Transistor de base metálica tipo "p" eletrodepositado

Tese (doutorado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro de Ciências Físicas e Matemáticas. Programa de Pós-Graduação em Física.O Transistor de base metálica (TBM) é um tipo especial de transistor idealizado e desenvolvido no início da década de 1960, que possui potencial interesse no desenvolvimento atual de dispositivos spintrônicos. O objetivo principal desta tese é desenvolver e caracterizar um TBM tipo p fabricado inteiramente por eletrodeposição, buscando potenciais aplicações na área de spintrônica. A grande variedade de materiais que vêm sendo fabricados por eletrodeposição aumenta significativamente o interesse no estabelecimento desta técnica como alternativa simples e de baixo custo na preparação de filmes finos de alta qualidade. As propriedades elétricas das camadas eletrodepositadas vêm renovando o interesse da indústria nesta técnica, principalmente para aplicações de alta tecnologia. A estrutura do transistor estudado nesta tese é montada pela eletrodeposição sucessiva de um filme metálico, que pode ser Co ou Cu, na superfície de Si tipo p monocristalino, e de óxido Cu2O na superfície do filme metálico. Esta montagem caracteriza uma estrutura semicondutor - metal - semicondutor devido às propriedades naturais de semicondutor tipo p do Cu2O. As eletrodeposições do óxido semicondutor foram conduzidas potenciostaticamente, promovendo reações eletroquímicas de redução, através de eletrólito com sal de cobre e ácido lático em pH superior a 10, em condições ambientes. As eletrodeposições dos filmes metálicos em Si-p necessitaram da aplicação de luz durante os processos, devido às propriedades de condução do substrato tipo p de Si. Os potenciais de deposição encontrados para a formação da fase Cu2O foram sempre menos negativos que -0,60 V em relação ao eletrodo de referência, caracterizados por baixas taxas de deposição. A estrutura típica de TBM foi caracterizada quanto à composição e a morfologia por espectrometria de retro-espalhamento Rutherford, espectroscopia Raman, difração de raios X e microscopia de força atômica. Os dispositivos foram caracterizados eletricamente através de medidas de curvas de transistor e medidas a dois terminais. Os transistores eletrodepositados apresentaram propriedades dependentes das características da base metálica e do óxido emissor, com ganhos de corrente nas configurações base comum e emissor comum baseados no transporte de buracos através da base metálica. Os altos ganhos de corrente em base comum, aliados com informações obtidas pelas caracterizações morfológicas da base e das medidas elétricas, classificam nestes casos que os dispositivos apresentam um comportamento típico de transistor de base permeável. A investigação das propriedades magnéticas da base demonstrou que a corrente elétrica que atravessa os dispositivos é polarizada em spin, com ganho de corrente dependente da aplicação de campo magnético. Esta propriedade inclui o transistor eletrodepositado no grupo dos dispositivos spintrônicos

Poder termoelétrico em ligas de Cu e Ni eletrodepositadas em Si

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro de Ciências Físicas e Matemáticas. Programa de Pós-graduação em Física.Este trabalho teve como principal objetivo medir o poder termoelétrico de filmes finos de ligas de Cu e Ni em substrato de Si tipo n (100), fabricados através de eletrodeposição potenciostática. O poder termoelétrico em função da temperatura foi obtido através do método diferencial, onde é aplicado um pequeno gradiente de temperatura na amostra enquanto é lida a diferença de potencial elétrico gerada (voltagem Seebeck), em função da temperatura média do filme. Neste intuito, foi implementado um equipamento para medida do poder termoelétrico em filmes finos no intervalo que vai da temperatura ambiente até 200 oC. Foram analisados também filmes finos de CuNi eletrodepositados sobre substrato de Ni/kapton e Au/vidro. As propriedades elétricas e termoelétricas das ligas de CuNi eletrodepositadas apresentaram um comportamento semelhante ao observado em ligas volumétricas. Uma importante etapa foi a consideração da influência do substrato de silício sobre o poder termoelétrico do sistema CuNi/Si

Perception of variables that impact the acquisition of life generator of free benefits plan and plan generator of free benefits by employees in the financial system : a case study of Banco De Lage Landen

Este estudo teve como objetivo analisar as principais variáveis que impactam nas contratações dos planos Plano Gerador de Benefícios Livres (PGBL) e Vida Gerador de Benefícios Livres (VGBL) por parte dos colaboradores do Banco De Lage Landen. Os Planos de previdência privada possuem grande relevância econômica no Brasil, sendo responsáveis por uma fatia relevante do Produto Interno Bruto (PIB). O estudo se limita ao banco De Lage Landen e às motivações para aquisição desses planos, assim como também não é feita nenhuma análise comparativa entre investimentos alternativos à previdência privada. Através da análise de dados do mercado, artigos, documentos bibliográficos e questionário aplicado aos colaboradores, realizou-se um estudo com caráter quantitativo e exploratório. Foi aplicado um formulário obtendo a resposta de uma amostra válida de 71 funcionários, com o método de medição das respostas de afirmações adaptadas de Vitor Hugo Tessaro de Souza (2011) e por Vanessa Fernandes Vasconcelos (2021) e, para análise, a métrica de Likert. Conclui-se que a principal motivação para aquisição de planos de previdência privada aberta se dá, em primeiro lugar, pela busca de complemento de renda para aposentadoria e, em segundo lugar, para a formação de uma reserva monetária para o futuro.This study aimed to analyze the main variables that impact the acquisition of PGBL and VGBL plans by employees of Banco De Lage Landen. Private pension plans have great economic relevance in Brazil, being responsible for a relevant share of GDP. The study is limited to the De Lage Landen bank, the motivations for acquiring these plans and not for not acquiring them, as well as no comparative analysis between alternative investments to private pension were done. Through the analysis of market data, articles, bibliographic documents and a questionnaire applied to employees, a quantitative and exploratory study was conducted. A form was applied, obtaining the response from a valid sample of 71 employees, with the method of measuring the responses of statements adapted from Vitor Hugo Tessaro de Souza (2011) and by Vanessa Fernandes Vasconcelos (2021) and, for analysis, the metric of Likert. The conclusion of this study is that the main motivation for acquiring open private pension plans is, firstly, the search for a supplementary income for retirement and, secondly, the formation of a monetary reserve for the future

TiO2 thin Films for Biofouling Applications

<div><p>This work presents a study of TiO2 thin films prepared by sputtering, for using as protection for biofouling action on marine structures. Titanium oxide thin films were prepared with different amount of oxygen on the surface of regular 1020 steel, a structural material for marine technology. The cristalline structure analysis evidenced the formation of anatase and rutile phases, as well as an amorphous phase of titanium oxide. Roughness measurements shown that the surface finish can contribute to the fixation of microorganisms. The crystalline TiO2 thin films was evaluated as a potential biofouling protective coating. Contact angle measurements revealed that under UV-C light, the material evidenced a changing in wettability from hydrophobic to hydrophilic behavior, what is associated to the activation of photocatalytic reactions that is nocive for living beings on its surface. The effect of marine ambient on sample corroborates this conclusion, where after 6 months of exposure it was not sufficient for growing of biofouling on surface.</p></div