Дослідження структурних, кінетичних та енергетичних властивостей напівпровідникового твердого розчину Zr1-xVxNiSn

Structural, electrokinetic and energy state characteristics of the Zr1-xVxNiSn semiconductive solid solution (х=0–0.10) were investigated in the temperature interval 80–400 К. It was shown that doping of the ZrNiSn compound by V atoms (rV=0.134 nm) due to substitution of Zr (rZr=0.160 nm) results in increase of lattice parameter а(х) of Zr1-xVxNiSn indicating unforecast structural change. Based on analysis of the motion rate of the Fermi level ΔεF/Δх for Zr1-xVxNiSn in direction of the conduction band it was concluded about simultaneous generation of the structural defects of the donor and acceptor nature (donor-acceptor pairs) by unknown mechanism and creation of the corresponding energy levels in the band gap of the semiconductor.Досліджено особливості структурних, кінетичних та енергетичних характеристик напівпровідникового твердого розчину Zr1-xVxNiSn (х=0–0.10) в інтервалі температур 80–400 К. Показано, що уведення атомів V (rV=0.134 нм) у структуру сполуки ZrNiSn шляхом заміщення Zr (rZr=0.160 нм) супроводжується неочікуваним збільшенням значень періоду елементарної комірки а(х) Zr1-xVxNiSn, вказуючи на непрогнозовані структурні зміни. На основі аналізу швидкості руху рівня Фермі ΔεF/Δх Zr1-xVxNiSn у напрямі зони провідності зроблено висновок про одночасне генерування у кристалі структурних дефектів донорної та акцепторної природи (донорно-акцепторні пари) за невідомим механізмом, які породжують відповідні енергетичні рівні у забороненій зоні напівпровідник

Теорія та практика менеджменту безпеки

У збірнику подано тези доповідей та виступів учасників Міжнародної науково-практичної конференції, присвяченої питанням теорії менеджменту безпеки, безпеки особистості, прикладним аспектам забезпечення соціальної, екологічної, економічної безпеки підприємств, питанням механізму забезпечення соціоекологоекономічної безпеки регіону, проблемам забезпечення національної безпеки

СИСТЕМА ЕКСТРЕМАЛЬНОГО АВТОМАТИЧНОГО КЕРУВАННЯ ПРОЦЕСОМ ДРОБЛЕННЯ РУДИ З ВИКОРИСТАННЯМ ЕКОНОМІЧНОГО КРИТЕРІЮ

У роботі пропонується рішення задачі підвищення ефективності технологічного процесу дроблення руди шляхом розробки системи автоматизованого керування конусної дробарки з контуром пошукового екстремального управління за економічним критерієм. Проведено обчислювальні експерименти, які продемонстрували, що залежність критерію носить унімодальний характер в області зміни керувань. Впровадження розробленої системи у виробництво дозволить підвищити економічну ефективність на 4,4%

Estimation of phonon relaxation time for silicon by means of using the velocity autocorrelation function of atoms in molecular dynamics

Results of the ab initio molecular dynamics calculations of silicon crystals are presented by means of analysis of the velocity autocorrelation function and determination of mean phonon relaxation time. The mean phonon relaxation time is crucial for prediction of the phonon-associated coefficient of thermal conductivity of materials. A clear correlation between the velocity autocorrelation function relaxation time and the coefficient of thermal diffusivity has been found. The analysis of the results obtained has indicated a decrease of the velocity autocorrelation function relaxation time t with increase of temperature. The method proposed may be used to estimate the coefficient of ther-mal diffusivity and thermal conductivity of the materials based on silicon and of other wide-bandgap semiconductors. The correlation between kinetic energy fluctuations and relaxation time of the velocity autocorrelation function has been calculated with the relatively high coefficient of determination R2 = 0.9396. The correlation obtained and the corresponding approach substantiate the use of kinetic energy fluctuations for the calculation of values related to heat conductivity in silicon-based semiconductors (coefficients of thermal conductivity and diffusivity)