MOCVD生长InGaAs/InGaAsP多量子阱光泵微碟激光器
Abstract
用MOCVD方法生长了InGaAs/InGaAsP多量子阱微碟激光器外延片，用光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等现代化的微加工技术制备出直径9.5μm的InGaAs/InGaAsP微碟激光器，并详细介绍了整个制备工艺过程。在液氮温度下用氩离子激光器泵浦方式实现了低阈值激射，测出单个微碟激光器的阈值光功率为150μW，激射波长约为1.6μm，品质因数Q=800，激射光谱线宽为2nm，同时指出微碟激光器射线宽比F-P普通激光器宽很多是由于其品质因数很高造成的Similar works
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