On the discrete kolmogorov–wiener filter for the one-point prediction of exponentially smoothed heavy-tail processes

The prediction of telecommunication traffic is an important problem for telecommunications and cyber security, see a detailed description in [1]. There are a plenty of different (and rather sophisticated) approaches to traffic prediction, see [1]. The telecommunication traffic is considered to be stationary random process in a couple of models, and, as is known, such a simple algorithm as the Kolmogorov–Wiener filter may be applied to prediction of stationary processes. So, it is of interest to investigate the possibility of the Kolmogorov–Wiener filter application to heavy-tail process prediction, because traffic in telecommunication systems with data packet transfer in considered to be a heavy-tail random process, see [2,3]. Out previous paper [4] is devoted to the corresponding problem

The experimental determination of heavy metal nuclei fission reactions cross sections at 0.66 GeV protons beam

Cross sections of fission reactions of ¹⁹⁷Au, ²⁰⁷Pb, ²⁰⁹Bi, ²³²Th, ²³⁸U heavy metals induced by protons with energy of 0.66 GeV are presented. The protons beam was extracted from the Phasotron accelerator at JINR, Dubna, Russian Federation. Fission reactions cross sections were measured using solid state nuclear track detectors (SSNTD) and activation gamma-spectroscopy. The comparison with results from others researchers were done. The obtained results would be added in the international databases for testing of programme code for ADS-systems.Представлені експериментальні дані по перетинах реакцій поділу ядер важких металів ¹⁹⁷Au, ²⁰⁷Pb, ²⁰⁹Bi, ²³²Th, ²³⁸U під дією протонів з енергією 0,66 ГеВ. Експерименти проведені на пучках протонів прискорювача Фазатрон, ОІЯД, Дубна, РФ. Для визначення перетинів реакцій поділу використана комплексна методика твердотільних трекових детекторів ядер і активаціонної гамма-спектрометрії. Виконано порівняння отриманих результатів з результатами інших дослідників. Отримані результати доповнять базу експериментальних ядерних даних, що дозволить протестувати комп'ютерні коди, що застосовуються при розрахунках параметрів ADS.Представлены экспериментальные данные по сечениям реакций деления ядер тяжелых металлов ¹⁹⁷Au, ²⁰⁷Pb, ²⁰⁹Bi, ²³²Th, ²³⁸U под действием протонов с энергией 0,66 ГэВ. Эксперименты проведены на пучках протонов ускорителя Фазатрон, ОИЯИ, Дубна, РФ. Для определения сечений реакций деления использована комплексная методика твердотельных трековых детекторов ядер и активационной гамма-спектрометрии. Выполнено сравнение полученных результатов с результатами других исследователей. Полученные результаты дополнят базу экспериментальных ядерных данных, что позволит протестировать компьютерные коды, применяемые при расчетах параметров ADS

About the first experiment at JINR nuclotron deuteron beam with energy 2.52 gev on investigation of transmutation of I-129, NP-237, PU-238 and PU-239 in the field of neutrons generated in pbtarget with U-blanket

The experiment described in this communication is a part of the scientific program „Investigations of physical aspects of electronuclear method of energy production and transmutation of radioactive waste of atomic energetic using relativistic beams from the JINR Synchrophasotron/Nuclotron“ - the project „Energy plus Transmutation“. The performing of the first experiment at deuteron beam with energy 2.52 GeV at the electronuclear setup which consists of Pb-target with U-blanket (206.4 kg of natural uranium) and transmutation samples and its preliminary results are described. The hermetic samples of isotopes of I-129, Np-237, Pu-238 and Pu-239 which are produced in atomic reactors and industry setups which use nuclear materials and nuclear technologies were irradiated in the field of electronuclear neutrons produced in the Pbtarget surrounded with the U-blanket setup “Energy plus transmutation”. The estimations of its transmutations (radioecological aspect) were obtained in result of measurements of gamma activities of these samples. The information about space-energy distribution of neutrons in the volume of the Pb-target and the U-blanket was obtained with help of sets of activation threshold detectors (Al, V, Cu, Co, Y, In, I, Ta, Au, W, Bi and other), solid state nuclear track detectors, He-3 neutron detectors and nuclear emulsions

Human Resource Management in the Knowledge Economy: Current Trends

In the article modern trends in Human Resource Management, its main characteristics and the urgency of the application in the modern world are described

Human Resource Management in the Knowledge Economy: Current Trends

In the article modern trends in Human Resource Management, its main characteristics and the urgency of the application in the modern world are described

Експериментальне дослідження межі розділу діоксид церію — кремній МДН структур

The article is devoted to the actual task of studying a dielectric, which is an alternative to silicon dioxide in metal-insulator-semiconductor (MIS) structures. In metal-silicon dioxide-silicon structures, upon going to nanosize, the thickness of the dielectric film decreases so much that it becomes tunnel-transparent and its breakdown voltage decreases. These phenomena can be eliminated by replacing silicon dioxide with a dielectric with a higher dielectric constant. These dielectrics primarily include oxides of transition and rare-earth metals. The parameters and characteristics of the MIS structure are determined by various factors, but the properties of the dielectric and the dielectric-semiconductor interface play a special role. In previous works of the authors, it was theoretically proved that cerium dioxide from a number of candidate dielectrics should have the best quality of the interface with silicon. This work is devoted to a study aimed at determining the flat-band voltage and capacitance of MIS structures and at assessing the quality of the cerium dioxide-silicon interface. The study is carried out by the method of capacitance-voltage characteristics. For this, the high-frequency capacitance-voltage characteristics of the aluminum – cerium dioxide – silicon structures were measured at different temperatures. The capacity of the space charge region (SCR) in the enrichment and weak inversion modes of the near-surface layer of a semiconductoris considered. It is shown that the dependence of this capacitance in the (–2) degree on the voltage at the metal electrode cs-2(VG) is linear. The intersection of this line with the abscissa axis makes it possible to determine the flat-band voltage. The slope tangent of this linear dependence makes it possible to determine the energy density of the charge at the dielectric–semiconductor interface. It is shown that the charge density at the cerium dioxide – silicon interface corresponds to the minimum values of the charge density at the silicon dioxide – silicon interface. The absence of a shift in the capacitance-voltage characteristics of the structures under study with a change in temperature indicates the stability of the charge at the cerium dioxide - silicon interface.Работа посвящена актуальной задаче исследования диэлектрика альтернативного диоксиду кремния в структурах метал-диэлектрик-полупроводник (МДП). В структурах метал-диоксид кремния-кремний, при переходе к наноразмерам, толщина диэлектрической пленки уменьшается настолько, что становится туннельно-прозрачной и снижается ее напряжение пробоя. Исключить эти явления можно заменой диоксида кремния диэлектриком с более высокой диэлектрической проницаемостью. К таким диэлектрикам в первую очередь относятся окислы переходных и редкоземельных металлов. Параметры и характеристики МДП структуры определяются различными факторами, но особую роль играют свойства диэлектрика и границы раздела диэлектрик-полупроводник. В предыдущих работах авторов теоретически доказано, что диоксид церия из ряда диэлектриков-претендентов должен иметь наилучшее качество границы раздела с кремнием. Эта работа посвящена исследованию направленному на определение напряжения и емкости плоских зон МДП структур и на оценку качества границы раздела диоксид церия – кремний. Исследование проводится методом вольт-фарадных характеристик (ВФХ). Для этого были измерены высокочастотные вольт-фарадные характеристики структур алюминий – диоксид церия – кремний при разных температурах. Рассмотрено емкость области пространственного заряда (ОПЗ) в режиме обогащения и слабой инверсии приповерхностного слоя полупроводника. Показано, что зависимость этой емкости в (–2) степени от напряжения на металлическом электроде cs-2(VG) имеет линейный характер. Пересечение этой линии с осью абсцисс дает возможность определить напряжение плоских зон, а тангенс угла ее наклона – энергетическую плотность заряда на границе раздела диэлектрик-полупроводник. Показано, что плотность заряда на границе диоксид церия – кремний соответствует минимальным значениям плотности заряда на границе диоксид кремния – кремний. Отсутствие сдвига ВФХ исследуемых структур при изменении температуры свидетельствует о стабильности заряда на границе диоксид церия – кремний.Робота присвячена актуальній задачі дослідження діелектрика альтернативного діоксиду кремнію в структурах метал-діелектрик-напівпровідник (МДН). У структурах метал-діоксид кремнію-кремній, при переході до нанорозмірів, товщина діелектричної плівки зменшується настільки, що стає тунельно-прозорою і знижується її напруга пробою. Виключити ці явища можна заміною діоксиду кремнію діелектриком з більш високою діелектричною проникністю. До таких діелектриків в першу чергу відносяться оксиди перехідних і рідкоземельних металів. Параметри і характеристики МДН структури визначаються різними факторами, але особливу роль відіграють властивості діелектрика і межі діелектрик-напівпровідник. У попередніх роботах авторів теоретично доведено, що діоксид церію з ряду діелектриків-претендентів повинен мати найкращу якість межі розділу з кремнієм. Дана робота присвячена дослідженню спрямованому на визначення напруги і ємності плоских зон МДН структур та на оцінку якості межі розділу діоксид церію – кремній. Дослідження проводиться методом вольт-фарадних характеристик. Для цього були виміряні високочастотні вольт-фарадні характеристики структур алюміній – діоксид церію – кремній за різних температур. Розглянуто ємність області просторового заряду (ОПЗ) в режимі збагачення і слабкої інверсії приповерхневого шару напівпровідника. Показано, залежність цієї ємності в (–2) ступеня від напруги на металевому електроді cs-2(VG) має лінійний характер. Перетин цієї лінії з віссю абсцис дає можливість визначити напругу плоских зон, а тангенс кута її нахилу – енергетичну щільність заряду на межі поділу діелектрик-напівпровідник. Показано, що щільність заряду на межі діоксид церію – кремній відповідає мінімальним значенням щільності заряду на межі діоксид кремнію – кремній. Відсутність зсуву вольт-фарадних характеристик досліджуваних структур при зміні температури свідчить про стабільність заряду на кордоні діоксид церію – кремній.

Экспериментальное исследование границы раздела диоксид церия – кремний МДП структур

The article is devoted to the actual task of studying a dielectric, which is an alternative to silicon dioxide in metal-insulator-semiconductor (MIS) structures. In metal-silicon dioxide-silicon structures, upon going to nanosize, the thickness of the dielectric film decreases so much that it becomes tunnel-transparent and its breakdown voltage decreases. These phenomena can be eliminated by replacing silicon dioxide with a dielectric with a higher dielectric constant. These dielectrics primarily include oxides of transition and rareearth metals. The parameters and characteristics of the MIS structure are determined by various factors, but the properties of the dielectric and the dielectric-semiconductor interface play a special role. In previous works of the authors, it was theoretically proved that cerium dioxide from a number of candidate dielectrics should have the best quality of the interface with silicon. This work is devoted to a study aimed at determining the flat-band voltage and capacitance of MIS structures and at assessing the quality of the cerium dioxidesilicon interface. The study is carried out by the method of capacitance-voltage characteristics. For this, the high-frequency capacitance-voltage characteristics of the aluminum – cerium dioxide – silicon structures were measured at different temperatures. The capacity of the space charge region (SCR) in the enrichment and weak inversion modes of the near-surface layer of a semiconductoris considered. It is shown that the dependence of this capacitance in the (–2) degree on the voltage at the metal electrode c−s2(VG) is linear. The intersection of this line with the abscissa axis makes it possible to determine the flat-band voltage. The slope tangent of this linear dependence makes it possible to determine the energy density of the charge at the dielectric–semiconductor interface. It is shown that the charge density at the cerium dioxide – silicon interface corresponds to the minimum values of the charge density at the silicon dioxide – silicon interface. The absence of a shift in the capacitance-voltage characteristics of the structures under study with a change in temperature indicates the stability of the charge at the cerium dioxide - silicon interface.Робота присвячена актуальнiй задачi дослiдження дiелектрика альтернативного дiоксиду кремнiю в структурах метал-дiелектрик-напiвпровiдник (МДН). У структурах метал-дiоксид кремнiю-кремнiй, при переходi до нанорозмiрiв, товщина дiелектричної плiвки зменшується настiльки, що стає тунельно-прозорою i знижується її напруга пробою. Виключити цi явища можна замiною дiоксиду кремнiю дiелектриком з бiльш високою дiелектричною проникнiстю. До таких дiелектрикiв в першу чергу вiдносяться оксиди перехiдних i рiдкоземельних металiв. Параметри i характеристики МДН структури визначаються рiзними факторами, але особливу роль вiдiграють властивостi дiелектрика i межi дiелектрик-напiвпровiдник. У попереднiх роботах авторiв теоретично доведено, що дiоксид церiю з ряду дiелектрикiв-претендентiв повинен мати найкращу якiсть межi роздiлу з кремнiєм. Дана робота присвячена дослiдженню спрямованому на визначення напруги i ємностi плоских зон МДН структур та на оцiнку якостi межi роздiлу дiоксид церiю – кремнiй. Дослiдження проводиться методом вольт-фарадних характеристик. Для цього були вимiрянi високочастотнi вольт-фараднi характеристики структур алюмiнiй – дiоксид церiю – кремнiй за рiзних температур. Розглянуто ємнiсть областi просторового заряду (ОПЗ) в режимi збагачення i слабкої iнверсiї приповерхневого шару напiвпровiдника. Показано, залежнiсть цiєї ємностi в (–2) ступеня вiд напруги на металевому електродi c−s2(VG) має лiнiйний характер. Перетин цiєї лiнiї з вiссю абсцис дає можливiсть визначити напругу плоских зон, а тангенс кута її нахилу – енергетичну щiльнiсть заряду на межi подiлу дiелектрик-напiвпровiдник. Показано, що щiльнiсть заряду на межi дiоксид церiю – кремнiй вiдповiдає мiнiмальним значенням щiльностi заряду на межi дiоксид кремнiю – кремнiй. Вiдсутнiсть зсуву вольт-фарадних характеристик дослiджуваних структур при змiнi температури свiдчить про стабiльнiсть заряду на кордонi дiоксид церiю – кремнiй.Работа посвящена актуальной задаче исследования диэлектрика альтернативного диоксиду кремния в структурах метал-диэлектрик-полупроводник (МДП). В структурах метал-диоксид кремния-кремний, при переходе к наноразмерам, толщина диэлектрической пленки уменьшается настолько, что становится туннельнопрозрачной и снижается ее напряжение пробоя. Исключить эти явления можно заменой диоксида кремния диэлектриком с более высокой диэлектрической проницаемостью. К таким диэлектрикам в первую очередь относятся окислы переходных и редкоземельных металлов. Параметры и характеристики МДП структуры определяются различными факторами, но особую роль играют свойства диэлектрика и границы раздела диэлектрик-полупроводник. В предыдущих работах авторов теоретически доказано, что диоксид церия из ряда диэлектриков-претендентов должен иметь наилучшее качество границы раздела с кремнием. Эта работа посвящена исследованию направленному на определение напряжения и емкости плоских зон МДП структур и на оценку качества границы раздела диоксид церия – кремний. Исследование проводится методом вольт-фарадных характеристик (ВФХ). Для этого были измерены высокочастотные вольт-фарадные характеристики структур алюминий – диоксид церия – кремний при разных температурах. Рассмотрено емкость области пространственного заряда (ОПЗ) в режиме обогащения и слабой инверсии приповерхностного слоя полупроводника. Показано, что зависимость этой емкости в (–2) степени от напряжения на металлическом электроде c−s2(VG) имеет линейный характер. Пересечение этой линии с осью абсцисс дает возможность определить напряжение плоских зон, а тангенс угла ее наклона – энергетическую плотность заряда на границе раздела диэлектрик-полупроводник. Показано, что плотность заряда на границе диоксид церия – кремний соответствует минимальным значениям плотности заряда на границе диоксид кремния – кремний. Отсутствие сдвига ВФХ исследуемых структур при изменении температуры свидетельствует о стабильности заряда на границе диоксид церия – кремний

Оцінка часу виконання типових задач проектів на підприємствах з функціональною організаційною структурою

The questions of correspondence between functional tasks of departments and project tasks are investigated. The suggestion of assessing the execution time of the standard functional tasks of enterprise departments using the results of the previous project tasks execution has been made. The development of the standard functional tasks repository has been suggested. The scheme of the data processing for the project execution timeliness assessment is given. Recommendations on reducing the risk of the planned project execution time excess using the time parameters for the standard functional department tasks from repository during the project planning are given. Fig.: 2. Refs: 8 titles.Рассмотрены вопросы, связанные с установлением связи между функциональными задачами подразделений и задачами план-графиков проектов. Предложено рассчитывать оценки времени выполнения типовых функциональных задач подразделений предприятия на основе результатов выполнения связанных с ними задач предыдущих проектов. Предложено создание репозитория типовых функциональных задач. Представлена схема последовательности обработки данных для оценки своевременности выполнения проектов. Представлены рекомендации по уменьшению рисков превышения ожидаемого времени выполняемого проектов, согласно их план-графиков, путем использования временных параметров типовых функциональных задач подразделений при построении план-графиков проектов. Ил.: 2. Библогр.: 8 наим.Розглянуто питання щодо встановлення зв'язку між функціональними задачами підрозділів і задачами план-графіків проектів. Запропоновано розраховувати оцінки часу виконання типових функціональних задач підрозділів підприємства на основі результатів виконання пов'язаних з ними задач у попередніх проектах. Запропоновано створення репозиторію типових функціональних задач. Представлено схему послідовності обробки даних для оцінки своєчасності виконання проектів. Надано рекомендації щодо зменшення ризиків перевищення очікуваного часу виконання проектів, згідно їхніх план-графіків, шляхом використання часових параметрів типових функціональних задач підрозділів при побудові план-графіків проектів. Іл.: 2. Бібліогр.: 8 найм