YAG荧光粉-无铅低软化温度玻璃复合浆料的制备与应用

为优化大功率白光LED的封装过程,提出将YAG荧光粉-无铅低软化温度玻璃复合浆料印刷在玻璃基片上,经热处理制备荧光玻璃片的技术方案。采用热膨胀仪、粉末衍射仪、热重分析仪、荧光光谱仪等研究无铅低软化温度玻璃成分与热学性能的关系,无铅低软化温度玻璃粉与YAG荧光粉的配比、固含量、热处理制度等因素对复合浆料及荧光玻璃片晶型、粘度及发光等性能的影响。结果表明,复合浆料固含量为70%时,粘度适用于丝网印刷;印刷后的玻璃基片在550~650℃温度下进行热处理,可制得荧光玻璃片;无铅低软化温度玻璃与YAG荧光粉质量比在1. 2~4. 0范围调整,可得到封装后色温在3500~7000 K的荧光玻璃片。该荧光玻璃片可适用于大功率白光LED的封装。华侨大学2016年实验教学改革与建设课题(66661601

法学家眼中的和谐社会

从现有权威性文献看,“和谐社会”是执政党要追求的一种社会状态,更是一种涉及面极其广泛的治国方略。在这个过程中,法律、法学和法学家的作用举足重轻。面对如此重大议题,法学家应当表达观点、提出诉求、发挥专业功能。基于这种考虑,本刊特邀部分中青年法学家进行了笔谈,希望他们的文章能引起讨论,促进法律界、法学界形成一些基本共识

部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应

采用在SIMOX圆片埋氧层中注入氟(F)离子的方法改善SIMOX的抗总剂量辐射能力,通过比较未注F样品和注F样品辐照前后SIMOX器件Ids-Vgs特性和阈值电压,发现F具有抑制辐射感生pMOSFET和nMOSFET阈值电压漂移的能力,并且可以减小nMOSFET中由辐照所产生的漏电流.说明在SOI材料中前后Si/SiO2界面处的F可以减少空穴陷阱密度,有助于提高SIMOX的抗总剂量辐射能力

注氮工艺对SIMOX器件电特性的影响

研究了氮离子注入对SIMOX器件电特性的影响.氮注入SIMOX的埋氧层并退火后,将减小前栅MOS-FET/SIMOX的阈电压,提高其漏源击穿电压但对栅击穿电压影响较小.氮注入方式对SIMOX器件的I-V特性有重要影响

埋氧层注氮工艺对部分耗尽SOI nMOSFET特性的影响

研究了埋氧层中注氮后对制作出的部分耗尽SOInMOSFET的特性产生的影响.实验发现,与不注氮的SIMOX基片相比,由注氮SIMON基片制作的nMOSFET的电子迁移率降低了.且由最低注入剂量的SIMON基片制作的器件具有最低的迁移率.随注入剂量的增加,迁移率略有上升,并趋于饱和.分析认为,电子迁移率的降低是由于Si/SiO2界面的不平整造成的.实验还发现,随氮注入剂量的提高,nMOSFET的阈值电压往负向漂移.但是,对应最低注入剂量的器件阈值电压却大于用SIMOX基片制作出的器件.固定氧化物正电荷及界面陷阱密度的大小和分布的变化可能是导致阈值电压变化的主要因素.另外发现,用注氮基片制作出的部分耗尽SOInMOSFET的kink效应明显弱于用不注氮的SIMOX基片制作的器件