Diffraction line profiles of spherical hollow nanocrystals

An analytical expression of diffraction line profiles of spherical hollow nanocrystals (NCs) is derived. The particular features of the profile lines, enhanced peak tail intensity, are analyzed and..

Das illustrierte Flugblatt im Dreißigjährigen Krieg. Zwei ausgewählte Flugblätter gegen den Winterkönig Friedrich V. von der Pfalz im Vergleich

Im ersten Teil der Arbeit werden Charakteristika von illustrierten Flugblättern in der frühen Neuzeit herausgearbeitet, Begrifflichkeiten geklärt und Rolle und Wirkung dieser Medien angesprochen. Im zweiten Teil folgt dann eine kurze Analyse mit anschließendem Vergleich zweier Flugblätter gegen den Winterkönig Friedrich V. von der Pfalz

Schloss Hartheim – von der Pflege- zur Tötungsanstalt: Historischer Abriss und exemplarische Quellenarbeit mit Briefen von Angehörigen der Ermordeten

Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit Schloss Hartheim in Linz und dessen Weg von der Pflege- zur Tötungsanstalt. In einem einleitenden Kapitel soll der Kontext der Ermordungen von behinderten Menschen in Hartheim erschlossen werden, weshalb die „Aktion T4“ und die Organisation des Tötens anhand ausgewählter Fachliteratur erklärt werden. Im folgenden Kapitel wird der Fokus auf Hartheim gelegt und dessen Rolle in der NS-Tötungsmaschinerie erläutert, ein Unterkapitel befasst sich auch mit Hartheim als Gedenkort. Im abschließenden Kapitel wird ein besonderer Aspekt der NS-Euthanasie anhand einer kleinen Quellenstudie thematisiert, nämlich die Reaktion der Angehörigen von Ermordeten

GaAs hetero-epitaxial layers grown by MOVPE on exactly-oriented and off-cut (1 1 1)Si: Lattice tilt, mosaicity and defects content

Integration of III-V devices with Si-photonics and fabrication of monolithic III-V/Si tandem solar cells require the heteroepitaxy of III-V compounds on Si. We report on the lattice tilt, mosaicity and defects content of relaxed GaAs grown by MOVPE on exactly-oriented and 4°-offcut (1 1 1)Si. Thin GaAs single-layers grown at 400 °C and annealed at 700 °C show ∼ 3×10^8 cm−2 density of surface pinholes. Double-layer samples were obtained by GaAs overgrowth at 700 °C. GaAs epilayers are tilted by (0.05–0.14)° with respect to Si. Rotational twins were observed in X-ray diffraction (XRD) pole figures: the most abundant ones originate from 60°-rotation of GaAs around the [1 ̄1 ̄1 ̄] growth direction and are identified as micro-twins along the GaAs/Si hetero-interface. Twins obtained by rotations around the [1 ̄1 ̄1], [11 ̄1 ̄], and [1 ̄11 ̄] directions or by combined rotations around the growth direction and one of the former, were also observed. The GaAs mosaicity and block size were studied through high-resolution XRD intensity mapping: for single-layer samples crystal blocks are ascribed to 3–5 nm thin micro-twins, whose size does not change upon annealing. In double-layer samples thicker (32–35 nm) micro-twins occur. GaAs samples grown on offcut (1 1 1)Si show less rotational twins but a reduced mosaic block size with respect to exactly-oriented Si

Inimene väärtuspõhises tervishoius

Eesti Arst 2020; 99(8):468–46

Kliiniliste ravimiuuringute tulevik Eestis – nooremarstide järelkasv

Eesti Arst 2021; 100(3):192–195 &nbsp

Microstructural and morphological properties of homoepitaxial (001)ZnTe layers investigated by x-ray diffuse scattering

The microstructural and morphological properties of homoepitaxial (001)ZnTe layers are investigated by x-ray diffuse scattering. High resolution reciprocal space maps recorded close to the ZnTe (004) Bragg peak show different diffuse scattering features. One kind of cross-shaped diffuse scattering streaks along directions can be attributed to stacking faults within the epilayers. Another kind of cross-shaped streaks inclined at an angle of about 80deg with respect to the in-plane direction arises from the morphology of the epilayers. (abridged version