MOCVD生长InGaAs/InGaAsP多量子阱光泵微碟激光器

用MOCVD方法生长了InGaAs/InGaAsP多量子阱微碟激光器外延片，用光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等现代化的微加工技术制备出直径9.5μm的InGaAs/InGaAsP微碟激光器，并详细介绍了整个制备工艺过程。在液氮温度下用氩离子激光器泵浦方式实现了低阈值激射，测出单个微碟激光器的阈值光功率为150μW，激射波长约为1.6μm，品质因数Q=800，激射光谱线宽为2nm，同时指出微碟激光器射线宽比F-P普通激光器宽很多是由于其品质因数很高造成的

一种中孔MZPA-8材料及其制备方法

一种中孔MZPA-8材料，其化学组成式为：(ZraPbAlc)O2，其中Zr、 P、Al为晶体中的锆、磷和铝，a、b、c分别为Zr、P、Al的摩尔分数，其范围是a＝0.10～0.80，b＝0.10～0.90，c＝0.00～0.50，且满足a+b+c＝1。制备方法是首先通过水热合成法制备出具有六方结构的氧化锆，然后经含磷和含铝溶液处理，将磷和铝引入到骨架中，经高温焙烧后得到高有序性和高稳定性中孔MZPA-8材料，其比表面积为150-700m2/g、孔容为0.1-0.4cm3/g。带填

高热稳定性高有序性中孔Zr-P-Al材料的合成

以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂，采用水热法合成了中孔氧化锆，依次用磷酸和水合氯化铝溶液对其进行后处理，得到了具有高热稳定性、高有序性的中孔Zr-P-Al材料．样品的XRD，TEM和氮气物理吸附测试结果表明，反应凝胶中的水量和陈化条件对样品结构有很大影响．当反应凝胶配比为Zr(SO4)2：CTAB：H2O=1：0．27：240时，所得样品具有较规整的六方结构．此样品经磷酸处理后，有序程度进一步提高．将磷酸处理过的样品再用水合氯化铝溶液处理，得到的材料具有典型的中孔特征和很高的热稳定性．最终产物经过700℃焙烧后具有416m^2／g的比表面积，孔容积较大，孔径分布均匀，800℃焙烧后其比表面积仍可达到227m^2／g．样品的高稳定性来源于锆、磷和铝之间的相互作用

低阈值1.3μm InGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP-MOCVD生长

报道了用低压－金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)方法制作1.3μm应变补偿多量子阱结构材料。X射线双晶衍射摇摆曲线可清晰地看到±4级卫星峰和卫星峰间的Pendellosong条纹。整个有源区的平均应变量几乎为零。用掩埋异质结(BH)条形工艺制备的含一级光栅的DFB激光器室温下阈值电流2～4mA,外量子效率0.33mW/mA,线性输出光功率达30mW,边模抑制比(SMSR)大于35dB。20～40℃下的特征温度T_0为67K

GaAs脊形量子线结构的MBE生长机理研究

报道了非平面衬底上分子束外延生长GaAs脊形量子线结构的实验研究。已成功地在GaAs(001)刻蚀条形衬底上生长出了由(111)面和(113)面构成的两种脊形量子线结构。讨论了非平面衬底上MBE生长脊形结构的形成机制,认为在一定的生长条件下,脊形结构的表面取向是由两个原始交界面上生长速率的相对差异决定的;而生长速率的差异是由表面再构的不同决定的

基于深度神经网络的IMDD系统光性能监测技术

在先进高速光纤通信系统中，密集波分复用技术的引入使得信号频谱间隔越来越窄，传统的带外光信噪比（OSNR）监测技术不再准确，需要进一步研究低成本的带内OSNR监测方案。文章提出了一种基于深度神经网络（DNN）的直调直检（IMDD）系统链路OSNR监测方案，采用550 000组数据集训练的5层DNN结构，在5～15 dB范围内，成功估计出了2 GBaud开关键控（OOK）信号的OSNR，平均绝对误差（MAE）小于0.8 dB。文章所提方案有望作为一种高效低成本方案，助力光网络智能运维

了不起的体育运动

奥运圣火已经点燃,全世界的优秀运动员正展开激然的角逐。在银屏前跟着欢呼呐喊的同时,也请你和我们一起探讨关于运动的话题。我们为什么要让孩子运动?运动可以给孩子带来什么?冠军教练如何看待冠军的培养?运动给优秀运动员们带来的人生改变是什么?儿童的体能训练都有哪些误区?幼儿园的冰雪运动课是如何开展的?</p

半导体探测器及其在空间科学中的应用

阐述了空间辐射环境监测的意义 ,描述了由半导体探测器组成的望远镜系统在空间科学中的应用 ,并给出了已成功应用在卫星上进行地球辐射带的辐射环境监测的部分结