Correlation effects in the density of states of annealed GaMnAs

We report on an experimental study of low temperature tunnelling in hybrid NbTiN/GaMnAs structures. The conductance measurements display a root mean square V dependence, consistent with the opening of a correlation gap in the density of states of GaMnAs. Our experiment shows that low temperature annealing is a direct empirical tool that modifies the correlation gap and thus the electron-electron interaction. Consistent with previous results on boron-doped silicon we find, as a function of voltage, a transition across the phase boundary delimiting the direct and exchange correlation regime.Comment: Replaced with revised version. To appear in Phys. Rev.

Determination of the valence band offset at cubic CdSe/ZnTe type II heterojunctions: A combined experimental and theoretical approach

We present a combined experimental and theoretical approach for the determination of the low-temperature valence band offset (VBO) at CdSe/ZnTe heterojunctions with underlying zincblende crystal structure. On the experimental side, the optical transition of the type II interface allows for a precise measurement of the type II band gap. We show how the excitation-power dependent shift of this photoluminescence (PL) signal can be used for any type II system for a precise determination of the VBO. On the theoretical side, we use a refined empirical tight-binding parametrization in order to accurately reproduce the band structure and density of states around the band gap region of cubic CdSe and ZnTe and then calculate the branch point energy (also known as charge neutrality level) for both materials. Because of the cubic crystal structure and the small lattice mismatch across the interface, the VBO for the material system under consideration can then be obtained from a charge neutrality condition, in good agreement with the PL measurements.Comment: 11 pages, 5 figure

Nearly Massless Electrons in the Silicon Interface with a Metal Film

We demonstrate the realization of nearly massless electrons in the most widely used device material, silicon, at the interface with a metal film. Using angle-resolved photoemission, we found that the surface band of a monolayer lead film drives a hole band of the Si inversion layer formed at the interface with the film to have nearly linear dispersion with an effective mass about 20 times lighter than bulk Si and comparable to graphene. The reduction of mass can be accounted for by repulsive interaction between neighboring bands of the metal film and Si substrate. Our result suggests a promising way to take advantage of massless carriers in silicon-based thin-film devices, which can also be applied for various other semiconductor devices.Comment: 4 pages, 4 figures, accepted for publication in Physical Review Letter

Prognostische Bedeutung der R1 Resektion : verbessertes Überleben in der Ära elektiver Chemotherapie

Einleitung: Die Resektion kolorektaler Lebermetastasen ist der alleinigen Chemotherapie überlegen und erfolgt unter kurativer Zielsetzung. Multimodale Therapiekonzepte erlauben zunehmend primär irresektable Metastasen sekundär zu resezieren. Bei einem Teil der Patienten wird das Ziel der Tumorfreiheit nicht erreicht. Anhand einer retrospektiven Analyse wurde der Anteil der nicht kurativ resezierten Patienten nach primärer und sekundärer Resektion und ihr Überleben bestimmt. Material und Methoden: Bei 152 Patienten wurden zwischen 1/02 – 7/07 insgesamt 174 Leberresektionen aufgrund kolorektaler Metastasen durchgeführt. Dieses Kollektiv wurde anhand des R-Status der Leberresektion in eine kurativ- (Gruppe I) und in eine nicht kurativ resezierte Gruppe (Gruppe II) unterteilt. Die Auswertung erfolgte retrospektiv nach Überleben, Metastasenausdehnung, neoadjuvanter Chemotherapie und primärem Tumorstadium. Ergebnisse: 174 Leberresektionen schlossen 44 Re-Resektion und 6 zweizeitige Resektionen ein. Bei 61 Patienten erfolgte eine neoadjuvante Chemotherapie vor der Leberresektion. Die demographischen Daten beider Gruppen zeigten keinen signifikanten Unterschied (Gr. I: Männer: 60%, Alter: 63+/-1; Gr. II: Männer: 65%, Alter: 57+/-2,4). Die Anzahl der resezierten Metastasen war in Gruppe II signifikant höher (Gr. I: 1,5+/-0,1; Gr. II: 3,5+/-0,7, p<0,01), während die lokale Primärtumor-Ausdehnung gemessen am T-Stadium (Gr. I: 2,8 +/- 0,1, Gr. II: 2,8 +/- 0,13, n.s.) keinen Unterschied zeigte. Der Anteil der nicht kurativ resezierten Patienten war nach primärer und sekundärer Resektion gleich (17% vs. 21%, n.s.). Das Gesamtüberleben (4-Jahre, Kaplan-Meier) (Gr. I: 61%, Gr. II: 29%, p<0,05) und das mediane Überleben (Gr. I: 4,4, Gr. II: 2,4 [Jahre], p<0,05) wiesen einen signifikanten Unterschied auf. Schlussfolgerung: Der R-Status nach Resektion kolorektaler Lebermetastasen ist weiterhin ein entscheidender prognostischer Faktor. R-1 resezierte Patienten erreichen jedoch mit 2,4 Jahren ein besseres medianes Überleben als vergleichbare historische Kollektive. Sekundäre Resektionen nach neoadjuvanter Therapie weisen eine vergleichbar hohe Rate an R1 Resektionen auf wie bei primären Resektionen

Strong enhancement of the tunneling magnetoresistance by electron filtering in an Fe/MgO/Fe/GaAs(001) junction

Calculations of the tunneling magnetoresistance (TMR) of an epitaxial Fe/MgO/Fe tunneling junction attached to an n-type GaAs lead, under positive gate voltage, are presented. It is shown that for realistic GaAs carrier densities the TMR of this composite system can be more than 2 orders of magnitude higher than that of a conventional Fe/MgO/Fe junction. Furthermore, the high TMR is achieved with modest MgO thicknesses and is very robust to disorder at the Fe/GaAs interface and within the GaAs layer itself. The significant practical advantage of this system is that huge TMRs should be attainable for junctions with modest resistances. For a GaAs carrier density of 1019??cm-3 the system is calculated to have a TMR in excess of 10?000% but its resistance is equivalent to that of a conventional Fe/MgO/Fe junction with only 6–7 at. planes of MgO

Surface versus bulk characterization of the electronic inhomogeneity in a VO_{2} film

We investigated the inhomogeneous electronic properties at the surface and interior of VO_{2} thin films that exhibit a strong first-order metal-insulator transition (MIT). Using the crystal structural change that accompanies a VO_{2} MIT, we used bulk-sensitive X-ray diffraction (XRD) measurements to estimate the fraction of metallic volume p^{XRD} in our VO_{2} film. The temperature dependence of the p$^{XRD}$ was very closely correlated with the dc conductivity near the MIT temperature, and fit the percolation theory predictions quite well: $\sigma$ $\sim$ (p - p_{c})^{t} with t = 2.0$\pm$0.1 and p_{c} = 0.16$\pm$0.01. This agreement demonstrates that in our VO$_{2}$ thin film, the MIT should occur during the percolation process. We also used surface-sensitive scanning tunneling spectroscopy (STS) to investigate the microscopic evolution of the MIT near the surface. Similar to the XRD results, STS maps revealed a systematic decrease in the metallic phase as temperature decreased. However, this rate of change was much slower than the rate observed with XRD, indicating that the electronic inhomogeneity near the surface differs greatly from that inside the film. We investigated several possible origins of this discrepancy, and postulated that the variety in the strain states near the surface plays an important role in the broad MIT observed using STS. We also explored the possible involvement of such strain effects in other correlated electron oxide systems with strong electron-lattice interactions.Comment: 27 pages and 7 figure

Letalität auf der Warteliste und Transplantation bei Leberallokation nach MELD Score in Deutschland - erste prospektive Ergebnisse bei 100 Patienten

Einleitung: Am 16.12.06 wurde im Eurotransplant-Gebiet der MELD-Score (MELD) als Allokationsbasis zur Lebertransplantation (OLT) eingeführt. Ziel ist eine Reduktion der Sterblichkeit auf der Warteliste. Material und Methoden: 100 Patienten wurden in die prospektive Analyse der MELD-Allokation vom 16.12.06 bis 15.09.07 einbezogen. Ergebnisse: Aktuell warten 68 Pat., 28 Pat. wurden transplantiert, 4 Pat. sind auf der Warteliste (WL) verstorben (4%). Der mittlere MELD auf der WL beträgt 17,2 +/- 5,2 (7-28). Bei 12 Pat. liegt eine Standard-exception (SE) (n=10 HCC, n=2 metabolische Erkrankung) mit einem Match-MELD von 25,6 +/-2,06 vor (24-28). Die Todesursachen der vier auf der WL verstorbenen Pat. waren eine akute Varizenblutung (MELD 9), zwei kardiale Versagen (MELD 13, 18) und eine MRSA-Sepsis (MELD 29, NT-Status). Die 28 transplantierten Pat. hatte zum Zeitpunkt der Transplantation einen mittleren MELD von 27,66 +/- 5,1 Punkten (21 bis 40). 20 Pat. wurden aufgrund des Labor-MELD (28,4 +/- 5,3, 24-40) transplantiert, wobei 7 Pat. einen MELD über 30 aufwiesen. Die Wartezeit lag bei 11,55 +/- 5,3 Tagen. 8 Pat. erhielten bei SE bei HCC (MELD 24 +/- 0, 24) ein Organ nach einer Wartezeit von 320 +/- 9,7 Tagen. Aktuell leben 23 der 28 transplantierten Pat. Bei zwei verstorbenen Pat. war die Todesursache ein kardiales Versagen, bei zwei Patienten eine primäre Non-Funktion sowie ein septisches Multiorganversagen. Schlussfolgerung: Während der ersten Monate der MELD Allokation lag die Letalität auf der WL in unserem Zentrum bei 4%. Patienten mit einem mittleren MELD über 27 erhielten Organangebote und konnten nach kurzer Wartezeit transplantiert werden

A model for single electron decays from a strongly isolated quantum dot

Recent measurements of electron escape from a non-equilibrium charged quantum dot are interpreted within a 2D separable model. The confining potential is derived from 3D self-consistent Poisson-Thomas-Fermi calculations. It is found that the sequence of decay lifetimes provides a sensitive test of the confining potential and its dependence on electron occupation.Comment: 9 pages, 10 figure

Energy-resolved electron-spin dynamics at surfaces of p-doped GaAs

Electron-spin relaxation at different surfaces of p-doped GaAs is investigated by means of spin, time and energy resolved 2-photon photoemission. These results are contrasted with bulk results obtained by time-resolved Faraday rotation measurements as well as calculations of the Bir-Aronov-Pikus spin-flip mechanism. Due to the reduced hole density in the band bending region at the (100) surface the spin-relaxation time increases over two orders of magnitude towards lower energies. At the flat-band (011) surface a constant spin relaxation time in agreement with our measurements and calculations for bulk GaAs is obtained.Comment: 6 pages, 4 figure