Elektron demetiyle p-türü kristal silisyum taban üzerine kalınlık denetimli saf platin filmler biriktirilmiştir. Arkasından, Pt-Si arayüzü çevresinde taban silisyumla, proje amacına uygun 0.23 eV engel yüksekliğine yol açacak biçimde platin silisid (PtSi) oluşturan ısıl işlemler belirlenmiştir. Daha sonra da, silisyum düzlemsel teknolojisi içinde PtSi-Si detektörleri ve PtSi filmleri üretilmiş ve öptoelektronik özellikleri belirlenmiştir. PtSi-Si detektörlerine bitişik çalışabilecek optik etkiyi elektrik sinyale dönüştürebilen bir CCD yapı üretilmiş, giriş ve çıkış birimlerinde yapılan ölçümlerle amaca uygun çalıştığı belirlenmiştir. Ayrıca proje bütçesinden satınalınan 200 keV iyon ekim sistemiyle çevre birimleri kurulup ayarlanarak çalışır duruma getirilmiştir
