Synthèse d'une nouvelle classe d'inhibiteurs potentiels d'enzymes à base de phosphore

Thèse numérisée par la Direction des bibliothèques de l'Université de Montréal.Les carbohydrates sont des composés importants au niveau biologique. De nombreux analogues contenant un hétéroatome autre que l'oxygène sur le cycle hémiacétallique existent dans la nature et ont fait l'objet de nombreuses synthèses dans de nombreux groupes de recherche depuis près de 40 ans. Cependant les hétéroatomes présents sur le cycle hémiacétallique sont essentiellement les atomes d'azote et de soufre et il existe peu de carbohydrates contenant la liaison carbone-phosphore. Quant aux analogues concernant le remplacement du carbone anomérique par un hétéroatome, ils sont très peu nombreux. Nous avons synthétisé un nouveau type d'analogue les phostones. Les phostones sont des analogues de carbohydrates où le carbone anomérique est remplacé par un atome de phosphore pentacovalent. Nous avons synthétisé différents analogues dans quatre projets. Notre premier projet concerne la synthèse des L-fucophostones, des analogues du L-fucose. Plusieurs oligosaccharides présents à la surface des cellules contiennent une unité L-fucose. Ces oligosaccharides sont aussi communs à de nombreux cancers dont ceux du foie, de l'ovaire et du sein. La modification de son carbone anomérique pourrait mener à une activité inhibitrice sur les enzymes concernées par le L-fucose tel que les fucosidases et les fucosyltransférases. Nous avons utilisé le L-fucose comme produit de départ afin de conserver au maximum sa stéréochimie. Quant aux N-acétyl-D-glucosaminophostone et N-acétyl-D-mannosaminophostone, elles sont des analogues des N-acétyl-D-glucosamine et N-acétyl-D-mannosamine. Ces saccharides sont des composants essentiels de nombreuses glycoprotéines. Ces glycoprotéines sont une classe de produits naturels jouant un rôle crucial dans les phénomènes de reconnaissance moléculaire. Nous avons pu effectuer pour la première fois la réaction d'Abramov sur une oxime, ce qui a généré les phosphonates cycliques avec une fonction alkoxy amine en a du phosphore. Le troisième projet concerne le phosphoramidon qui est un puissant inhibiteur d'une métalloprotéase à zinc jouant un rôle particulièrement important au niveau des cellules endothéliales, l'enzyme de conversion de l'endothéline (ECE). Cette enzyme est impliquée dans la régulation du flux sanguin et son dérèglement est reconnu comme un important facteur déclenchant dans de nombreuses maladies. L'analogue en phostone du phosphoramidon modifie la structure du phosphoramidon en incorporant la fonction phosphonamide à l'intérieur du L-rhamnose et en supprimant la fonction acide phosphonique. En dépit des progrès considérables faits dans la compréhension du mécanisme d'action et de la biologie du virus de la grippe, celui-ci continue d'être la plus importante cause de mortalité au niveau des maladies respiratoires. Le mécanisme unique de propagation du virus de la grippe a permis aux chercheurs d'identifier un certain nombre de cibles potentielles dont l'hémagglutinine et la neuraminidase, les deux glycoprotéines de surface les plus importantes impliquées dans la propagation du virus. L'activité enzymatique des neuraminidases repose sur la coupure du lien a.2,3 entre l'acide sialique et le carbohydrate auquel il est lié. Dans ce dernier projet, nous avons synthétisé les sialophostones, des analogues de l'acide sialique où l'action de l'acide carboxylique et de l'hydroxyle anomérique est remplacé par un acide phosphonique

P-type and N-type multi-gate polycrystalline silicon vertical thin film transistors based on low-temperature technology

International audienceP-type and N-type multi-gate vertical thin film transistors (vertical TFTs) have been fabricated, adopting the low-temperature (T ⩽ 600 °C) polycrystalline silicon (polysilicon) technology. Stacked heavily-doped polysilicon source and drain are electrically isolated by an insulating barrier. Multi-teeth configuration is defined by reactive ion etching leading to sidewalls formation on which undoped polysilicon active layer is deposited. All the polysilicon layers are deposited from low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) technique. Vertical TFTs are designed with multi gates, in order to have a higher equivalent channel width. Different active layer thicknesses have been attempted, and an ION/IOFF ratio slightly higher than 105 is obtained. P-type and N-type vertical TFTs have shown symmetric electrical characteristics. Different geometrical parameters have been chosen. IOFF is proportional to the single channel width, and to the tooth number. ION is only proportional to the tooth number. These devices open the way of a CMOS-like technology

Développement et fabrication de trnasistors couches minces verticaux en technologie silicium polycristallin basse température

This work deals with the development of vertical thin film transistors (VTFTs) via the fabrication processes and the analysis of the electrical characteristics. The low-temperature (T <= 600C) polycrystalline silicon technology is adopted in the fabrication processes. The first step of the work consists in the fabrication and characterization of VTFTs obtained by rotating the lateral thin film transistors (LTFTs) 90. The feasibility of VTFTs fabrication is validated with an ION/IOFF ratio of about 10 , and it is analyzed that the large overlapping area between source and drain leads to a large off-current IOFF. The second step of the work lies in the partial suppression of the large overlapping area, and therefore, an ION/IOFF ratio of almost 10 is obtained. The third step of the work deals with the proposal of a new VTFT structure that absolutely eliminates the overlapping area. Different improvements have been made on this new VTFT structure, especially by optimization of the following parameters: the active layer thickness, type and thickness of the barrier layer, and the geometric dimension. The optimized transistor highlights an ION/IOFF ratio of higher than 10 with a reduced off-current IOFF, high stability and good reproducibility. P and N-type VTFTs have also been fabricated and showed symmetrical electrical characteristics; they are thus suitable for CMOS-like VTFT applications.Ce travail porte sur le développement de transistors en couches minces verticaux (VTFTs), du procédé de fabrication à l'analyse des caractéristiques électriques. Les transistors sont réalisés à partir de silicium polycristallin déposé et cristallisé en utilisant une technologie basse température (T <= 600C). La première étape de ce travail consiste à la fabrication et la caractérisation de VTFTs obtenus par rotation de 90 des transistors à couches minces latéraux (LTFTs). La faisabilité technologique de VTFTs est alors validée, et un rapport ION/IOFF d'environ 10 est obtenu. L'analyse des résultats de caractérisation électrique a mis en évidence que ce fort courant à l'état bloquant IOFF est principalement dû à la grande zone de recouvrement entre source et drain. La deuxième étape du travail réside dans la suppression partielle de cette zone de recouvrement qui aboutit à un rapport ION/IOFF proche de 10 . Dans la troisième partie de ce travail, une nouvelle architecture de transistors verticaux est proposée, qui élimine totalement la zone de recouvrement. Les effets de différents paramètres sont étudiés, notamment l'influence de l'épaisseur de la couche active, de la couche d'isolation, et de la dimension géométrique. Les transistors optimisés mettent en évidence un rapport ION/IOFF supérieur à 10 avec une réduction du courant à l'état bloquant, une grande stabilité et une bonne reproductibilité du procédé technologique. Des transistors verticaux de type P et N ont également été réalisés. Ils ont montré des caractéristiques électriques symétriques, qui les rendent utilisables dans des applications similaires à la technologie CMOS.RENNES1-BU Sciences Philo (352382102) / SudocSudocFranceF

Material engineering for improving the electrical behavior of quasi vertical thin film transistors

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Improvement of a Vertical Thin Film Transistor Based on Low-Temperature Polycrystalline Silicon Technology by Introduction of an Oxide Barrier between Drain and Source Layers

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Towards Higher Integration Thin Film Technology By Involving P-Type And N-Type Vertical Channel Thin Film Transistors

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Vertical conduction in the new field effect transistors: p-type and n-type vertical channel thin film transistors

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Vertical Channel Thin Film Transistor: Improvement approach similar to multigate monolithic CMOS Technology

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