Self-organized InP islands on (100) GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy

The effect of growth temperature, deposition rate, and substrate misorientation angle on size, density, and uniformity of InP islands grown on (100) GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy is investigated. The density of InP islands is observed to remain constant as a function of growth temperature in the temperature range of 620–680 °C. Below 620 °C the island density increases with decreasing temperature. Above 605 °C a subset of islands having a uniform size is observed. The degree of uniformity depends largely on the deposition rate and the size of the uniform islands on the growth temperature.Peer reviewe

A complete description of Szep's (2,p)- semifields

Abstract

Simultaneous determination of indium and nitrogen contents of InGaAsN quantum wells by optical in situ monitoring

In situ monitoring of metal-organic vapor phase epitaxialgrowth of InGaAsN∕GaAs multiquantum wells is studied. The complex refractive index of InGaAsN is determined for several indium and nitrogen contents based on the fits to the reflectance curve. Taking advantage of the different effects caused by the incorporation of indium and nitrogen on the complex refractive index of InGaAsN, the InGaAsN quantum well nitrogen and indium contents are simultaneously determined in situ.Peer reviewe

Strain-induced quantum dots by self-organized stressors

Novel in situ method to produce quantum dots is reported. Three‐dimensional confinement of carriers to a GaInAs/GaAs quantum welldots is observed by photoluminescence. The confinement potential is induced by stressors, formed by self‐organizing growth of InP nanoscale islands on top barrier GaAssurface. Two transitions arising from the strain‐induced quantum dots produced by two types of InP islands are identified. The luminescence from higher electronic states of the quantum dots having a level splitting of 8 meV is also observed.Peer reviewe

Self-assembled GaIn(N)As quantum dots: Enhanced luminescence at 1.3 µm

Self-assembled GaIn(N)As quantum dots are fabricated on GaAs by atmospheric pressuremetalorganic vapor-phase epitaxy using dimethylhydrazine (DMHy) precursor as a nitrogen source. The incorporation of nitrogen into the islands is observed to be negligible. However, the areal density of the islands is increased by up to one order of magnitude compared to that of the respective GaInAs islands. The GaIn(N)As island size can also be controlled by varying the DMHy flow. An enhancement of the room-temperature luminescence at 1.3 μm is observed in the GaIn(N)As samples grown with DMHy.Peer reviewe

"Design on DNA:ssa". Suomalainen design mediassa – muutoksia ja mahdollisuuksia

Suomalaisella designilla ja muotoilulla on vahvat juuret, jotka ovat rakentuneet käsityöperinteen ja tunnettujen suunnittelijanimien pohjalta. Tänä päivänä keskusteluun ovat nousseet aiheet esimerkiksi designin valmistusmaasta, sen uusista muodoista ja mahdollisuuksista sekä uusien designereiden ja suunnittelijoiden sukupolvesta. Esimerkiksi sanomalehdet, blogit ja poliittiset julkaisut rakentavat suomalaisen designin julkisuuskuvaa. Julkisuuskuva muodostuu osaltaan muotoilupoliittisesta keskustelusta, jota käydään mediassa ja joka toimii julkisuuden ehdoilla. Tämän tutkimuksen tavoite oli selvittää, miten mediassa puhutaan suomalaisesta designista ja etenkin millaisia muutoksia suomalaisen designin menestymiseksi ehdotetaan. Tulevaisuuden kannalta on tärkeää ymmärtää myös historiaa, joten tutkimuksessa esitellään myös suomalaisen designin kehitystä. Kehitys näkyy tänä päivänä myös median puhunnoissa, jotka usein nojautuvat historiaan. Tutkimusongelmaan haettiin vastausta kehysanalyysin avulla. Aineistosta tulkittiin kehyksiä eli laajoja näkökulmia. Aineisto koostuu 2000-luvulla ilmestyneistä 65 tekstistä, jotka kerättiin sanoma- ja aikakauslehdistä, blogeista sekä poliittisten ja designalan toimijoiden omista julkaisuista. Aineiston analyysin avulla tulkittiin kuusi erilaista kehystä – uskallus, designajattelu, yhteistyö, suomalaisuus, mahdollistaminen sekä näkymättömyys. Kehykset käsittelevät suomalaista designia erilaisista näkökulmista. Toimija-analyysin avulla tarkasteltiin, millaisia toimijoita teksteissä esiintyi ja millaisten toimijoiden vastuulle suomalaisen designin menestymistä asetetaan. Menestyksekkään tulevaisuuden kannalta tärkeimmiksi asioiksi nähtiin designin ymmärtäminen laajana käsitteenä sekä toimijoiden välinen yhteistyö. Esille nousivat lisäksi esimerkiksi koulutus, rahalliset avustukset, rohkeus sekä historiallisten juurien ja suomalaisuuden hyödyntäminen. Designereiden lisäksi teollisuus ja valmistavat yritykset sekä median luoma julkisuuskuva saivat eniten vastuuta onnistuneen tulevaisuuden luojina.fi=Opinnäytetyö kokotekstinä PDF-muodossa.|en=Thesis fulltext in PDF format.|sv=Lärdomsprov tillgängligt som fulltext i PDF-format