Delayed diagnosis and treatment of extreme hypertriglyceridemia due to rejection of a lipemic sample

Most laboratories routinely determine haemolysis, icterus and lipemia indices to identify lipemic samples and reject potentially affected results. Hypertriglyceridemia is the most common cause of lipemia and severe hypertriglyceridemia (≥ 11.3 mmol/L) is a major risk factor of acute pancreatitis. A 56-year-old woman attended the outpatient clinic for a follow-up visit 1 month after a kidney transplantation. Her immunosuppressive therapy consisted of corticosteroids, cyclosporine, and mycophenolic acid. The routine clinical chemistry sample was rejected due to extreme lipemia. The comment “extreme lipemic sample” was added on the report, but the requesting physician could not be reached. The Cobas 8000 gave a technical error (absorption > 3.3) for the HIL-indices (L-index: 38.6 mmol/L) which persisted after high-speed centrifugation. The patient was given a new appointment 2 days later. The new sample was also grossly lipemic and gave the same technical error (L-index: 35.9 mmol/L). The second sample was manually diluted 20-fold after centrifugation to obtain a result for triglycerides within the measuring range (0.10–50.0 mmol/L). Triglycerides were 169.1 mmol/L, corresponding to very severe hypertriglyceridemia. This result was communicated to the nephrologist and the patient immediately recalled to the hospital. She received therapeutic plasma exchange the next day and did not develop acute pancreatitis. This case illustrates the delicate balance between avoiding the release of unreliable results due to lipemia and the risk of delayed diagnosis when results are rejected. Providing an estimate of the degree of hypertriglyceridemia might be preferable to rejecting the result

Donorleeftijd en versnelde veroudering van transplantnieren

status: publishe

Organic Thin-Film Transistors : Process Technology and Circuit Design (Organische dunnefilmtransistoren : procesontwikkeling en ontwerp van schakelingen)

Organische halfgeleiders liggen aan de basis van een relatief nieuw enuitgebreid onderzoeksdomein, nl. de organische elektronica. Debijzondere eigenschappen van deze materialen leiden tot een aantalspecifieke voordelen van een dergelijke technologie. Men verwacht dathet gebruik van organische halfgeleiders zal leiden tot een bredewaaier van toepassingen. Organische lichtemitterende diodes zijntegenwoordig al commercieel beschikbaar, en het ligt in de lijn van deverwachtingen dat ook organische dunnefilmtransistors gebruikt zullenworden in een aantal specifieke toepassingen.Deze thesis handelt over organische dunnefilmtransistors. Tijdensdit doctoraatswerk werden twee belangrijke onderwerpen onderzocht. Dehoofdbrok van deze thesis bestaat uit de technologische ontwikkelingvan een proces om organische dunnefilmtransistors en schakelingen tefabriceren. Verder is er ook onderzoek verricht op het gebied van hetontwerp van schakelingen op basis van deze transistors.Na een bondige inleiding tot de organische elektronica, beschrijvenwe de technologische ontwikkeling van organische dunnefilmtransistors,en leggen we zo verband tussen een aantal technologische aspecten en deelektrische performantie van de transistors. De verschillende soortenorganische transistors worden toegelicht. De depositie van pentaceen deorganische halfgeleider, de substraatbehandeling en de patronering vande halfgeleider worden besproken. Er wordt bijzondere aandacht besteedaan een nieuwe substraatbehandeling en aan een nieuwe methode om deorganische halfgeleider te patroneren.Vervolgens gaan we dieper in op het ontwerp en de realisatie vanschakelingen, gebaseerd op organische dunnefilmtransistors. Webeschrijven in detail een nieuwe methode om n- en p-typeorganischedunnefilmtransistors te patroneren op eenzelfde substraat. Het succesvan deze complementaire technologie wordt overtuigend aangetoond doorde excellente werking van eencomplementaire organische invertor.Verder hebben we ook een lichtemitterende organischeveldeffecttransistor gerealiseerd, waarin een pn-heterojunctie in hettransistorkanaal gepatroneerd werd.Tenslotte beschrijven we de relatie tussen de parameters vanorganische p-type transistors, en de ruismarge van een invertor diegebaseerd is op dergelijke componenten. Er wordt ook een statistischeverdeling van de drempelspanning geïntroduceerd om na te gaan welkeinvloed deze niet-uniformiteit heeft op op de werking van de invertor.Omdat de ruismarge van een invertor een maatstaf is voor de robuustewerking ervan, hebben we een direct verband kunnen leggentussen deuniformiteit van de drempelspanning van de transistors en de opbrengstvan organische schakelingen. Deze analyse geeft overduidelijk aan datde uniformiteit van de drempelspanning een cruciale parameter is omorganische schakelingen van enige complexiteit te fabriceren.status: publishe

Influence of transistor parameters on the noise margin of organic digital circuits

The concept of noise margin is crucial in the design and operation of digital logic circuits. Analytical expressions for the transfer curves of an inverter based on two depletion-mode p-type organic thin-film transistors (OTFTs) were calculated. Based on these expressions, the values for the noise margin of organic-based inverters were calculated. In this paper, the influence of the OTFT parameters on the noise margin is presented. Knowing that statistical variations of the transistor parameters are inherent to OTFT technology, these statistical variations are also taken into account. Finally, a circuit yield analysis is presented. © 2006 IEEE.status: publishe

Patterning of organic thin film transistors by oxygen plasma etch

All applications of organic thin film transistors require patterning of the organic thin film to achieve a low off current and to prevent cross talk between neighboring transistors. A common method for patterning consists of using a protective layer and etching the uncovered small molecule film by oxygen plasma. One of the handicaps of this process is the observed degradation of the transistor characteristics. By varying the resist overlap, the authors show that the main cause of this performance degradation is, in fact, a far-reaching underetch of the oxygen plasma which can be overcome by choosing the right geometry of the resist pattern. © 2006 American Institute of Physics.status: publishe