Fabricación de circuitos electrónicos en placa PCB para las prácticas de TICs

Memoria ID-0162. Ayudas de la Universidad de Salamanca para la innovación docente, curso 2015-2016

Diseño de prácticas de Instrumentación Virtual para adquisición de datos y monitorización de sensores

Memoria ID12-0238. Ayudas de la Universidad de Salamanca para la innovación docente, curso 2012-2013

Desarrollo de circuitos usando la aplicación ‘Everycircuit’ basada en el sistema Android para la mejora de la docencia de practicas de Electrónica

Memoria ID-206. Ayudas de la Universidad de Salamanca para la innovación docente, curso 2013-2014

Desarrollo de modelos y circuitos electrónicos para herramientas CAD compatibles con SPICE

Memoria ID12-0239. Ayudas de la Universidad de Salamanca para la innovación docente, curso 2012-2013

Adquisición inalámbrica de datos en las prácticas de Electrónica

Memoria ID-0300. Ayudas de la Universidad de Salamanca para la innovación docente, curso 2014-2015

Diseño de sensores integrados para MEMS

Memoria ID-214. Ayudas de la Universidad de Salamanca para la innovación docente, curso 2013-2014

Pruebas de evaluación continua adaptadas y uso de herramientas de Studium para mejorar el aprendizaje en prácticas de asignaturas de Electrónica

Memoria ID2022-174 Ayudas de la Universidad de Salamanca para la innovación docente, curso 2022-2023

Desarrollo interactivo de aplicaciones para la Enseñanza de las TIC

Memoria ID11-157. Ayudas de la Universidad de Salamanca para la innovación docente, curso 2011-2012

Adquisición de datos usando hardware open source

Memoria ID-0299. Ayudas de la Universidad de Salamanca para la innovación docente, curso 2014-2015

Room-Temperature Terahertz Detection and Imaging by Using Strained-Silicon MODFETs

This chapter reports on an experimental and theoretical study of Schottky-gated strained-Si modulation-doped field-effect transistors (MODFETs) with different sub-micron gate lengths (100, 250, and 500 nm). Room-temperature detection of terahertz (THz) radiation by the strained-Si MODFETs was performed at two frequencies (0.15 and 0.3 THz). A technology computer-aided design (TCAD) analysis based on a two-dimensional hydrodynamic model (HDM) was used to investigate the transistor response to THz radiation excitation. TCAD simulation was validated through comparison with DC and low-frequency AC measurements. It was found that the photoresponse of the transistors can be improved by applying a constant drain-to-source bias. This enhancement was observed both theoretically and experimentally. The HDM model satisfactorily describes the experimental dependence of the photoresponse on the excitation frequency, the gate bias, and the drain-to-source current bias. The coupling of the incoming THz radiation to the MODFETs was studied at 0.15 and 0.3 THz. Finally, to demonstrate the suitability of strained-Si MODFET for terahertz applications, an image sensor within a pixel-by-pixel terahertz imaging system for the inspection of hidden objects was used