidative polymerization in the environment of sulfuric and toluenesulfonic acids (TSA), were investigated. It was discovered that PoTi-TSA samples are characterized withhigh crystallinity. According to the physico-chemical analysis, doping samples with TSA causes increase of PoTi thermal stability, electrical conductivity and sensor sensitivity on the contrary to samples doped with sulfuric acid. Based on temperature dependence of specific resistance, were calculated the values of the conductivity activation energy, which are within the limits of 0.2-0.4 eV depending on the type of dopant.Досліджено особливості кристалічної структури, електропровідності і термічної стабільності поліортотолуїдину (ПоТі), отриманого методом окисної полімеризації в середовищі сульфатної та толуенсульфокислоти (ТСК). Встановлено, що для зразків ПоТі-ТСК характерна висока кристалічність. За даними фізико-хімічних досліджень, легування зразків толуенсульфокислотою спричиняє збільшення термічної стабільності, електропровідності і сенсорної чутливості ПоТі в порівнянні з сульфатно-легованими зразками. На основі температурної залежності питомого опору розраховані значення енергії активації провідності, які лежать в межах 0,2 - 0,4 еВ в залежності від типу допанта

Термодинамічні властивості окремих сполук системи Ag–In–Se, визначені методом електрорушійних сил

The equilibrium phase space of the Ag–In–Se system in the part AgInSe2–InSe–Se below 500 K consists seven three-phase regions In2Se3–AgIn11Se17–Se (I), AgIn11Se17–AgIn5Se8–Se (II), AgIn5Se8–AgInSe2–Se (IІІ), In2Se3–In6Se7–AgIn11Se17 (ІV), In6Se7–AgIn11Se17–AgIn5Se8 (V), InSe–In6Se7–AgIn5Se8, and InSe–AgIn5Se8–AgInSe2 (VI). Division of the AgInSe2–InSe–Se into separate phase regions was performed based on electromotive force vs temperature dependences of six electrochemical cells (ECCs) of the type: (−) С | Ag | SЕ | R(Ag+) | PЕ | С (+), where C is the graphite (inert electrode), Ag is the left (negative) electrode, SE is the solid-state electrolyte (Ag3GeS3Br glass), PE is the right (positive) electrode, R(Ag+) is the buffer region of PE that contacts with SE. The process of forming of the thermodynamically stable set of phases from phase non-equilibrium mixture of compounds specified in (I)–(VI) is carried out in the R(Ag+) region. The Ag+ ions act as the small nucleation centers for stable phases. Based on the temperature dependences of the electromotive force of ECCs with PE of the (I)–(VI) phase regions, the standard thermodynamic functions of the binary In6Se7 and three ternary compounds in the adjacent phase regions were calculated for the first time. The agreement of the calculated values of the standard Gibbs energies of the AgIn5Se8 compound in two different phase regions (II) and (V): -(819,6±8,9) kJ·mol −1 and -(820,0±8,9) kJ·mol −1 characterizes the phase composition of the regions (I), (II), (IV), and (V) below 500 K as a combination of compounds of formulaic composition.Рівноважний Т–х простір системи Ag–In–Se в частині AgInSe2–InSe–Se за Т≤500 К містить сім трифазних ділянок: In2Se3–AgIn11Se17–Se (I), AgIn11Se17–AgIn5Se8–Se (II), AgIn5Se8–AgInSe2–Se (IІІ), In2Se3–In6Se7–AgIn11Se17 (ІV), In6Se7–AgIn11Se17–AgIn5Se8 (V), InSe–In6Se7–AgIn5Se8 та InSe–AgIn5Se8–AgInSe2 (VI). Триангуляція AgInSe2–InSe–Se встановлена за температурними залежностями ЕРС шести електрохімічних комірок (ЕХК) структури: (−) С | Ag | SЕ | R(Ag+) | PЕ | С (+), де C – інертний електрод (графіт), Ag – негативний (лівий) електрод ЕХК, SE – твердий електроліт (скло Ag3GeS3Br), PE – позитивний (правий) електрод ЕХК, R(Ag+) – ділянка PE, що контактує з SЕ, де за участі іонів Ag+, як малих центрів зародження рівноважних фаз, відбувається перебудова фазово нерівноважної суміші сполук ПЕ зазначених в (I)–(VI) в термодинамічно стабільну суміш фаз. За температурними залежностями ЕРС комірок (E=f(T)) з ПЕ ділянок (I)–(VI) розраховано значення основних термодинамічних функцій бінарної In6Se7 та тернарних сполук у межуючих фазових ділянках за стандартних умов. Співпадіння значень енергії Ґіббса утворення сполуки AgIn5Se8 -(819,6±8,9)  кДж·моль −1 та -(820,0±8,9)  кДж·моль −1 розрахованих за E=f(T) з ПЕ ділянок (II), (V) характеризує фазовий склад ділянок (I), (II), (ІV), (V) за Т≤500 К як поєднання сполук формульного складу

Features of the Structure and Physical-Chemical Properties of Poly-Ortho-Toluidine Doped with Toluenesulfonic Acid

&#x0D; Features of crystal structure, electrical conductivity and thermal stability of poly-ortho-toluidine (PoTi) samples, obtained with method of oxidative polymerization in the environment of sulfuric and toluenesulfonic acids (TSA), were investigated. It was discovered that PoTi-TSA samples are characterized withhigh crystallinity. According to the physico-chemical analysis, doping samples with TSA causes increase of PoTi thermal stability, electrical conductivity and sensor sensitivity on the contrary to samples doped with sulfuric acid. Based on temperature dependence of specific resistance, were calculated the values of the conductivity activation energy, which are within the limits of 0.2-0.4 eV depending on the type of dopant.&#x0D; </jats:p