Nonsolvable signalizer functors on finite groups

Peer Reviewedhttp://deepblue.lib.umich.edu/bitstream/2027.42/23876/1/0000115.pd

Near solvable signalizer functors on finite groups

Peer Reviewedhttp://deepblue.lib.umich.edu/bitstream/2027.42/23875/1/0000114.pd

Processo Para Induzir, Aumentar E Controlar A Criação De Centros De Defeitos Associados à Fotosensitividade E Geração Do Segundo HarmÈnico Em Preformas De Sio2:geo2 Fabricadas Pela Técnica De Deposição Axial Em Fase Vapor (vad)

PROCESSO PARA INDUZIR, AUMENTAR E CONTROLAR A CRIAÇÃO DE CENTROS DE DEFEITOS ASSOCIADOS À FOTOSENSITIVIDADE E GERAÇÃO DO SEGUNDO HARMÔNICO EM PREFORM-AS DE SiO2: GeO2 FABRICADAS PELA TÉCNICA DE DEPOSIÇÃO AXIAL EM FASE VAPOR (VAD). A presente invenção esta relacionada com o desenvolvimento de novo processo de preparação de vidros de SiO2: GeO2 (sílica - germânia) pela técnica de deposição axial em fase vapor (VAD), para intensificar a resposta não-linear do material. O processo é baseado no controle dos centros de defeitos que são associados às propriedades eletro - ópticas, tais como a fotosensitividade e a geração do segundo harmônico, através dos parâmetros do processo de preparação de preformas vítreas de SiO2: GeO2. Desenvolveram-se duas fases do processo para induzir, controlar e aumentar a formação destes defeitos e com isto obter um material óptico baseado no vidro de SiO2: GeO2 no qual seu comportamento não linear pode ser controlado a partir do conteúdo dos centros de defeitos introduzidos no vidro através dos parâmetros usados durante a preparação do material, reduzindo-se ao mínimo o número de passos no processo de síntese do vidro de SiO2: GeO2 com alto desempenho na geração de centros de defeitos responsáveis pelas propriedades ópticas não-lineares de segunda ordem.BRPI0404965 (A)C03B37/018C23C16/40C23C16/453C23C16/52C03B37/018C23C16/40C23C16/453C23C16/52BR2004PI04965C03B37/018C23C16/40C23C16/453C23C16/52C03B37/018C23C16/40C23C16/453C23C16/5