初诊为抑郁症的老年隐球菌性脑膜炎6例报告

目的:探讨老年隐球菌性脑膜炎发病特点和误诊原因。方法:分析6例初诊为抑郁症的老年隐球菌性脑膜炎患者的临床表现、脑脊液特点、治疗和预后表现,以明确发病特点和误诊原因。结果:6例病例初期均表现为头晕、失眠、食纳减少;后期出现颅内感染相对特异症状:认知障碍5例、头痛3例、肢体无力3例、发热2例。脑脊液隐球菌培养阳性明确诊断,抗真菌治疗有效。6例均好转,但是2例患者遗留明显后遗症:1例患者遗留明显的认知障碍和双下肢活动受限,1例双眼失明,2例确诊时间为2、4周。结论:老年患者患病后临床症状常不典型,当一种疾病不能解释所有症状时,需开拓思路,积极完善相关检查,必要时请相关科室协助诊治,尽量减少误诊。福建省厦门市科技局资助项目(项目编号：3502Z20084019

长汀县赢坪史前遗址发掘简报

2012年福建博物院对赢坪两处遗址进行了抢救性考古发掘,获得了一批包括石器、陶器、铜器、石范等内涵丰富的文化遗物,这批遗物可进一步了解闽西地区的史前文化发展序列及文化面貌,并且对于多地区文化间的交流研究也有一定的作用

1．3μm量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计

结合垂直腔面发射激光器（VCSEL）原理以及量子点增益特点，计算了有源层P掺杂结构的量子点VCSEL的材料增益和3dB带宽，发现P掺杂结构可以大大提高频率特性．结合VCSEL激射条件和阈值特性，分析了对VCSEL结构的要求；分析了分布参数对频率特性的影响，对其外部封装提出了要求．设计了高频率响应的含氧化限制层的1．3μm量子点VCSEL结构

脊形InGaAs量子阱激光器的高频响应研究

对MBE生长的InGaAs量子阱（QW）激光器的频率特性进行了研究。研制了InGaAsQW脊波导结构的激光器，通过控制脊的腐蚀深度，得到阈值电流密度为300A／cm~2的激光器，且激光器在常温下工作稳定，输出功率较大，其阈值电流附近3dB带宽超过2GHz。比较了不同电极面积时器件的调制响应，结果表明小面积电极可以有效提高器件的调制带宽

一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法

 本发明公开了一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法,包括：清洗单面抛光的GaAs外延片,去除表面的有机物；对该GaAs外延片进行光刻腐蚀,得到带窄条的GaAs外延片；在该GaAs外延片上蒸镀金属层；采用剥离方法去胶,得到一定厚度的金属条；清洗Si外延片,去除表面的有机物；采用H2SO4溶液及RCA1溶液对Si外延片表面进行处理,将清洗干净的Si外延片与GaAs外延片进行贴合,得到贴合后的晶片；将该贴合后的晶片对置于真空键合机内进行键合,并进行热处理,以驱除键合界面的水汽；对键合后的晶片进行减薄,并腐蚀掉键合晶片的GaAs衬底。利用本发明,实现了GaAs与Si的低温金属键合,并可以推广到III-V族与III-V族(或IV族的Si、Ge等材料)的键合

一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法

 本发明公开了一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法,包括：清洗单面抛光的InGaAs外延片,去除表面的有机物；在清洗干净的InGaAs外延片上蒸镀金属层；对该InGaAs外延片进行光刻腐蚀,得到带窄金属条的InGaAs外延片；采用等离子体刻蚀去除InGaAs外延片表面的光刻胶；清洗GaAs外延片,去除表面的有机物；将清洗干净的GaAs外延片与经过等离子体刻蚀的InGaAs外延片进行贴合,得到贴合后的晶片；将该贴合后的晶片对置于真空键合机内进行键合,并进行热处理,以驱除键合界面的水汽；对键合后的晶片进行减薄,并腐蚀掉键合的晶片的GaAs衬底。利用本发明,实现了InGaAs与GaAs的低温金属键合