一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法

Abstract

 本发明公开了一种对InGaAs与GaAs进行低温金属键合的方法,包括：清洗单面抛光的InGaAs外延片,去除表面的有机物；在清洗干净的InGaAs外延片上蒸镀金属层；对该InGaAs外延片进行光刻腐蚀,得到带窄金属条的InGaAs外延片；采用等离子体刻蚀去除InGaAs外延片表面的光刻胶；清洗GaAs外延片,去除表面的有机物；将清洗干净的GaAs外延片与经过等离子体刻蚀的InGaAs外延片进行贴合,得到贴合后的晶片；将该贴合后的晶片对置于真空键合机内进行键合,并进行热处理,以驱除键合界面的水汽；对键合后的晶片进行减薄,并腐蚀掉键合的晶片的GaAs衬底。利用本发明,实现了InGaAs与GaAs的低温金属键合