El Farol Revisited

This article is concerned with the global behavior of agents in the El Farol bar problem. In particular, we discuss the global attendance in terms of its mean and variance, and show that there is a strong dependence of both on the externally imposed comfort level. We present a possible interpretation for the observed behavior, and propose that the mean attendance converges to the perceived threshold value as opposed to the actually imposed one.Comment: 6 pages, 3 figure

Bor nitrür üretimi

TÜBİTAK MAG15.04.2008Bor nitrür, grafite çok benzer altıgen (h-BN) yapıda tabakalar halinde veya kübik yapıda (k- BN) elmasa çok yakın özelliklerde bulunabilir. k-BN bilinen malzemeler içinde elmastan sonra en sert olduğundan malzeme endüstrisinde sert metal kaplamalar yapmada (elmastan daha üstün özelliklerde, metal işlemede) kullanılmaktadır. Ayrıca, elmas sadece p-türü katkılanabildiği halde, k-BN hem p hem de n türü katkılanabilmektedir, ve dolayısıyla elektronik devrelerin yapı taşı olan p-n eklemini üretmek olası olduğundan mor-mavi ışık bölgesinde ışık algılayıcısı (detektör) ve yayınlayıcısı (LED) uygulamasına açıktır. k-BN tabanlı bu devre elemanlarının, opto-elektronik yatkınlıkları yanında, elmastan daha yüksek bir yasak enerji aralığına sahip olmalarından dolayı çok daha yüksek sıcaklık ortamlarında kullanılmalarını sağlanabilir. Son yıllarda yapılan araştırmalar k-BN’nin plazma ortamında Fiziksel Buhar Biriktirme (FBB) veya Kimyasal Buhar Biriktirme (KBB) yöntemleri ile üretilebileceğini göstermiştir. Ancak bu çalışmalar biriktirilen maddenin özelliklerine (k-BN içeriği ve mekanik gerilim) ve birikme hızına etki eden üretim parametrelerinin (kullanılan bor ve azot kaynakları, kullanılan gaz kompozisyonu, kaplanan yüzeyi oluşturan madde(taban), uygulanan plazma yoğunluğu, RF gücü, bias voltaj, taban sıcaklığı) nasıl etki ettiğini sistematik bir yaklaşımla incelememiştir. Elde, çevre birimleriyle birlikte, kurulu bulunan hem FBB, hem de KBB düzenekleriyle (yapılabilir bazı değişiklikler ve eklerle), yukarıda sözü edilen sistematik çalışma olanaklar çerçevesinde gerçekleştirilmiştir. Başka bir deyişle hem RF hem de MW kullanan KBB ve magnetron çığlama kullanan KBB teknikleriyle büyütülen filmler, eldeki ve proje bütçesiyle sağlanan olan ölçüm/test düzenekleriyle çözümlenmiştir. Böylece üretim test döngüsü yinelenerek hedeflenen mekanik ve opto-elektronik özellikte k-BN ince filmleri ve ondan üretilebilecek yapıları oluşturan en uygun üretim koşulları belirlenmeye çalışılmıştır.Boron nitride can be found in hexagonal structure (hBN) which is very much like graphite or in cubic structure with properties very close to those of diamond. Since cBN is the hardest known material after diamond is used in making hard metal covers (used in metal machining with superior properties to diamond). In addition, while diamond can be doped only in p type both p and n type doping is possible in cBN, therefore cBN can be used to make p-n junction which is a basic part of the microelectronic circuits. That means cBN can be used to make a detector or Light Emitting Diode (LED) in violet-blue region. In addition to these optoelectronic properties, cBN based circuit parts are expected to withstand very high temperatures due to the higher forbidden energy gap of cBN compared to that of diamond. Recent studies have shown that cBN can be produced by Physical Vapor Deposition (PVD) and Chemical Vapor Deposition (CVD) in plasma. But these studies have failed to determine) how all of the production parameters (boron and nitrogen sources, composition of the gas used, the material covered (substrate), plasma density, RF power, bias voltage, substrate temperature) affect on the properties (cBN content and mechanical stresses) and the deposition rate of the product with a systematic approach. The systematic study was realized in the range of available experimental ability of the present PVD and CVD equipment and accessories with some possible additions and changes. The cBN films were produced in the plasma equipment and was studied with the measurement and testing facilities that already exist in addition to measurement and testing equipment acquired within the budget of this project. The optimum production conditions of cBN with desired mechanical and optoelectronic properties were studied experimentally

Preparation and characterization of silicon thin films

Ph.D. - Doctoral Progra

Effect of temperature rise on the growth rate of anodic SiO2

Different aspects of silicon anodization are discussed. First, concerning the controversy of mobile ions during the anodic oxide growth, the inward motion of the anion is thought the most probable alternative and then a growth mechanism based on the diffusion of hydroxyl ion from the electrolyte to the oxide-silicon interface is established. The growth rate, apparently complex, is interpreted in the light of this model by introducing and justifying a temperature rise during anodizatio

Foto ve termal kapasitans teknikleriyle silisyum ince filmlerin yerel durumlarının belirlenmesi

TÜBİTAK TBAG Proje01.08.1993Işıyan boşalım sistemi, gerekli bütün yan çevre birimleriyle birlikte kuruldu; ayarlanıp, fosfor katkılı hidrojenlenmiş amorf silisyum (n-türü a-Si:H) ince film büyütülmesi için kalibre edildi. Bu doğrultuda, elektron demeti ve iyon çığlama (sputtering) düzenekleri kuruldu ve krom (Cr), paladyum (Pd) gibi parlak metallerin buharlaştınlabilmesi için ayarlandı. Yukarıda sözü edilen düzenekler kullanılarak fosfor katkılanmış a-Si:H filmler üzerine Pd ve Cr Schottky engelleri üretildi. Bu diyodlar I-V ve C-V gibi yaygın ölçümlerle belirlendi. Issız bölge admittansl frekans, sıcaklık, voltaj gibi parametreler işlevinde çözümlendi. C-$\omega$-T, DLTS gibi ısıl uyarmalı sığa tabanlı teknikler, yerelleşmiş düzeylerin belirlenmesinde başarıyla- uygulandı. Ayrıca çift demet fotokapasitans düzeneği kuruldu ve katkılanmış a-Si:H filmlerin band aralığında yerelleşmiş derin düzey dağılımının çıkarılmasında kullanıldı

Kızılötesi ışık dedektörlerinde kullanılan ya da kullanılması düşünülen bazı silisyum alaşımlarının hazırlanması, incelenmesi ve geliştirilmesi

TÜBİTAK TBAG01.09.1995Bu çalışmada, bazı silsiyum alaşımlarının üretimi ve incelenmesi gerçekleştirilmiştir. Bu alaşımlar kullanılarak üretilen Schottky eklemlerin elektrik ve optik özellikleri incelenerek ortaya çıkartılmıştır. İlk olarak CrSİ2/Si ekleminin üretimi ve incelenmesi gerçekleştirilmiştir. Bu eklemin üretim aşamaları incelenerek kontrol altına alınmıştır. Akım-voltaj eğrileri çeşitli sıcaklıklarda ölçülerek elektrik özellikleri ayrıntıları ile incelenmiştir. Daha sonra CrSİ2/Si ekleminin ışığa tepkisi incelenerek dedektör olarak davranışı incelenmiştir. Bu ölçümlerde bu eklemin temel özellikleri ve parametreleri ortaya çıkartılmıştır. Projenin ikinci ayağında PtSi filmleri ve PtSi/Si eklemleri üretilerek incelenmiştir. PtSi filmlerinin tabaka direnci ölçülmüş; PtSi/Si eklemlerinin ise optik tepkisi ve elektrik özellikleri araştırılmıştır. Elde edilen sonuçların hem beklentilerle hem de birbirleri ile uyum içinde olduğu görülmüştür

Silisyum nitrür filmlerin plazmayla büyütülesi, amorf silisyum ince film transistörlere uygulanması

TÜBİTAK TBAG30.09.1997Plazma destekli kimyasal buhar biriktirme düzeneğinde(PECVD) çeşitli taban üzerine, herbiri hidroj enlenmiş amorf silisyum(a-Si:H) ve amorf silisyum nitrür(a-SiNx:H) ince filmler biriktirilmiştir.ODTÜ Fizik Bölümü Katıhal Elektronik Laboratuvannda daha önce gerçekleştirilen çeşitli proje ve tez kapsamında a-Si:H filmlerin en uygun biriktirme koşullan belirlenmişti.Bu çalışmada ise özellikle a-SiNx:H filmlerinin biriktirme koşullan belirlenmiştir.Bu doğrultuda biryandan morüstü/görünür bölge ve kızılaltı spektroskopi teknikleri kullanılmıştır.,öteyandan da a-SiNx:H filmlerinin diyelektrik tabakasını oluşturduğu MİS yapilar üzerine admittans ölçümleri gerçekleştirilmiştir.Böylece uygun biriktirme koşullan belirlendikten sonra geniş yüzey alanlı amorf silisyum tabanlı resimleme ağının birim gözeneğinin iki temel öğesinden birisi olan amorf silisyum ince film transistörler (a-Si:H TFT) üretilmiş ve elektrik özellikleri belirlenmiştir

Pt-Si-Si/CCD kızılötesi gözenik geliştirilmesi

Elektron demetiyle p-türü kristal silisyum taban üzerine kalınlık denetimli saf platin filmler biriktirilmiştir. Arkasından, Pt-Si arayüzü çevresinde taban silisyumla, proje amacına uygun 0.23 eV engel yüksekliğine yol açacak biçimde platin silisid (PtSi) oluşturan ısıl işlemler belirlenmiştir. Daha sonra da, silisyum düzlemsel teknolojisi içinde PtSi-Si detektörleri ve PtSi filmleri üretilmiş ve öptoelektronik özellikleri belirlenmiştir. PtSi-Si detektörlerine bitişik çalışabilecek optik etkiyi elektrik sinyale dönüştürebilen bir CCD yapı üretilmiş, giriş ve çıkış birimlerinde yapılan ölçümlerle amaca uygun çalıştığı belirlenmiştir. Ayrıca proje bütçesinden satınalınan 200 keV iyon ekim sistemiyle çevre birimleri kurulup ayarlanarak çalışır duruma getirilmiştir

Silisyum tabanlı ışık yayınlayan yapıların üretilmesi

TÜBİTAK TBAG01.02.2001ODTÜ Fizik bölümü Katıhal Elektronik Laboratuvarı'nda (KEL) bulunan plazma destekli kimyasal buhar biriktirme düzeneğinde (PECVD), çeşitli tabanlar üzerine a-SiCx:H filmler büyütülerek kızıl altı soğurma (FTIR), görünür bölge optik soğurma ve özdirenç ölçümleriyle hem yasak enerji, hem de yapısal düzen yönünden film büyütme koşullan belirlenmiştir. Arkasından n ve p türü kaplama süreçleri de düzenli bir biçimde ele alınarak başarılmıştır. Son olarak, p-i-n yapılar oluşturularak yayınlanan ışık kaydedilip, dalga boyu dağılımı çıkarılmıştır