TÜBİTAK TBAG30.09.1997Plazma destekli kimyasal buhar biriktirme düzeneğinde(PECVD) çeşitli taban üzerine, herbiri hidroj enlenmiş amorf silisyum(a-Si:H) ve amorf silisyum nitrür(a-SiNx:H) ince filmler biriktirilmiştir.ODTÜ Fizik Bölümü Katıhal Elektronik Laboratuvannda daha önce gerçekleştirilen çeşitli proje ve tez kapsamında a-Si:H filmlerin en uygun biriktirme koşullan belirlenmişti.Bu çalışmada ise özellikle a-SiNx:H filmlerinin biriktirme koşullan belirlenmiştir.Bu doğrultuda biryandan morüstü/görünür bölge ve kızılaltı spektroskopi teknikleri kullanılmıştır.,öteyandan da a-SiNx:H filmlerinin diyelektrik tabakasını oluşturduğu MİS yapilar üzerine admittans ölçümleri gerçekleştirilmiştir.Böylece uygun biriktirme koşullan belirlendikten sonra geniş yüzey alanlı amorf silisyum tabanlı resimleme ağının birim gözeneğinin iki temel öğesinden birisi olan amorf silisyum ince film transistörler (a-Si:H TFT) üretilmiş ve elektrik özellikleri belirlenmiştir
