Toward defect-free semi-polar GaN templates on pre-structured sapphire

The microstructure of semi-polar (11–22) GaN templates grown on pre-structured r-plane sapphire by MOVPE has been characterized by TEM. Cross-sectional observations indicate that defects are generated in three regions of the layers: threading dislocations at the inclined GaN/sapphire interface, basal plane stacking faults (BSFs) at the c−-wing, BSFs and threading dislocations at the coalescence between neighboring GaN stripes. An in situ SiN interlayer deposited at an early stage of the growth is shown to be effective in blocking the propagation of dislocations, which is mainly attributed to SiN formed on the c-plane rather than on the (11–22) plane. Si-doped marker layers have been used to study the evolution of the growth front before coalescence as a function of temperature. A high growth temperature is associated with the formation of highly faceted GaN stripes. Dislocations originally running along the c-direction are bent to the [11–20] direction driven by a progressing (11–22) facet. An efficient defect reduction is realized as a result of terminating these dislocations at voids partially defined by the (11–20) facet

Évaluation de la teneur en eau des sols forestiers par étalonnage de la sonde CS616 Campbell Scientific

La connaissance de la teneur en eau dans les sols et l'évolution de cette teneur aide à mieux comprendre le fonctionnement des forêts. Les sondes CS616 Campbell Scientific permettent d'en faire la mesure en se basant sur la permittivité diélectrique de l'eau. Ces sondes sont utilisées par le centre IRSTEA de Nogent-sur-Vernisson dans la forêt d'Orléans. Elles nécessitent un étalonnage spécifique pour être utilisées dans cette forêt. Des expérimentations sont réalisées au laboratoire du centre de Nogent-sur-Vernisson, pour développer une courbe d'étalonnage spécifique aux sols de la forêt d'Orléans. Les expérimentations permettent également d'étudier l'influence de la teneur en argile des sols et l'influence de la taille des particules de terre sur la mesure donnée par les sondes CS616. Les résultats de l'expérimentation sont comparés aux résultats de la sonde à neutrons. Cet appareil est utilisé sur site et est une méthode de référence

Defect engineering applied to the development of high quality heteroepitaxial semipolar GaN for optoelectronic applications

Les matériaux semi-conducteurs III-N sont à l’origine d’une véritable révolution technologique. Mais malgré l’effervescence autour de ces sources lumineuses, leurs performances dans le vert et l’UV demeurent limitées. La principale raison à cela est l’orientation cristalline (0001)III-N (dite polaire) selon laquelle ces matériaux sont généralement épitaxiés et qui induit de forts effets de polarisation. Ces effets peuvent cependant être fortement atténués par l’utilisation d’orientations de croissance dite semi-polaires. Malheureusement, les films de GaN semi-polaires hétéroépitaxiés présentent des densités de défauts très importantes, ce qui freine très fortement leur utilisation. L’enjeu de cette thèse de doctorat est de réaliser des films de GaN semi-polaire (11-22) de haute qualité cristalline sur un substrat de saphir en utilisant la technique d’épitaxie en phase vapeur aux organométalliques. La réduction de la densité de défaut étant l’objectif majeur, différentes méthodes d’ingénieries de défauts s’appuyant sur la structuration de la surface des substrats et sur la croissance sélective du GaN ont été développées. Elles ont permis d’établir l’état de l’art actuel du GaN semi-polaire hétéroépitaxié. Par la suite, dans le but d’améliorer les performances des DELs vertes, une étude dédiée à l’optimisation de leur zone active a été menée. D’autre part, le développement de substrats autosupportés de GaN semi-polaires, ainsi que la confection de cristaux 3D de grande taille dont la qualité cristalline est comparable aux cristaux de GaN massifs ont été démontrés. Ces deux approches permettant de s’approcher encore plus de la situation idéale que serait l’homoépitaxie.Nitride based materials are the source of disruptive technologies. Despite the technological turmoil generated by these light sources, their efficiency for green or UV emission is still limited. For these applications, the main issue to address is related to strong polarization effects due to the (0001)III-N crystal growth orientation (polar orientation). Nevertheless these effects can be drastically decreased using semipolar growth orientations. Unfortunately semipolar heteroepitaxial films contain very high defect densities which hamper their adoption for the time being. The aim of this doctoral thesis is to achieve semipolar (11-22) GaN of high quality on sapphire substrate by metalorganic chemical vapor deposition. Defect reduction being the main objective, several defect engineering methods based on sapphire substrate patterning and GaN selective area growth have been developed. Thanks to refined engineering processes, the remaining defect densities have been reduced to a level that establishes the current state of the art in semipolar heteroepitaxial GaN. These results have enabled the achievement of high quality 2 inches semipolar GaN templates, thus forming an ideal platform for the growth of the forthcoming semipolar optoelectronic devices. With this in mind, to improve green LEDs, a study dedicated to the optimization of their active region has been conducted. Finally, the development of semipolar freestanding substrate has been performed, and beyond, the realization of large size crystals with a structural quality similar to that of bulk GaN has been demonstrated. These last two approaches pave the way to quasi-homoepitaxial growth of semipolar structures

Mobiliers métalliques protohistoriques de la région nîmoise : instruments et outils divers (V).

Tendille Catherine. Mobiliers métalliques protohistoriques de la région nîmoise : instruments et outils divers (V).. In: Documents d'Archéologie Méridionale, vol. 5, 1982. pp. 33-52

Mobiliers métalliques protohistoriques de la région nîmoise : les bracelets.

Tendille Catherine. Mobiliers métalliques protohistoriques de la région nîmoise : les bracelets.. In: Documents d'Archéologie Méridionale, vol. 2, 1979. pp. 61-79

Mobiliers métalliques protohistoriques de la région nîmoise : autres objets de parure et d'habillement (III)

Tendille Catherine. Mobiliers métalliques protohistoriques de la région nîmoise : autres objets de parure et d'habillement (III). In: Documents d'Archéologie Méridionale, vol. 3, 1980. pp. 95-124

Fibules protohistoriques de la région nîmoise

Tendille Catherine. Fibules protohistoriques de la région nîmoise. In: Documents d'Archéologie Méridionale, vol. 1, 1978. pp. 77-112

Ingénierie des défauts cristallins pour l’obtention de GaN semi-polaire hétéroépitaxié de haute qualité en vue d’applications optoélectroniques

Nitride based materials are the source of disruptive technologies. Despite the technological turmoil generated by these light sources, their efficiency for green or UV emission is still limited. For these applications, the main issue to address is related to strong polarization effects due to the (0001)III-N crystal growth orientation (polar orientation). Nevertheless these effects can be drastically decreased using semipolar growth orientations. Unfortunately semipolar heteroepitaxial films contain very high defect densities which hamper their adoption for the time being. The aim of this doctoral thesis is to achieve semipolar (11-22) GaN of high quality on sapphire substrate by metalorganic chemical vapor deposition. Defect reduction being the main objective, several defect engineering methods based on sapphire substrate patterning and GaN selective area growth have been developed. Thanks to refined engineering processes, the remaining defect densities have been reduced to a level that establishes the current state of the art in semipolar heteroepitaxial GaN. These results have enabled the achievement of high quality 2 inches semipolar GaN templates, thus forming an ideal platform for the growth of the forthcoming semipolar optoelectronic devices. With this in mind, to improve green LEDs, a study dedicated to the optimization of their active region has been conducted. Finally, the development of semipolar freestanding substrate has been performed, and beyond, the realization of large size crystals with a structural quality similar to that of bulk GaN has been demonstrated. These last two approaches pave the way to quasi-homoepitaxial growth of semipolar structures.Les matériaux semi-conducteurs III-N sont à l’origine d’une véritable révolution technologique. Mais malgré l’effervescence autour de ces sources lumineuses, leurs performances dans le vert et l’UV demeurent limitées. La principale raison à cela est l’orientation cristalline (0001)III-N (dite polaire) selon laquelle ces matériaux sont généralement épitaxiés et qui induit de forts effets de polarisation. Ces effets peuvent cependant être fortement atténués par l’utilisation d’orientations de croissance dite semi-polaires. Malheureusement, les films de GaN semi-polaires hétéroépitaxiés présentent des densités de défauts très importantes, ce qui freine très fortement leur utilisation. L’enjeu de cette thèse de doctorat est de réaliser des films de GaN semi-polaire (11-22) de haute qualité cristalline sur un substrat de saphir en utilisant la technique d’épitaxie en phase vapeur aux organométalliques. La réduction de la densité de défaut étant l’objectif majeur, différentes méthodes d’ingénieries de défauts s’appuyant sur la structuration de la surface des substrats et sur la croissance sélective du GaN ont été développées. Elles ont permis d’établir l’état de l’art actuel du GaN semi-polaire hétéroépitaxié. Par la suite, dans le but d’améliorer les performances des DELs vertes, une étude dédiée à l’optimisation de leur zone active a été menée. D’autre part, le développement de substrats autosupportés de GaN semi-polaires, ainsi que la confection de cristaux 3D de grande taille dont la qualité cristalline est comparable aux cristaux de GaN massifs ont été démontrés. Ces deux approches permettant de s’approcher encore plus de la situation idéale que serait l’homoépitaxie

Fouille d'une habitation de la deuxième moitié du VIe s. sur l'oppidum de la Font-du-Coucou, commune de Calvisson (Gard)

Py Michel, Tendille Catherine. Fouille d'une habitation de la deuxième moitié du VIe s. sur l'oppidum de la Font-du-Coucou, commune de Calvisson (Gard). In: Revue archéologique de Narbonnaise, tome 8, 1975. pp. 33-65

Mobiliers métalliques protohistoriques de la région nîmoise : instruments de toilette et vaisselle (IV).

Tendille Catherine. Mobiliers métalliques protohistoriques de la région nîmoise : instruments de toilette et vaisselle (IV).. In: Documents d'Archéologie Méridionale, vol. 4, 1981. pp. 61-82