Solitary precursor of large amplitude

In this paper the results of investigations of properties of solitary perturbation of large amplitude, propagating with light velocity at small angle to strong magnetic field in plate plasma-filled waveguide, are presented. This solitary perturbation is the hollow of electric potential. The hump of electric potential can be excited as a wake-field by electron bunch, but the hollow of electric potential, considered in this paper, is excited as a precursor of electron bunch. Because this hollow forms the positive spike of electron density, it can be excited as a precursor of laser pulse

REB reflection from the boundary plasma-vacuum

The necessary conditions of the experimentally observed reflection of "tail" of the dense relativistic electron beam from the plasma-vacuum boundary at once after full its injection into the plasma under condition of nb.>>n0, are considered in this paper.У статті розглядаються необхідні умови відбиття, що експериментально спостерігається, «хвоста» інжектованого щільного nb.>>n0 релятивістського електронного згустку від границі плазма-вакуум після повного його проникнення в плазму.В статье рассматриваются необходимые условия экспериментально наблюдаемого отражения «хвоста» инжектируемого плотного nb.>>n0 релятивистского электронного сгустка от границы плазма-вакуум после полного его проникновения в плазму

Strichartz estimates for the water-wave problem with surface tension

Strichartz-type estimates for one-dimensional surface water-waves under surface tension are studied, based on the formulation of the problem as a nonlinear dispersive equation. We establish a family of dispersion estimates on time scales depending on the size of the frequencies. We infer that a solution $u$ of the dispersive equation we introduce satisfies local-in-time Strichartz estimates with loss in derivative: $$\| u \|_{L^p([0,T]) W^{s-1/p,q}(\mathbb{R})} \leq C, \qquad \frac{2}{p} + \frac{1}{q} = {1/2},$$ where $C$ depends on $T$ and on the norms of the initial data in $H^s \times H^{s-3/2}$. The proof uses the frequency analysis and semiclassical Strichartz estimates for the linealized water-wave operator.Comment: Fixed typos and mistakes. Merged with arXiv:0809.451

New Electron Conversion Lines from Existing ?-Transitions In 160dy

Three photo plates derived with spectrograph LNP JINR with constant magnetic field [1] have been investigated using the Microscope Automatic Scanning MAS [2]. Electron internal conversion (ICE) spectrograms of two erbium (Er P-2, Er P-8) and one Ho fractions has been measured. More detailed analysis gave us the possibility to obtain some new lines (see table) in addition to many earlier existing lines in 160Dy [3]. For that investigations it is necessary to increase the speed with which microscopic objects are measured are described. These efforts include the modernization of the MAS automatic scanning microscope and the development of programs to reach an initial point and for carrying out automatic point-to-point linear transitions with a specified step. The error in realizing a transition to a given point with specified coordinates is shown to amount to 1 µm

Subcarrier wave continuous-variable quantum key distribution with Gaussian modulation: composable security analysis

In this paper, we continue the study of the quantum cryptographic GG02 protocol, performed using the approach based on the subcarrier waves. We modify the scheme via heterodyne detection and perform security analysis for the full trusted hardware noise model in the presence of collective attacks with finite-key effects. It is shown that the system can potentially distribute the key even if the level of losses in the channel is above 9 dB. This result is consistent with the general technical level and comply with modern standards of practical CV-QKD systems. Finally, the system under consideration fully meets the criterion of composability.The work was done by Leading Research Center "National Center for Quantum Internet" of ITMO University by order of JSCo Russian Railways

Simulation of the thermal mechanism in semiconductors under action of pulsed electromagnetic field

The paper presents a model taking into account the time character of heat localization and distribution in semiconductor devices unlike the classical Wunsch-Bell linear model describing the thermal mechanism of EM-radiation action on REA. The classification of action levels is given. The nonlinear model permitting to determine the time boundary of heat propagation in the semiconductor device is presented. In the time range t>tcr a uniform volumetric heating of the object takes place, and for t<tcr there is a heat localization in the range of energy release due to the lag of the heat dissipation process behind the energy input process. Taking this into account one determines the energy leading to irreversible results of action. The model allows one to determine the feeblest aspects of REA.В роботі, на відміну від класичної лінійної моделі Вунча-Белла, яка описує тепловий механізм впливу ЕМ-випромінювання на РЕА, пропонується модель, що враховує часовий характер локалізації та розповсюдження тепла в напівпровідникових пристроях. Дається класифікація рівнів впливу. Приводиться нелінійна модель, яка дозволяє враховувати часову межу розподілення тепла в напівпровідникових пристроях. В масштабі часу t>tкр має місце однорідний об’ємний розігрів об’єкту, а при t<tкр має місце локалізація тепла внаслідок запізнення процесу тепловідводу від процесу енерговводу в області енерговиділення. Виходячи з цього визначається енергія, що приводить до незворотних наслідків дії. Модель дозволяє визначити найбільш слабкі місця РЕА і дозволяє спростити експериментальні випробування елементної бази РЕА в цілому.В работе, в отличие от классической линейной модели Вунча-Белла, описывающей тепловой механизм влияния ЭМ-излучения на РЭА, предлагается модель, учитывающая временной характер локализации и распространения тепла в полупроводниковых приборах. Дается классификация уровней воздействия. Приводится нелинейная модель, которая позволяет определить временную границу распространения тепла в полупроводниковом приборе. В диапазоне времен t>tкр имеет место однородный объемный разогрев объекта, а при t<tкр происходит локализация тепла в области энерговыделения вследствие запаздывания процесса теплоотвода от процесса энерговвода. Исходя из этого, определяется энергия, приводящая к необратимым результатам воздействия. Модель позволяет определить наиболее слабые места РЭА и позволяет упростить экспериментальные испытания элементной базы и РЭА в целом

Study of the effect of plasma chemical oxidation of ethylene impurity on the efficiency of banana storage

The effect of the products of plasma chemical reactions (including ozone) on the storage of fruits and berries was studied. Being the product of greatest commercial interest, bananas were selected as the test object. It was shown that the growth of pathogenic microflora is effectively inhibited by the products of plasma chemical reactions. It was shown that the use of a plasma chemical system, due to which ethylene concentration is reduced and ozone concentration is simultaneously maintained at the level of several ppm, could reduce the amount of spoiled products by several times.Досліджено вплив продуктів плазмохімічних реакцій (у тому числі і озону) на зберігання плодово-ягідної продукції. Як тест-об’єкт вибрано банани, які мають найбільший комерційний інтерес. Показано, що продуктами плазмохімічних реакцій ефективно пригнічується зростання патогенної мікрофлори. Показано, що використання плазмохімічної системи, яка знижує концентрацію етилену і одночасно підтримує концентрацію озону на рівні декількох проміле, може зменшити кількість зіпсованої продукції у кілька разів

Characteristic calculation of directional coupler for accelerator high-power feeders

The calculation results of directional couplers with connection via the waveguide common narrow wall with a coupling factor of 3.0 decibels, directivity no less than 20 decibels, adjustment of coupling factor at 1 decibels are presented. The adjustment is carried out with the help of cylindrical plungers, moving inside of waveguides on the part of broad walls in the location of the connection slot, and prismatic plungers, moving in rectangular waveguides connected to narrow walls opposite to a slot of connection. The device as a magic tee with movable throttle pistons in Е- and Н-plane arms permitting to match any load is designed too. The calculations are executed for devices operating at frequencies of 2.797 and 1.3 GHz

Subcarrier Wave Quantum Key Distribution in Telecommunication Network with Bitrate 800 kbit/s

In the course of work on creating the first quantum communication network in Russia we demonstrated quantum key distribution in metropolitan optical network infrastructure. A single-pass subcarrier wave quantum cryptography scheme was used in the experiments. BB84 protocol with strong reference was chosen for performing key distribution. The registered sifted key rate in an optical cable with 1.5 dB loss was 800 Kbit/s. Signal visibility exceeded 98%, and quantum bit error rate value was 1%. The achieved result is a record for this type of systems

Decontamination of drug vegetative raw material by relativistic electron beam

The new technology of decontamination of drug vegetative raw material and medical products is proposed. Advantages of use of relativistic beams in a range of electron energies from 0.5 MeV to 5 MeV for these purposes are shown in comparison with X-radiation of energy from 80 keV to 1 MeV.Запропонована нова технологія деконтамінації рослинної лікарської сировини та лікарських препаратів. Показані переваги використання з цією метою релятивістських електронних пучків з енергією від 0,5 до 5 МеВ порівняно з рентгенівським випромінюванням з енергією від 80 кеВ до 1 МеВ.Предложена новая технология деконтаминации растительного медицинского сырья и лечебных препаратов. Показаны преимущества использования для этой цели релятивистских электронных пучков с энергией от 0,5 до 5 МэВ по сравнению с рентгеновским излучением с энергией от 80 кэВ до 1 МэВ