The investment aspects of the intellectual capital formation in the agrarian production

Досліджено умови та основні тенденції інвестування, відтворення інтелектуального капіталу аграрних підприємств. Підкреслено зростаюче значення його примноження в аграрному виробництві, що пов’язано з визначальним впливом на темпи й рівень інноваційного розвитку галузі. Розглянуто особливості здійснення інвестицій у розрізі складових інтелектуального капіталу та зазначено причини, що перешкоджають активізації цього процесу. Наголошено на провідній ролі держави у фінансуванні розвитку інтелектуального капіталу та обґрунтовано необхідність задіяння механізмів залучення приватного капіталу. Запропоновано основні напрями вирішення проблеми інвестиційного забезпечення досліджуваної сфери, що дозволить досягти високих темпів економічного зростання аграрної галузі на інноваційній основі.Growing importance of increasing of intellectual capital in agrarian production connected with its determinant influence on the rates and level of innovative development of the branch was substantiated in the article. Conditions and the main investment tendencies of reproduction of the intellectual capital in agricultural sector were studied. It was established that characteristic features of this process are insufficient financing comparatively to the developed countries and negative tendency to reduction of the investment support, the lack of significant and stable sources of investment, irrational structure of investment by the fields. The specificity of investment in terms of the components of intellectual capital and the reasons that prevent the investing activation were analyzed. Key role of the state in financing the development of intellectual capital and the necessity of using mechanisms to attract private capital were mentioned. Attention was focused on the potential ability of investment in scientific and technical activity to provide high profitability. The basic directions for solving the problem of investment providing of the research areas are as follows: creation and support mechanisms of transformation of scientific developments into innovative products demanded by the market, introduction of a mechanism of cooperation of research institutions with business entities to implement common innovative projects that will help to attract private capital in this field, creation of necessary innovative infrastructure to enable the use of existing capacity, using the methods of indirect financial support by the state and also the guarantee system of financial risks, development of international cooperation in scientific and innovative fields

Ant algorithms application for factory logistics with multiple waypoint routes

The research presented aims to propose a modelling complex for metal-processing enterprise logistics control. In this paper, the application with use of ant algorithms for multiple waypoint route optimization is described. Model equations and flowsheet are proposed along with preliminary experimental data.The work was supported by Act 211 Government of the Russian Federation, contract No 02.A03.21.0006

Role of mechanical stresses at ion implantation of CdHgTe solid solutions

Представлено результати систематичних дослiджень структурних, оптичних та електричних властивостей напiвпровiдникових гетероструктур nCdxHg1xTe/CdZnTe (x 0,223) до та пiсля опромiнення iонами B+ та Ag+ (100 кeВ, доза iмплантацiї Q = 3 1013 см2). Здiйснено математичне моделювання процесу iонної iмплантацiї iз застосуванням програмного пакета TRIM_2008. Встановлено, що в результатi опромiнення на поверхнi дослiджуваних зразкiв вiдбувається утворення характерного рельєфу, а в приповерхневiй областi – шару з вiдмiнними вiд матрицi оптичними характеристиками. В результатi iмплантацiї епiтаксiйних шарiв CdxHg1xTe iонами бору та срiбла з однаковою енергiєю та дозою утворюється суттєво вiдмiнний за характером пошкодження та товщиною порушений шар з максимальними механiчними напруженнями, що вiдрiзняються на два порядки величини. Отримано значення коефiцiєнта стискання кристалiчної ґратки та механiчних напружень макс в областi радiацiйного розупорядкування твердого розчину. Обговорюється роль механiчних напружень легованого шару у перерозподiлi дефектiв i формуваннi постiмплантацiйних властивостей Cd0;223Hg0;777TeПредставлены результаты систематических исследований структурных, оптических и электрических свойств полупроводниковых гетероструктур n-CdxHg1xTe/CdZnTe (x 0;223) до и после облучения ионами B+ и Ag+(100 кeВ, доза имплантации Q = 3 1013 см2). Произведено математическое моделирование процесса ионной имплантации с использованием программного пакета TRIM_2008. Установлено, что в результате облучения на поверхности исследованных образцов происходит образование характерного рельефа, а в приповерхностной области – слоя с отличными от матрицы оптическими характеристиками. В результате имплантации ионами бора и серебра с одинаковой энергией и дозой эпитаксиальных слоев CdxHg1xTe образуется существенно отличный по характеру нарушений разупорядоченный по толщине слой с максимальными механическими напряжениями, которые отличаются на два порядка величины. Получены значения коэффициентов сжатия кристаллической решетки и механических напряжений макс в области радиационного разупорядочения твердого раствора. Обсуждается роль механических напряжений легированного слоя в формировании постимплантационных свойств Cd0;223Hg0;777TeThe properties of n-CdxHg1xTe/CdZnTe (x 0.223) structures implanted with B+ and Ag+ ions with an energy of 100 keV to a dose of 3 1013 cm2 are studied. The software package TRIM 2008 was applied to simulate the ion implantation process. The surface morphology of heterostructures and their optical, mechanical and electrical properties are studied. It is found that the ion irradiation of specimens gives rise to the formation of a characteristic relief on their surface, as well as a layer in the near-surface region, where the optical parameters differ from those in the matrix. The implantation of CdxHg1xTe epitaxial layers with boron and silver ions with the same energy and to the same dose brings about the formation of a damaged layer, substantially non-uniform by the thickness and the damage character, with maximum mechanical stresses that differ by two orders of magnitude. The values of the crystal lattice contraction coefficient and the mechanical stresses max in the region of radiation-induced disordering in the solid solution are determined. The influence of mechanical stresses in the doped layer on the defect redistribution and the formation of properties of Cd0:223Hg0:777Te after the implantation is discusse

Peculiarities of the use of siliceous raw materials of the Russian Far East in the integrated pipeline protection

Modern trends in the development of Russian oil and gas infrastructure are examined. The important role of the Far East in the transportation and export of oil is revealed. The main threats in the operation of pipelines are described. The integrated protection technology of pipeline surfaces is proposed. The structure and properties of local silicate raw material – diatomite – are studied. The technology of obtaining glass enamel coating is designed to protect the internal surface of the pipe. The phase composition, microstructure and properties of the coating are compared with analogues. The technology of foam glass production is designed to protect the external surface of the pipe. The foaming processes are studied; the properties and structure of the material are examined. The optimum ratio of raw materials is revealed. Recommendations on the application of the developed technology for integrated pipeline protection are given. Document type: Articl

Zero bias terahertz and subterahertz detector operating at room temperature

In this paper, the experimental study of the terahertz and subterahertz hot electron bolometer based on narrow-gap semiconductor compound Hg₁₋xCdxTe is presented. The measurements were performed in the temperature range from 77 to 300 K at various operating mode and frequency. The estimated value of the noise equivalent power at room temperature for detector proposed was 1.3·10⁻⁸ W/Hz¹/² and 5.4·10⁻⁹ W/Hz¹/² at bias current I = 1 mA and I = 0, respectively

Development of Multi Agent Resource Conversion Processes Model and Simulation System

The mathematical model of multi agent resource conversion processes (RCP) is developed by the means of discrete-event simulation systems and expert systems. Within the framework of mathematical model RCP are defined: production system of the RCP structure, that taking into account conflicts origin. The discrete-event simulation system "BPsim" is developed on the basis of the multi agent RCP mathematical model. The "BPsim" system is inculcated on the firms in Ural region (Russia). © Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2006