Cloud Computing Security Issues

Features of cloud services are described. Different models of cloud deployment are compared. Analyzed the disadvantages of cloud computing

Zr3NiSb7: a new anti­mony-enriched ZrSb2 derivative

Single crystals of trizirconium nickel hepta­anti­monide were synthesized from the constituent elements by arc-melting. The compound crystallizes in a unique structure type and belongs to the family of two-layer structures. All crystallographically unique atoms (3 × Zr, 1 × Ni and 7 × Sb) are located at sites with m symmetry. The structure contains ‘Zr2Ni2Sb5’ and ‘Zr4Sb9’ fragments and might be described as a new ZrSb2 derivative with a high Sb content

Фазові рівноваги в потрійній системі Ho-Fe-Sn при 670 K

Interaction between the components in the Ho-Fe-Sn ternary system was studied using X-ray diffractometry, metallography and electron microprobe analysis. Isothermal section of the phase diagram was constructed at 670 K over the whole concentration range. Component interaction in the Ho-Fe-Sn system at 670 K results in the existence of one ternary compound HoFe6Sn6 which crystallizes in the YCo6Ge6 structure type (space group P6/mmm, a=0.53797(2),   c= 0.44446(2) nm). The interstitial-type solid solution HoFexSn2 (up to 8 at.% Fe) based on the HoSn2 (ZrSi2-type structure) binary compound was found. Solubility of Sn in the HoFe2 binary (MgCu2 structure type) extends up to 5 at. %.Взаємодія компонентів у потрійній системі Ho-Fe-Sn досліджена методами рентгенівської дифракції, металографічного і рентгеноспектрального аналізів. Ізотермічний переріз діаграми стану системи побудований за температури 670 K в повному інтервалі концентрацій. Взаємодія компонентів у системі Ho-Fe-Sn при 670 K характеризується існуванням однієї тернарної сполуки HoFe6Sn6 (структурний тип YCo6Ge6, просторова група P6/mmm, a=0.53797(2), c= 0.44446(2) нм). На основі бінарної сполуки HoSn2 (структурний тип ZrSi2) встановлено утворення твердого розчину включення HoFexSn2 (до вмісту 8 aт.% Fe). Розчинність Sn в бінарній сполуці HoFe2 (структурний тип MgCu2) сягає до 5 aт. %

Взаємодія компонентів у потрійній системі Gd-Mn-Sn при 873 і 673 K

The interaction of the components in the Gd-Mn-Sn ternary system was studied using the methods of X-ray and microstructure analyses, in the whole concentration range. The phase diagrams of the Gd-Mn-Sn system were constructed at 873 and 673 K. At both temperature of investigation the Gd-Mn-Sn system is characterized by existence of two ternary compounds: GdMn6Sn6 (MgFe6Ge6 structure type, space group P6/mmm) and Gd4Mn4Sn7 (Zr4Co4Ge7 structure type, space group I4/mmm). The formation of the interstitial solid solution GdMnхSn2 based on GdSn2 (ZrSi2-type) binary compound was found up to 10 at. % Mn at 873 K and 673 K. The existence of the substitutional solid solution based on GdMn2 (MgCu2-type) was observed up to 5 at.% Sn and 3 at. % Sn at 873 K and 673 K, respectively.Методами рентгенофазового і мікроструктурного аналізів досліджено взаємодію компонентів у потрійній системі Gd-Mn-Sn у повному концентраційному інтервалі та побудовані діаграми фазових рівноваг за температур 873 K і 673 K. За обох температур дослідження в системi утворюються дві тернарні сполуки GdMn6Sn6(структурний тип MgFe6Ge6, просторова група P6/mmm) і Gd4Mn4Sn7 (структурний тип Zr4Co4Ge7, просторова група I4/mmm). На основi бiнарного станiду GdSn2зі структурою типу ZrSi2 встановлено існування твердого розчину включення GdMnхSn2 до вмісту 10 ат. % Mn за температур 873 K і 673 K. На основі бінарної сполуки GdMn2 (структурний тип MgCu2) утворюється твердий розчин заміщення до вмісту 5 ат. % Sn при 873 K і до вмісту 3 ат. % Sn при 673 K

Дослідження структурних, кінетичних та енергетичних властивостей напівпровідникового твердого розчину Zr1-xVxNiSn

Structural, electrokinetic and energy state characteristics of the Zr1-xVxNiSn semiconductive solid solution (х=0–0.10) were investigated in the temperature interval 80–400 К. It was shown that doping of the ZrNiSn compound by V atoms (rV=0.134 nm) due to substitution of Zr (rZr=0.160 nm) results in increase of lattice parameter а(х) of Zr1-xVxNiSn indicating unforecast structural change. Based on analysis of the motion rate of the Fermi level ΔεF/Δх for Zr1-xVxNiSn in direction of the conduction band it was concluded about simultaneous generation of the structural defects of the donor and acceptor nature (donor-acceptor pairs) by unknown mechanism and creation of the corresponding energy levels in the band gap of the semiconductor.Досліджено особливості структурних, кінетичних та енергетичних характеристик напівпровідникового твердого розчину Zr1-xVxNiSn (х=0–0.10) в інтервалі температур 80–400 К. Показано, що уведення атомів V (rV=0.134 нм) у структуру сполуки ZrNiSn шляхом заміщення Zr (rZr=0.160 нм) супроводжується неочікуваним збільшенням значень періоду елементарної комірки а(х) Zr1-xVxNiSn, вказуючи на непрогнозовані структурні зміни. На основі аналізу швидкості руху рівня Фермі ΔεF/Δх Zr1-xVxNiSn у напрямі зони провідності зроблено висновок про одночасне генерування у кристалі структурних дефектів донорної та акцепторної природи (донорно-акцепторні пари) за невідомим механізмом, які породжують відповідні енергетичні рівні у забороненій зоні напівпровідник

Дослідження напівпровідникового твердого розчину Ti1-xMoxCoSb

The effect of doping of the TiCoSb compound (MgAgAs structure type) by Mo atoms on the features of the structural characteristics and behavior of the electrokinetic, energetic and magnetic properties of the Ti1-xMoxCoSb semiconducting solid solution (х = 0 - 0.06) in the temperature interval 80 - 400 K was studied. It was shown that including of Mo atoms (rМо= 0.140 nm) in the ToCoSb structure by substitution of Ti atoms (rТі= 0.146 нм) in 4a position is accompanied with non-monotonous variation of the lattice parameter values а(х), indicating unpredictable structural changes. Based on analysis of the variation of the electric resistivity values, thermopower coefficient, magnetic susceptibility and energetic characteristics, it was concluded that simultaneous generation in the crystal of the structural defects of the donor and acceptor nature (donor-acceptor pairs), which generate corresponding energy levels in the band gap of semiconductor and determine its electrical conductivity.Досліджено вплив легування сполуки TiCoSb (структурний тип MgAgAs) атомами Мо на особливості структурних характеристик та поведінку кінетичних, енергетичних та магнітних властивостей напівпровідникового твердого розчину Ti1-xMoxCoSb (х = 0 - 0,06) в інтервалі температур 80 - 400 К. Показано, що уведення атомів Мо (rМо = 0,140 нм) до структури сполуки ТiCoSb шляхом заміщення у позиції 4а атомів Ті (rТі = 0,146 нм) супроводжується немонотонною зміною значень періоду елементарної комірки а(х), вказуючи на непрогнозовані структурні зміни. На основі аналізу зміни значень питомого опору, коефіцієнта термо-ерс, магнітної сприйнятливості та енергетичних характеристик зроблено висновок про одночасне генерування у кристалі структурних дефектів донорної та акцепторної природи (донорно-акцепторні пари), які породжують відповідні енергетичні рівні у забороненій зоні напівпровідника та визначають його електропровідність

Потрійні системи Lu-V-{Ge, Sn}

The isothermal sections of the phase diagrams of the Lu–V–Ge and Lu-V-Sn ternary systems were constructed at 870 K over the whole concentration range using X-ray diffraction and EPM analyses. In the Lu-V-Ge system a formation of the substitutional solid solution Lu5Ge3-xVx based on the Lu5Ge3binary compound (Mn5Si3 structure type) was found up to 6 at. % V. Insertion of the V atoms in the structure of the LuGe2 binary germanide (ZrSi2structure type, up to 5 aт. % V) results in the formation of the LuV0,15Ge2 ternary phase (CeNiSi2 structure type, space group Cmcm, a=0.40210(4),b=1.5661(1), c=0.38876(3) nm), which corresponds to the limit composition of the interstitial solid solution LuVxGe2. The interaction between the elements in the Lu-V-Sn system results in the formation of one ternary compound LuV6Sn6 (SmMn6Sn6-type, space group P6/mmm, a=0.5503(2), c=0.9171(4) nm) at investigated temperature.Ізотермічні перерізи діаграм стану потрійних систем Lu–V–Ge і Lu-V-Sn побудовані за температури 870 K в повному концентраційному інтервалі методами рентгенофазового, рентгеноструктурного і мікроструктурного аналізів. В системі Lu-V-Ge на основі бінарної сполуки Lu5Ge3(структурний тип Mn5Si3) встановлено утворення твердого розчину заміщення Lu5Ge3-xVx до вмісту 6 aт. % V. Включення атомів V в структуру бінарного германіду LuGe2 (структурний тип ZrSi2, до вмісту 5 aт. % V) приводить до утворення тернарної фази LuV0,15Ge2 (структурний тип CeNiSi2, просторова група Cmcm, a=0,40210(4), b=1,5661(1), c=0,38876(3) нм), яка відповідає граничному складу твердого розчину включення LuVxGe2. Взаємодія компонентів у системі Lu-V-Sn за температури дослідження характеризується утворенням тернарної сполуки LuV6Sn6(структурний тип SmMn6Sn6, просторова група P6/mmm, a=0,5503(2), c=0,9171(4) нм)

Experimental studies of a new thermoelectric material based on semiconductor solid solution Ti1-xAlxNiSn

The structural, electrokinetic, and energetic properties of the Ti1-xAlxNiSn semiconductor solid solution, obtained by introducing of Al atoms into the structure of the TiNiSn half-Heusler phase by substituting Ti atoms in the crystallographic position 4a, were studied. It is shown that in the range of concentrations x = 0–0.01, Al atoms mainly replace Ni atoms in the 4c position, generating acceptor states. It was established that at temperatures T = 80–160 K, the ratio of concentrations of ionized acceptor and donor states in n-Ti1-xAlxNiSn, х = 0–0.04, is unchanged, but the concentration of donors is greater. At higher temperatures, T ≥ 250 K, deep donor states that existed in n-TiNiSn as a result of "a priori doping" of the semiconductor are ionized. An additional mechanism for the generation of donor states in n-Ti1-xAlxNiSn when the tetrahedral voids of the structure are partially occupied by Al atoms was revealed. The concentration ratio of the generated donor-acceptor states determines the position of the Fermi level εF and the conductivity mechanisms of n-Ti1-xAlxNiSn. The studied semiconductor solid solution is a promising thermoelectric material

Дослідження структурних, кінетичних та магнітних характеристик напівпровідника Er1-xZrxNiSb

Peculiarities of the structural, electrokinetic, energetic, and magnetic characteristics of Er1-xZrxNiSb semiconductive solid solution, х=0–0.10, were studied. It was suggested that when Zr (4d25s2) atoms were introduced into the structure of the ErNiSb half-Heusler phase by substitution of Er (5d06s2) atoms in 4a position, Zr atoms can also simultaneously occupy the 4c position of Ni (3d84s2) atoms. As a result, in Er1-xZrxNiSb semiconductor, the structural defects of donor nature in position 4a and ones of acceptor nature in position 4c were generated simultaneously. In this case, in the band gap of Er1-xZrxNiSb, the energy states of impurity donor  and acceptor  bands (donor-acceptor pairs) appear and determine the electrical conductivity mechanism of the semiconductor.Досліджено особливості структурних, кінетичних, енергетичних та магнітних характеристик напівпровідникового твердого розчину Er1-xZrxNiSb, х=0–0.10. Зроблено припущення, що при уведенні атомів Zr (4d25s2) у структуру пів-Гейслерової фази ErNiSb шляхом заміщення у позиції 4a атомів Er (5d06s2) атоми Zr також одночасно можуть займати позицію 4с атомів Ni (3d84s2). Як результат, у напівпровіднику Er1-xZrxNiSb одночасно генеруються як структурні дефекти донорної природи у позиції 4a і акцепторної у позиції 4с. При цьому у забороненій зоні Er1-xZrxNiSb з’являються енергетичні стани домішкових донорної  та акцепторної  зон (донорно-акцепторні пари), які визначають механізми електропровідності напівпровідника