6 research outputs found

    ДослідТСння ΠΊΡ–Π½Π΅Ρ‚ΠΈΠΊΠΈ Скстракційної ΠΎΠ±Ρ€ΠΎΠ±ΠΊΠΈ рисового Π»ΡƒΡˆΠΏΠΈΠ½Π½Ρ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½Π½Ρ– силіцій ΠΊΠ°Ρ€Π±Ρ–Π΄Ρƒ

    No full text
    Silicon carbide is characterized by a wide range of beneficial electrophysical, anti-corrosion, and strength properties. A promising raw material for the synthesis of silicon carbide is the waste of rice production, which includes compounds of silicon and carbon-containing organic substances. The cheapness and availability of such raw materials necessitate the development of technologies to obtain silicon carbide from it. An important direction in silicon carbide synthesis technology is to obtain a high purity product. To remove impurities from rice husks, it is necessary to carry out its pre-extraction treatment. It has been established that the extraction treatment of rice husks with acid solution makes it possible to clean the raw materials from metal compounds and the excess amount of carbon-containing components. To remove impurities of metal compounds and the excess amount of carbon-containing compounds from rice husks, it has been proposed to perform the extraction with an aqueous solution of the mixture of 10Β % sulfur and 15Β % acetic acids. We have derived the time dependences of the degree of extraction of cellulose from rice husks. Two temporal sections of the process have been identified. It is shown that the extraction of cellulose from rice husks obeys a pseudo first-order reaction. We have calculated the constants of speed and activation energy in the course of extraction for the two time sections of the process. The activation energy of extraction over a first period is 10.75Β kJ/mol; over a second period, the activation energy value is 26.10Β kJ/mol. It has been established that an increase in the extraction temperature from 20 to 100Β Β°C leads to a two-fold improvement in the process efficiency. It is shown that silicon carbide, synthesized from rice husk after its extraction treatment, is a pure crystalline material whose particles’ size is from 1 to 20Β micrometersΠšΠ°Ρ€Π±ΠΈΠ΄ крСмния характСризуСтся ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΌ спСктром ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Ρ‹Ρ… элСктрофизичСских, Π°Π½Ρ‚ΠΈΠΊΠΎΡ€Ρ€ΠΎΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ прочностных свойств. Π’ качСствС ΡΡ‹Ρ€ΡŒΡ для синтСза ΠΊΠ°Ρ€Π±ΠΈΠ΄Π° крСмния большиС пСрспСктивы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΎΡ‚Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ рисового производства, Π² состав ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… входят соСдинСния крСмния ΠΈ углСродсодСрТащих органичСских вСщСств. Π”Π΅ΡˆΠ΅Π²ΠΈΠ·Π½Π° ΠΈ Π΄ΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΡΡ‹Ρ€ΡŒΡ ΠΎΠ±ΡƒΡΠ»ΠΎΠ²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ получСния ΠΈΠ· Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠ°Ρ€Π±ΠΈΠ΄Π° крСмния. Π’Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π² Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ синтСза ΠΊΠ°Ρ€Π±ΠΈΠ΄Π° крСмния являСтся ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Π° высокой чистоты. Для удалСния примСсСй ΠΈΠ· рисовой ΡˆΠ΅Π»ΡƒΡ…ΠΈ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΅Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ экстракционной ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ. УстановлСно, Ρ‡Ρ‚ΠΎ экстракционная ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° рисовой ΡˆΠ΅Π»ΡƒΡ…ΠΈ кислотным раствором обСспСчиваСт очистку ΡΡ‹Ρ€ΡŒΡ ΠΎΡ‚ соСдинСниймСталлов ΠΈ ΠΈΠ·Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ количСства углСродсодСрТащих ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ². Для удалСния примСсСй соСдинСний ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΎΠ² ΠΈ ΠΈΠ·Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ количСства углСродсодСрТащих соСдинСний ΠΈΠ· рисовой ΡˆΠ΅Π»ΡƒΡ…ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π° экстракция Π²ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ раствором смСси 10Β % сСрной ΠΈ 15Β % уксусной кислот. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ зависимости стСпСни экстракции Ρ†Π΅Π»Π»ΡŽΠ»ΠΎΠ·Ρ‹ ΠΈΠ· рисовой ΡˆΠ΅Π»ΡƒΡ…ΠΈ. Π’Ρ‹Π΄Π΅Π»Π΅Π½Ρ‹ Π΄Π²Π° Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… участка протСкания процСсса. Показано, Ρ‡Ρ‚ΠΎ экстракция Ρ†Π΅Π»Π»ΡŽΠ»ΠΎΠ·Ρ‹ ΠΈΠ· рисовой ΡˆΠ΅Π»ΡƒΡ…ΠΈ подчиняСтся псСвдо ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌΡƒ порядку Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ†ΠΈΠΈ. Рассчитаны константы скорости ΠΈ энСргии Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΈ процСсса экстракции для Π΄Π²ΡƒΡ… Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… участков процСсса. ЭнСргия Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΈ экстракции Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Π΅ составляСт 10,75Β ΠΊΠ”ΠΆ/моль, Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Π΅Β  Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ энСргии Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΈ составляСт 26,10Β ΠΊΠ”ΠΆ/моль. УстановлСно, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ экстракции ΠΎΡ‚ 20 Π΄ΠΎ 100Β Β°Π‘ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ эффСктивности процСсса Π² Π΄Π²Π° Ρ€Π°Π·Π°. Показано, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠ°Ρ€Π±ΠΈΠ΄ крСмния, синтСзированный ΠΈΠ· рисовой ΡˆΠ΅Π»ΡƒΡ…ΠΈ послС Π΅Π΅ экстракционной ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ, прСдставляСт собой чистый кристалличСский ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» с Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ частиц ΠΎΡ‚ 1 Π΄ΠΎ 20 ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ²Π‘ΠΈΠ»Ρ–Ρ†Ρ–ΠΉ ΠΊΠ°Ρ€Π±Ρ–Π΄ Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΡ”Ρ‚ΡŒΡΡ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΌ спСктром корисних Π΅Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΡ„Ρ–Π·ΠΈΡ‡Π½ΠΈΡ…, Π°Π½Ρ‚ΠΈΠΊΠΎΡ€ΠΎΠ·Ρ–ΠΉΠ½ΠΈΡ… Ρ– міцностних властивостСй. Π’ якості сировини для синтСзу силіцій ΠΊΠ°Ρ€Π±Ρ–Π΄Ρƒ Π²Π΅Π»ΠΈΠΊΡ– пСрспСктиви ΠΌΠ°ΡŽΡ‚ΡŒ Π²Ρ–Π΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈ рисового Π²ΠΈΡ€ΠΎΠ±Π½ΠΈΡ†Ρ‚Π²Π°, Π΄ΠΎ складу яких Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΡΡ‚ΡŒ сполуки ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½Ρ–ΡŽ Ρ– карбонвмісних ΠΎΡ€Π³Π°Π½Ρ–Ρ‡Π½ΠΈΡ… Ρ€Π΅Ρ‡ΠΎΠ²ΠΈΠ½. Π”Π΅ΡˆΠ΅Π²ΠΈΠ·Π½Π° Ρ– Π΄ΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ½Ρ–ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΡ— сировини ΠΎΠ±ΡƒΠΌΠΎΠ²Π»ΡŽΡŽΡ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…Ρ–Π΄Π½Ρ–ΡΡ‚ΡŒ Ρ€ΠΎΠ·Ρ€ΠΎΠ±ΠΊΠΈ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³Ρ–ΠΉ отримання Π· нього силіцій ΠΊΠ°Ρ€Π±Ρ–Π΄Ρƒ. Π’Π°ΠΆΠ»ΠΈΠ²ΠΈΠΌ напрямком Π² Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³Ρ–Ρ— синтСзу силіцій ΠΊΠ°Ρ€Π±Ρ–Π΄Ρƒ Ρ” отримання ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Ρƒ високої чистоти. Для видалСння Π΄ΠΎΠΌΡ–ΡˆΠΎΠΊ Π· рисового Π»ΡƒΡˆΠΏΠΈΠ½Π½Ρ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…Ρ–Π΄Π½Π΅ провСдСння Ρ—Ρ— ΠΏΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π½ΡŒΠΎΡ— Скстракційної ΠΎΠ±Ρ€ΠΎΠ±ΠΊΠΈ. ВстановлСно, Ρ‰ΠΎ Скстракційна ΠΎΠ±Ρ€ΠΎΠ±ΠΊΠ° рисового Π»ΡƒΡˆΠΏΠΈΠ½Π½Ρ кислотним Ρ€ΠΎΠ·Ρ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΌ Π·Π°Π±Π΅Π·ΠΏΠ΅Ρ‡ΡƒΡ” очистку сировини Π²Ρ–Π΄ сполук ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Ρ–Π² Ρ– Π½Π°Π΄Π»ΠΈΡˆΠΊΠΎΠ²ΠΎΡ— ΠΊΡ–Π»ΡŒΠΊΠΎΡΡ‚Ρ– карбонвмісних ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ–Π². Для видалСння Π΄ΠΎΠΌΡ–ΡˆΠΎΠΊ сполук ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Ρ–Π² Ρ– Π½Π°Π΄Π»ΠΈΡˆΠΊΠΎΠ²ΠΎΡ— ΠΊΡ–Π»ΡŒΠΊΠΎΡΡ‚Ρ– карбонвмісних сполук Π· рисового Π»ΡƒΡˆΠΏΠΈΠ½Π½Ρ Π·Π°ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΠ½ΠΎΠ²Π°Π½Π° Скстракція Π²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ Ρ€ΠΎΠ·Ρ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΌ ΡΡƒΠΌΡ–ΡˆΡ– 10Β % сірчаної Ρ‚Π° 15Β % ΠΎΡ†Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΡ— кислот. ΠžΡ‚Ρ€ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΎ часові залСТності ступСня Скстракції Ρ†Π΅Π»ΡŽΠ»ΠΎΠ·ΠΈ Π· рисового Π»ΡƒΡˆΠΏΠΈΠ½Π½Ρ. Π’ΠΈΠ΄Ρ–Π»Π΅Π½ΠΎ Π΄Π²Π° часові ΠΏΠ΅Ρ€Ρ–ΠΎΠ΄ΠΈ протікання процСсу. Показано, Ρ‰ΠΎ Скстракція Ρ†Π΅Π»ΡŽΠ»ΠΎΠ·ΠΈ Π· рисового Π»ΡƒΡˆΠΏΠΈΠ½Π½Ρ ΠΏΡ–Π΄ΠΏΠΎΡ€ΡΠ΄ΠΊΠΎΠ²ΡƒΡ”Ρ‚ΡŒΡΡ псСвдо ΠΏΠ΅Ρ€ΡˆΠΎΠΌΡƒ порядку Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ†Ρ–Ρ—. Π ΠΎΠ·Ρ€Π°Ρ…ΠΎΠ²Π°Π½Ρ– константи ΡˆΠ²ΠΈΠ΄ΠΊΠΎΡΡ‚Ρ– Ρ‚Π° Π΅Π½Π΅Ρ€Π³Ρ–Ρ— Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π°Ρ†Ρ–Ρ— процСсу Скстракції для Π΄Π²ΠΎΡ… часових ΠΏΠ΅Ρ€Ρ–ΠΎΠ΄Ρ–Π² процСсу. ЕнСргія Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π°Ρ†Ρ–Ρ— Скстракції Π² ΠΏΠ΅Ρ€ΡˆΠΎΠΌΡƒ ΠΏΠ΅Ρ€Ρ–ΠΎΠ΄Ρ– ΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ 10,75Β ΠΊΠ”ΠΆ/моль, Π² Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΠ΅Ρ€Ρ–ΠΎΠ΄Ρ– значСння Π΅Π½Π΅Ρ€Π³Ρ–Ρ— Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π°Ρ†Ρ–Ρ— ΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ 26,10Β ΠΊΠ”ΠΆ/моль. ВстановлСно, Ρ‰ΠΎ Π·Π±Ρ–Π»ΡŒΡˆΠ΅Π½Π½Ρ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ΠΈ Скстракції Π²Ρ–Π΄ 20 Π΄ΠΎ 100Β Β°Π‘ ΠΏΡ€ΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎ підвищСння СфСктивності процСсу Π² Π΄Π²Π° Ρ€Π°Π·ΠΈ. Показано, Ρ‰ΠΎ силіцій ΠΊΠ°Ρ€Π±Ρ–Π΄, синтСзований Π· рисового Π»ΡƒΡˆΠΏΠΈΠ½Π½Ρ після Ρ—Ρ— Скстракційної ΠΎΠ±Ρ€ΠΎΠ±ΠΊΠΈ, Ρ” чистим кристалічним ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€Ρ–Π°Π»ΠΎΠΌ Π· Ρ€ΠΎΠ·ΠΌΡ–Ρ€ΠΎΠΌ частинок Π²Ρ–Π΄ 1 Π΄ΠΎ 20Β ΠΌΡ–ΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ–

    Π ΠΎΠ·Ρ€ΠΎΠ±ΠΊΠ° Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ суспСнзійного Π΅Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ»Ρ–Ρ‚Ρƒ Π½Π° основі ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π½ΡΡƒΠ»ΡŒΡ„ΠΎΠ½ΠΎΠ²ΠΎΡ— кислоти для СлСктроосадТСння ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ‚Ρ–Π² Cu–TiO2

    No full text
    Electrodeposition of composite coatings based on copper is a promising direction in the creation of advanced materials for multifunctional purposes. An important area of composites application is to use them in the treatment systems for gas emissions and wastewater. It is advisable to use semiconductor oxide materials, in particular titanium dioxide, as the photocatalysts in the photo destruction of organic pollutants of wastewater. The structural features of wastewater treatment equipment require that titanium dioxide particles should be fixed in a rigid matrix. Resolving the task of fixing photosensitive elements at the surface of a certain configuration implies the electrodeposition of coatings by composites, in particular Cu–TiO2. An important factor affecting the functional characteristics of composites and their manufacturing technology is the nature of the electrolyte. It has been shown that the electrodeposition of Cu–TiO2 composites from methane-sulfonate electrolytes makes it possible to reduce the coagulation of the dispersed phase and to obtain coatings with a high content of titanium dioxide from a suspension solution containing no more than 4Β g/l of TiO2. It was established that the content of the dispersed phase in the composite made at a current density of 2Β A/dm2 and the concentration of titanium dioxide in the electrolyte at the level of 4Β g/l is 1.3Β % by weight, which is twice as much as when using a sulfate electrolyte. It has been shown that the increase in the content of the dispersed phase in the coatings from 0.1 to 1.3Β % by weight is accompanied by an increase in the degree of photo destruction of the colorant from 6 to 15.5Β %. The micro-hardness of coatings increases, in this case, by 30Β %. The proposed electrolyte to make the Cu–TiO2 composites is an important contribution to the development of the synthesis of wear-resistant high-performance photocatalysts for treating wastewater from organic pollutantsЭлСктроосаТдСниС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ Π½Π° основС ΠΌΠ΅Π΄ΠΈ являСтся пСрспСктивным Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ создания Π½ΠΎΠ²Π΅ΠΉΡˆΠΈΡ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² ΠΏΠΎΠ»ΠΈΡ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ назначСния. Π’Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ примСнСния ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ‚ΠΎΠ² являСтся использованиС ΠΈΡ… Π² систСмах очистки Π³Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… выбросов ΠΈ сточных Π²ΠΎΠ΄. Π’ качСствС Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ‚Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² фотодСструкции органичСских загрязнитСлСй сточных Π²ΠΎΠ΄ цСлСсообразно ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ оксидныС ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹, Π² частности Ρ‚ΠΈΡ‚Π°Π½ диоксид. ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ особСнности оборудования для очистки сточных Π²ΠΎΠ΄ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°ΡŽΡ‚ Ρ„ΠΈΠΊΡΠ°Ρ†ΠΈΡŽ частиц Ρ‚ΠΈΡ‚Π°Π½ диоксида Π² ТСсткой ΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ†Π΅. РСшСниСм Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΏΠΎ фиксации Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΡ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… элСмСнтов Π½Π° повСрхности ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ являСтся элСктроосаТдСниС ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ‚Π°ΠΌΠΈ, Π² частности Cu–TiO2. Π’Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, Π²Π»ΠΈΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Π½Π° Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ характСристики ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ‚ΠΎΠ² ΠΈ тСхнологичСскоС ΠΎΡ„ΠΎΡ€ΠΌΠ»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΡ… получСния, являСтся ΠΏΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ΄Π° элСктролита. Показано, Ρ‡Ρ‚ΠΎ элСктроосаТдСниС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ‚ΠΎΠ² Cu–TiO2 ΠΈΠ· ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π½ΡΡƒΠ»ΡŒΡ„ΠΎΠ½Π°Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… элСктролитов позволяСт ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ°Π³ΡƒΠ»ΡΡ†ΠΈΡŽ диспСрсной Ρ„Π°Π·Ρ‹ ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ покрытия с высоким содСрТаниСм Ρ‚ΠΈΡ‚Π°Π½ диоксида ΠΈΠ· суспСнзионного раствора, содСрТащСго Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 4 Π³/Π» TiO2. УстановлСно, Ρ‡Ρ‚ΠΎ содСрТаниС диспСрсной Ρ„Π°Π·Ρ‹ Π² ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ‚Π΅, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ плотности Ρ‚ΠΎΠΊΠ° 2 А/Π΄ΠΌ2 ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΈΡ‚Π°Π½ диоксида Π² элСктролитС Π½Π° ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ 4 Π³/Π», составляСт 1,3 мас. %, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Π΄Π²ΠΎΠ΅ большС Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ использовании ΡΡƒΠ»ΡŒΡ„Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ элСктролита. Показано, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ содСрТания диспСрсной Ρ„Π°Π·Ρ‹ Π² покрытиях с 0,1 Π΄ΠΎ 1,3 мас. % сопровоТдаСтся ростом стСпСни фотодСструкции с 6 Π΄ΠΎ 15,5 %. ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ€Π΄ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠΉ возрастаСт ΠΏΡ€ΠΈ этом Π½Π° 30%. Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ элСктролит для получСния ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ‚ΠΎΠ² Cu–TiO2 являСтся Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ Π²ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΎΠΌ Π² Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ синтСза износостойких высокоэффСктивных Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ‚Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² для очистки сточных Π²ΠΎΠ΄ ΠΎΡ‚ органичСских загрязнитСлСйЕлСктроосадТСння ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†Ρ–ΠΉΠ½ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρ–Π² Π½Π° основі ΠΌΡ–Π΄Ρ– Ρ” пСрспСктивним напрямком створСння Π½ΠΎΠ²Ρ–Ρ‚Π½Ρ–Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€Ρ–Π°Π»Ρ–Π² ΠΏΠΎΠ»Ρ–Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†Ρ–ΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ призначСння. Π’Π°ΠΆΠ»ΠΈΠ²ΠΈΠΌ напрямком застосування ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ‚Ρ–Π² Ρ” використання Ρ—Ρ… Ρƒ систСмах очистки Π³Π°Π·ΠΎΠ²ΠΈΡ… Π²ΠΈΠΊΠΈΠ΄Ρ–Π² Ρ‚Π° стічних Π²ΠΎΠ΄. Π’ якості Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ‚Π°Π»Ρ–Π·Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ–Π² фотодСструкції ΠΎΡ€Π³Π°Π½Ρ–Ρ‡Π½ΠΈΡ… Π·Π°Π±Ρ€ΡƒΠ΄Π½ΡŽΠ²Π°Ρ‡Ρ–Π² стічних Π²ΠΎΠ΄ Π΄ΠΎΡ†Ρ–Π»ΡŒΠ½ΠΎ використовувати Π½Π°ΠΏΡ–Π²ΠΏΡ€ΠΎΠ²Ρ–Π΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ– оксидні ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€Ρ–Π°Π»ΠΈ, Π·ΠΎΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ° Ρ‚ΠΈΡ‚Π°Π½ діоксид. ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†Ρ–ΠΉΠ½Ρ– особливості обладнання для очищСння стічних Π²ΠΎΠ΄ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ΡŒ фіксації частинок Ρ‚ΠΈΡ‚Π°Π½ діоксиду Π² Торсткій ΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ†Ρ–. Π’ΠΈΡ€Ρ–ΡˆΠ΅Π½Π½ΡΠΌ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Ρ– Π· фіксації Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΡ‡ΡƒΡ‚Π»ΠΈΠ²ΠΈΡ… Π΅Π»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ–Π² Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½Ρ– ΠΏΠ΅Π²Π½ΠΎΡ— ΠΊΠΎΠ½Ρ„Ρ–Π³ΡƒΡ€Π°Ρ†Ρ–Ρ— Ρ” СлСктроосадТСння ΠΏΠΎΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρ–Π² ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ‚Π°ΠΌΠΈ, Π·ΠΎΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ° Cu–TiO2. Π’Π°ΠΆΠ»ΠΈΠ²ΠΈΠΌ Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, Ρ‰ΠΎ Π²ΠΏΠ»ΠΈΠ²Π°Ρ” Π½Π° Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†Ρ–ΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ– характСристики ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ‚Ρ–Π² Ρ– Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³Ρ–Ρ‡Π½Π΅ оформлСння Ρ—Ρ… одСрТання Ρ” ΠΏΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ΄Π° Π΅Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ»Ρ–Ρ‚Ρƒ. Показано, Ρ‰ΠΎ СлСктроосадТСння ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ‚Ρ–Π² Cu–TiO2 Ρ–Π· ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π½ΡΡƒΠ»ΡŒΡ„ΠΎΠ½Π°Ρ‚Π½ΠΈΡ… Π΅Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ»Ρ–Ρ‚Ρ–Π² дозволяє Π·ΠΌΠ΅Π½ΡˆΠΈΡ‚ΠΈ ΠΊΠΎΠ°Π³ΡƒΠ»ΡΡ†Ρ–ΡŽ диспСрсної Ρ„Π°Π·ΠΈ Ρ– ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Ρ‚ΠΈ ΠΏΠΎΠΊΡ€ΠΈΠ²ΠΈ Π· високим вмістом Ρ‚ΠΈΡ‚Π°Π½ діоксиду Ρ–Π· суспСнзійного Ρ€ΠΎΠ·Ρ‡ΠΈΠ½Ρƒ, Ρ‰ΠΎ ΠΌΡ–ΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π΅ Π±Ρ–Π»ΡŒΡˆΠ΅ 4 Π³/Π» TiO2. ВстановлСно, Ρ‰ΠΎ вміст диспСрсної Ρ„Π°Π·ΠΈ Π² ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ‚Ρ–, ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΈ густині струму 2 А/Π΄ΠΌ2 Ρ– ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†Ρ–Ρ— Ρ‚ΠΈΡ‚Π°Π½ діоксиду Π² Π΅Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ»Ρ–Ρ‚Ρ– Π½Π° Ρ€Ρ–Π²Π½Ρ– 4 Π³/Π», ΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ 1,3 мас.%, Ρ‰ΠΎ Π²Π΄Π²Ρ–Ρ‡Ρ– Π±Ρ–Π»ΡŒΡˆΠ΅ Π½Ρ–ΠΆ ΠΏΡ€ΠΈ використанні ΡΡƒΠ»ΡŒΡ„Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π΅Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ»Ρ–Ρ‚Ρƒ. Показано, Ρ‰ΠΎ Π·Π±Ρ–Π»ΡŒΡˆΠ΅Π½Π½Ρ вмісту диспСрсної Ρ„Π°Π·ΠΈ Π² ΠΏΠΎΠΊΡ€ΠΈΠ²Π°Ρ… Π· 0,1 Π΄ΠΎ 1,3 мас.% ΡΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΆΡƒΡ”Ρ‚ΡŒΡΡ зростанням ΡΡ‚ΡƒΠΏΠ΅Π½ΡŽ фотодСструкції Π±Π°Ρ€Π²Π½ΠΈΠΊΠ° Π· 6 Π΄ΠΎ 15,5 відсотків. ΠœΡ–ΠΊΡ€ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ€Π΄Ρ–ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρ–Π² зростає ΠΏΡ€ΠΈ Ρ†ΡŒΠΎΠΌΡƒ Π½Π° 30 %. Π ΠΎΠ·Ρ€ΠΎΠ±Π»Π΅Π½ΠΈΠΉ Π΅Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ»Ρ–Ρ‚ для одСрТання ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ‚Ρ–Π² Cu–TiO2 Ρ” Π²Π°ΠΆΠ»ΠΈΠ²ΠΈΠΌ внСском Ρƒ Ρ€ΠΎΠ·Π²ΠΈΡ‚ΠΎΠΊ синтСзу зносостійких високоСфСктивних Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ‚Π°Π»Ρ–Π·Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ–Π² для очистки стічних Π²ΠΎΠ΄ Π²Ρ–Π΄ ΠΎΡ€Π³Π°Π½Ρ–Ρ‡Π½ΠΈΡ… Π·Π°Π±Ρ€ΡƒΠ΄Π½ΡŽΠ²Π°Ρ‡Ρ–

    ДослідТСння ΠΊΡ–Π½Π΅Ρ‚ΠΈΠΊΠΈ Скстракційної ΠΎΠ±Ρ€ΠΎΠ±ΠΊΠΈ рисового Π»ΡƒΡˆΠΏΠΈΠ½Π½Ρ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½Π½Ρ– силіцій ΠΊΠ°Ρ€Π±Ρ–Π΄Ρƒ

    No full text
    Silicon carbide is characterized by a wide range of beneficial electrophysical, anti-corrosion, and strength properties. A promising raw material for the synthesis of silicon carbide is the waste of rice production, which includes compounds of silicon and carbon-containing organic substances. The cheapness and availability of such raw materials necessitate the development of technologies to obtain silicon carbide from it. An important direction in silicon carbide synthesis technology is to obtain a high purity product. To remove impurities from rice husks, it is necessary to carry out its pre-extraction treatment. It has been established that the extraction treatment of rice husks with acid solution makes it possible to clean the raw materials from metal compounds and the excess amount of carbon-containing components. To remove impurities of metal compounds and the excess amount of carbon-containing compounds from rice husks, it has been proposed to perform the extraction with an aqueous solution of the mixture of 10Β % sulfur and 15Β % acetic acids. We have derived the time dependences of the degree of extraction of cellulose from rice husks. Two temporal sections of the process have been identified. It is shown that the extraction of cellulose from rice husks obeys a pseudo first-order reaction. We have calculated the constants of speed and activation energy in the course of extraction for the two time sections of the process. The activation energy of extraction over a first period is 10.75Β kJ/mol; over a second period, the activation energy value is 26.10Β kJ/mol. It has been established that an increase in the extraction temperature from 20 to 100Β Β°C leads to a two-fold improvement in the process efficiency. It is shown that silicon carbide, synthesized from rice husk after its extraction treatment, is a pure crystalline material whose particles’ size is from 1 to 20Β micrometersΠšΠ°Ρ€Π±ΠΈΠ΄ крСмния характСризуСтся ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΌ спСктром ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Ρ‹Ρ… элСктрофизичСских, Π°Π½Ρ‚ΠΈΠΊΠΎΡ€Ρ€ΠΎΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ прочностных свойств. Π’ качСствС ΡΡ‹Ρ€ΡŒΡ для синтСза ΠΊΠ°Ρ€Π±ΠΈΠ΄Π° крСмния большиС пСрспСктивы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΎΡ‚Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ рисового производства, Π² состав ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… входят соСдинСния крСмния ΠΈ углСродсодСрТащих органичСских вСщСств. Π”Π΅ΡˆΠ΅Π²ΠΈΠ·Π½Π° ΠΈ Π΄ΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΡΡ‹Ρ€ΡŒΡ ΠΎΠ±ΡƒΡΠ»ΠΎΠ²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ получСния ΠΈΠ· Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠ°Ρ€Π±ΠΈΠ΄Π° крСмния. Π’Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π² Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ синтСза ΠΊΠ°Ρ€Π±ΠΈΠ΄Π° крСмния являСтся ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Π° высокой чистоты. Для удалСния примСсСй ΠΈΠ· рисовой ΡˆΠ΅Π»ΡƒΡ…ΠΈ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΅Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ экстракционной ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ. УстановлСно, Ρ‡Ρ‚ΠΎ экстракционная ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° рисовой ΡˆΠ΅Π»ΡƒΡ…ΠΈ кислотным раствором обСспСчиваСт очистку ΡΡ‹Ρ€ΡŒΡ ΠΎΡ‚ соСдинСниймСталлов ΠΈ ΠΈΠ·Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ количСства углСродсодСрТащих ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ². Для удалСния примСсСй соСдинСний ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΎΠ² ΠΈ ΠΈΠ·Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ количСства углСродсодСрТащих соСдинСний ΠΈΠ· рисовой ΡˆΠ΅Π»ΡƒΡ…ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π° экстракция Π²ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ раствором смСси 10Β % сСрной ΠΈ 15Β % уксусной кислот. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ зависимости стСпСни экстракции Ρ†Π΅Π»Π»ΡŽΠ»ΠΎΠ·Ρ‹ ΠΈΠ· рисовой ΡˆΠ΅Π»ΡƒΡ…ΠΈ. Π’Ρ‹Π΄Π΅Π»Π΅Π½Ρ‹ Π΄Π²Π° Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… участка протСкания процСсса. Показано, Ρ‡Ρ‚ΠΎ экстракция Ρ†Π΅Π»Π»ΡŽΠ»ΠΎΠ·Ρ‹ ΠΈΠ· рисовой ΡˆΠ΅Π»ΡƒΡ…ΠΈ подчиняСтся псСвдо ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌΡƒ порядку Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ†ΠΈΠΈ. Рассчитаны константы скорости ΠΈ энСргии Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΈ процСсса экстракции для Π΄Π²ΡƒΡ… Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… участков процСсса. ЭнСргия Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΈ экстракции Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Π΅ составляСт 10,75Β ΠΊΠ”ΠΆ/моль, Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Π΅Β  Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ энСргии Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΈ составляСт 26,10Β ΠΊΠ”ΠΆ/моль. УстановлСно, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ экстракции ΠΎΡ‚ 20 Π΄ΠΎ 100Β Β°Π‘ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ эффСктивности процСсса Π² Π΄Π²Π° Ρ€Π°Π·Π°. Показано, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠ°Ρ€Π±ΠΈΠ΄ крСмния, синтСзированный ΠΈΠ· рисовой ΡˆΠ΅Π»ΡƒΡ…ΠΈ послС Π΅Π΅ экстракционной ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ, прСдставляСт собой чистый кристалличСский ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» с Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ частиц ΠΎΡ‚ 1 Π΄ΠΎ 20 ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ²Π‘ΠΈΠ»Ρ–Ρ†Ρ–ΠΉ ΠΊΠ°Ρ€Π±Ρ–Π΄ Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΡ”Ρ‚ΡŒΡΡ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΌ спСктром корисних Π΅Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΡ„Ρ–Π·ΠΈΡ‡Π½ΠΈΡ…, Π°Π½Ρ‚ΠΈΠΊΠΎΡ€ΠΎΠ·Ρ–ΠΉΠ½ΠΈΡ… Ρ– міцностних властивостСй. Π’ якості сировини для синтСзу силіцій ΠΊΠ°Ρ€Π±Ρ–Π΄Ρƒ Π²Π΅Π»ΠΈΠΊΡ– пСрспСктиви ΠΌΠ°ΡŽΡ‚ΡŒ Π²Ρ–Π΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈ рисового Π²ΠΈΡ€ΠΎΠ±Π½ΠΈΡ†Ρ‚Π²Π°, Π΄ΠΎ складу яких Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΡΡ‚ΡŒ сполуки ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½Ρ–ΡŽ Ρ– карбонвмісних ΠΎΡ€Π³Π°Π½Ρ–Ρ‡Π½ΠΈΡ… Ρ€Π΅Ρ‡ΠΎΠ²ΠΈΠ½. Π”Π΅ΡˆΠ΅Π²ΠΈΠ·Π½Π° Ρ– Π΄ΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ½Ρ–ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΡ— сировини ΠΎΠ±ΡƒΠΌΠΎΠ²Π»ΡŽΡŽΡ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…Ρ–Π΄Π½Ρ–ΡΡ‚ΡŒ Ρ€ΠΎΠ·Ρ€ΠΎΠ±ΠΊΠΈ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³Ρ–ΠΉ отримання Π· нього силіцій ΠΊΠ°Ρ€Π±Ρ–Π΄Ρƒ. Π’Π°ΠΆΠ»ΠΈΠ²ΠΈΠΌ напрямком Π² Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³Ρ–Ρ— синтСзу силіцій ΠΊΠ°Ρ€Π±Ρ–Π΄Ρƒ Ρ” отримання ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Ρƒ високої чистоти. Для видалСння Π΄ΠΎΠΌΡ–ΡˆΠΎΠΊ Π· рисового Π»ΡƒΡˆΠΏΠΈΠ½Π½Ρ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…Ρ–Π΄Π½Π΅ провСдСння Ρ—Ρ— ΠΏΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π½ΡŒΠΎΡ— Скстракційної ΠΎΠ±Ρ€ΠΎΠ±ΠΊΠΈ. ВстановлСно, Ρ‰ΠΎ Скстракційна ΠΎΠ±Ρ€ΠΎΠ±ΠΊΠ° рисового Π»ΡƒΡˆΠΏΠΈΠ½Π½Ρ кислотним Ρ€ΠΎΠ·Ρ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΌ Π·Π°Π±Π΅Π·ΠΏΠ΅Ρ‡ΡƒΡ” очистку сировини Π²Ρ–Π΄ сполук ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Ρ–Π² Ρ– Π½Π°Π΄Π»ΠΈΡˆΠΊΠΎΠ²ΠΎΡ— ΠΊΡ–Π»ΡŒΠΊΠΎΡΡ‚Ρ– карбонвмісних ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ–Π². Для видалСння Π΄ΠΎΠΌΡ–ΡˆΠΎΠΊ сполук ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Ρ–Π² Ρ– Π½Π°Π΄Π»ΠΈΡˆΠΊΠΎΠ²ΠΎΡ— ΠΊΡ–Π»ΡŒΠΊΠΎΡΡ‚Ρ– карбонвмісних сполук Π· рисового Π»ΡƒΡˆΠΏΠΈΠ½Π½Ρ Π·Π°ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΠ½ΠΎΠ²Π°Π½Π° Скстракція Π²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ Ρ€ΠΎΠ·Ρ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΌ ΡΡƒΠΌΡ–ΡˆΡ– 10Β % сірчаної Ρ‚Π° 15Β % ΠΎΡ†Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΡ— кислот. ΠžΡ‚Ρ€ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΎ часові залСТності ступСня Скстракції Ρ†Π΅Π»ΡŽΠ»ΠΎΠ·ΠΈ Π· рисового Π»ΡƒΡˆΠΏΠΈΠ½Π½Ρ. Π’ΠΈΠ΄Ρ–Π»Π΅Π½ΠΎ Π΄Π²Π° часові ΠΏΠ΅Ρ€Ρ–ΠΎΠ΄ΠΈ протікання процСсу. Показано, Ρ‰ΠΎ Скстракція Ρ†Π΅Π»ΡŽΠ»ΠΎΠ·ΠΈ Π· рисового Π»ΡƒΡˆΠΏΠΈΠ½Π½Ρ ΠΏΡ–Π΄ΠΏΠΎΡ€ΡΠ΄ΠΊΠΎΠ²ΡƒΡ”Ρ‚ΡŒΡΡ псСвдо ΠΏΠ΅Ρ€ΡˆΠΎΠΌΡƒ порядку Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ†Ρ–Ρ—. Π ΠΎΠ·Ρ€Π°Ρ…ΠΎΠ²Π°Π½Ρ– константи ΡˆΠ²ΠΈΠ΄ΠΊΠΎΡΡ‚Ρ– Ρ‚Π° Π΅Π½Π΅Ρ€Π³Ρ–Ρ— Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π°Ρ†Ρ–Ρ— процСсу Скстракції для Π΄Π²ΠΎΡ… часових ΠΏΠ΅Ρ€Ρ–ΠΎΠ΄Ρ–Π² процСсу. ЕнСргія Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π°Ρ†Ρ–Ρ— Скстракції Π² ΠΏΠ΅Ρ€ΡˆΠΎΠΌΡƒ ΠΏΠ΅Ρ€Ρ–ΠΎΠ΄Ρ– ΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ 10,75Β ΠΊΠ”ΠΆ/моль, Π² Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΠ΅Ρ€Ρ–ΠΎΠ΄Ρ– значСння Π΅Π½Π΅Ρ€Π³Ρ–Ρ— Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π°Ρ†Ρ–Ρ— ΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ 26,10Β ΠΊΠ”ΠΆ/моль. ВстановлСно, Ρ‰ΠΎ Π·Π±Ρ–Π»ΡŒΡˆΠ΅Π½Π½Ρ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ΠΈ Скстракції Π²Ρ–Π΄ 20 Π΄ΠΎ 100Β Β°Π‘ ΠΏΡ€ΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎ підвищСння СфСктивності процСсу Π² Π΄Π²Π° Ρ€Π°Π·ΠΈ. Показано, Ρ‰ΠΎ силіцій ΠΊΠ°Ρ€Π±Ρ–Π΄, синтСзований Π· рисового Π»ΡƒΡˆΠΏΠΈΠ½Π½Ρ після Ρ—Ρ— Скстракційної ΠΎΠ±Ρ€ΠΎΠ±ΠΊΠΈ, Ρ” чистим кристалічним ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€Ρ–Π°Π»ΠΎΠΌ Π· Ρ€ΠΎΠ·ΠΌΡ–Ρ€ΠΎΠΌ частинок Π²Ρ–Π΄ 1 Π΄ΠΎ 20Β ΠΌΡ–ΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ–

    Π”ΠžΠ‘Π›Π†Π”Π–Π•ΠΠΠ― ΠšΠ†ΠΠ•Π’Π˜ΠšΠ˜ Π’Π•Π ΠœΠ†Π§ΠΠžΠ“Πž Π ΠžΠ—ΠšΠ›ΠΠ”ΠΠΠΠ― Π Π˜Π‘ΠžΠ’ΠžΠ“Πž Π›Π£Π¨ΠŸΠ˜ΠΠΠ― ΠŸΠ†Π‘Π›Π― Π’Π˜Π”ΠΠ›Π•ΠΠΠ― ЛІГНІНУ

    No full text
    The study addresses the problem of using recycled materials for the production of a wide range of diverse products; in this context, the paper investigates the extractin of amorphous silicon (IV) dioxide from rice waste, i.e. rice husk, which differs in its chemical composition from all other cereal crops by a high content of silicon dioxide. Amorphous siliconΒ (IV) oxide is widely used in electronics, medicine, food industry, cosmetology, paintwork materials manufacturing, and other industries. Amorphous silicon(IV) oxide has to meet various requirements, the main ones being amorphous structure, degree of purification, and particle size. A derivatographic method of analysis is used to study the non-isothermal kinetics of rice husk residue thermal decomposition. According to the results of derivatographic, chemical, and phase analyzes, a method for amorphous siliconΒ (IV) oxide extraction by thermal decomposition of rice husk after the lignin removal has been proposed. The values of relative activation energies and the pre-exponential factors of the reactions have been calculated. A mathematical model characterized by a system consisting of three first order differential equations and four algebraic equations has been designed. Through the use of the proposed model, the time response characteristics of the process have been studied.Π’ Ρ€Π°ΠΌΠΊΠ°Ρ… Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ использования Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΡΡ‹Ρ€ΡŒΡ для производства ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ³ΠΎ спСктра Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΎΠ², рассматриваСтся Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π°ΠΌΠΎΡ€Ρ„Π½ΠΎΠ³ΠΎ диоксида крСмния ΠΈΠ· ΠΎΡ‚Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² рисового производства – рисовой ΡˆΠ΅Π»ΡƒΡ…ΠΈ, которая отличаСтся ΠΏΠΎ своСму химичСскому составу ΠΎΡ‚ всСх Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… Π·Π»Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΊΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΡƒΡ€ большим содСрТаниСм диоксида крСмния. Аморфный диоксид крСмния ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΉ спСктр примСнСния Π² элСктроникС, ΠΌΠ΅Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠ½Π΅, ΠΏΠΈΡ‰Π΅Π²ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ, космСтологии, ΠΏΡ€ΠΈ производствС Π»Π°ΠΊΠΎΠ² ΠΈ красок, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π² Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… отраслях ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ. К Π°ΠΌΠΎΡ€Ρ„Π½ΠΎΠΌΡƒ диоксиду крСмния ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡŠΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ трСбования, Π½ΠΎ основными ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ аморфная структура, ΡΡ‚Π΅ΠΏΠ΅Π½ΡŒ очистки ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ частиц. Для изучСния нСизотСрмичСской ΠΊΠΈΠ½Π΅Ρ‚ΠΈΠΊΠΈ тСрмичСского разлоТСния остатка рисовой ΡˆΠ΅Π»ΡƒΡ…ΠΈ примСняли дСриватографичСский ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π°. По Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π°ΠΌ дСриватографичСского, химичСского ΠΈ Ρ„Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½ ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌ процСсса выдСлСния Π°ΠΌΠΎΡ€Ρ„Π½ΠΎΠ³ΠΎ диоксида крСмния ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ тСрмичСского разлоТСния рисовой ΡˆΠ΅Π»ΡƒΡ…ΠΈ послС удалСния Π»ΠΈΠ³Π½ΠΈΠ½Π°. Рассчитаны значСния условных энСргий Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΠΊΡΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ†ΠΈΠΉ. ΠŸΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΅Π½Π° матСматичСская модСль, которая описываСтся систСмой, состоящСй ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ порядка ΠΈ Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅Ρ… алгСбраичСских. Π‘ Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΈΠ·ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ характСристики процСсса.Π£ Ρ€Π°ΠΌΠΊΠ°Ρ… Π²ΠΈΡ€Ρ–ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠΈ використання Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΠ½Π½ΠΎΡ— сировини для Π²ΠΈΡ€ΠΎΠ±Π½ΠΈΡ†Ρ‚Π²Π° ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ³ΠΎ спСктру Ρ€Ρ–Π·Π½ΠΎΠΌΠ°Π½Ρ–Ρ‚Π½ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Ρ–Π², Ρ€ΠΎΠ·Π³Π»ΡΠ΄Π°Ρ”Ρ‚ΡŒΡΡ виділСння Π°ΠΌΠΎΡ€Ρ„Π½ΠΎΠ³ΠΎ силіцій (IV) оксиду Π· Π²Ρ–Π΄Ρ…ΠΎΠ΄Ρ–Π² рисового Π²ΠΈΡ€ΠΎΠ±Π½ΠΈΡ†Ρ‚Π²Π° – рисового Π»ΡƒΡˆΠΏΠΈΠ½Π½Ρ, яка Π²Ρ–Π΄Ρ€Ρ–Π·Π½ΡΡ”Ρ‚ΡŒΡΡ Π·Π° своїм Ρ…Ρ–ΠΌΡ–Ρ‡Π½ΠΈΠΌ складом Π²Ρ–Π΄ усіх Ρ–Π½ΡˆΠΈΡ… Π·Π»Π°ΠΊΠΎΠ²ΠΈΡ… ΠΊΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΡƒΡ€ Π²Π΅Π»ΠΈΠΊΠΈΠΌ вмістом діоксиду ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½Ρ–ΡŽ. Аморфний силіцій (IV) оксид ΠΌΠ°Ρ” ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΉ спСктр застосування Π² Π΅Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Ρ–Ρ†Ρ–, ΠΌΠ΅Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠ½Ρ–, Ρ…Π°Ρ€Ρ‡ΠΎΠ²Ρ–ΠΉ промисловості, космСтології, ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΈΡ€ΠΎΠ±Π½ΠΈΡ†Ρ‚Π²Ρ– Π»Π°ΠΊΡ–Π² Ρ– Ρ„Π°Ρ€Π±, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΆ Π² Ρ–Π½ΡˆΠΈΡ… галузях промисловості. Π”ΠΎ Π°ΠΌΠΎΡ€Ρ„Π½ΠΎΠΌΡƒ діоксиду ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½Ρ–ΡŽ ΠΏΡ€Π΅Π΄'ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡŒΡΡ Ρ€Ρ–Π·Π½Ρ– Π²ΠΈΠΌΠΎΠ³ΠΈ, Π°Π»Π΅ основними Ρ” Π°ΠΌΠΎΡ€Ρ„Π½Π° структура, ΡΡ‚ΡƒΠΏΡ–Π½ΡŒ очищСння Ρ‚Π° Ρ€ΠΎΠ·ΠΌΡ–Ρ€ частинок. Для вивчСння Π½Π΅Ρ–Π·ΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΌΡ–Ρ‡Π½ΠΎΡ— ΠΊΡ–Π½Π΅Ρ‚ΠΈΠΊΠΈ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΡ–Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ розкладання Π·Π°Π»ΠΈΡˆΠΊΡƒ рисового Π»ΡƒΡˆΠΏΠΈΠ½Π½Ρ застосовували Π΄Π΅Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΠΎΠ³Ρ€Π°Ρ„Ρ–Ρ‡Π½ΠΈΠΉ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ Π°Π½Π°Π»Ρ–Π·Ρƒ. Π—Π° Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π°ΠΌΠΈ Π΄Π΅Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΠΎΠ³Ρ€Π°Ρ„Ρ–Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ…Ρ–ΠΌΡ–Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ– Ρ„Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π°Π½Π°Π»Ρ–Π·Ρ–Π² Π·Π°ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΠ½ΠΎΠ²Π°Π½ΠΎ ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½Ρ–Π·ΠΌ процСсу виділСння Π°ΠΌΠΎΡ€Ρ„Π½ΠΎΠ³ΠΎ силіцій (IV) оксиду ΡˆΠ»ΡΡ…ΠΎΠΌ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΡ–Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ розкладання рисового Π»ΡƒΡˆΠΏΠΈΠ½Π½Ρ після видалСння Π»Ρ–Π³Π½Ρ–Π½Ρƒ. Π ΠΎΠ·Ρ€Π°Ρ…ΠΎΠ²Π°Π½Ρ– значСння ΡƒΠΌΠΎΠ²Π½ΠΈΡ… Π΅Π½Π΅Ρ€Π³Ρ–ΠΉ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π°Ρ†Ρ–Ρ— Ρ– ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅ΠΊΡΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ†Ρ–Π°Π»ΡŒΠ½ΠΈΡ… ΠΌΠ½ΠΎΠΆΠ½ΠΈΠΊΡ–Π² Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ†Ρ–ΠΉ. ΠŸΠΎΠ±ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅ΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΡ‡Π½Ρƒ модСль, яка ΠΎΠΏΠΈΡΡƒΡ”Ρ‚ΡŒΡΡ ΡΠΈΡΡ‚Π΅ΠΌΠΎΡŽ, Ρ‰ΠΎ ΡΠΊΠ»Π°Π΄Π°Ρ”Ρ‚ΡŒΡΡ Π· Ρ‚Ρ€ΡŒΠΎΡ… Π΄ΠΈΡ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†Ρ–Π°Π»ΡŒΠ½ΠΈΡ… Ρ€Ρ–Π²Π½ΡΠ½ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€ΡˆΠΎΠ³ΠΎ порядку Ρ– Ρ‡ΠΎΡ‚ΠΈΡ€ΡŒΠΎΡ… Π°Π»Π³Π΅Π±Ρ€Π°Ρ—Ρ‡Π½ΠΈΡ…. Π— Ρ—Ρ— допомогою Π²ΠΈΠ²Ρ‡Π΅Π½Ρ– тимчасові характСристики процСсу

    Development of A New Suspension Electrolyte Based on Methane-sulphonic Acid for the Electrodeposition of Cu–TiO2 Composites

    Full text link
    Electrodeposition of composite coatings based on copper is a promising direction in the creation of advanced materials for multifunctional purposes. An important area of composites application is to use them in the treatment systems for gas emissions and wastewater. It is advisable to use semiconductor oxide materials, in particular titanium dioxide, as the photocatalysts in the photo destruction of organic pollutants of wastewater. The structural features of wastewater treatment equipment require that titanium dioxide particles should be fixed in a rigid matrix. Resolving the task of fixing photosensitive elements at the surface of a certain configuration implies the electrodeposition of coatings by composites, in particular Cu–TiO2. An important factor affecting the functional characteristics of composites and their manufacturing technology is the nature of the electrolyte. It has been shown that the electrodeposition of Cu–TiO2 composites from methane-sulfonate electrolytes makes it possible to reduce the coagulation of the dispersed phase and to obtain coatings with a high content of titanium dioxide from a suspension solution containing no more than 4 g/l of TiO2. It was established that the content of the dispersed phase in the composite made at a current density of 2 A/dm2 and the concentration of titanium dioxide in the electrolyte at the level of 4 g/l is 1.3 % by weight, which is twice as much as when using a sulfate electrolyte. It has been shown that the increase in the content of the dispersed phase in the coatings from 0.1 to 1.3 % by weight is accompanied by an increase in the degree of photo destruction of the colorant from 6 to 15.5 %. The micro-hardness of coatings increases, in this case, by 30 %. The proposed electrolyte to make the Cu–TiO2 composites is an important contribution to the development of the synthesis of wear-resistant high-performance photocatalysts for treating wastewater from organic pollutant

    Studying the Kinetics of Extraction Treatment of Rice Husk When Obtaining Silicon Carbide

    Full text link
    Silicon carbide is characterized by a wide range of beneficial electrophysical, anti-corrosion, and strength properties. A promising raw material for the synthesis of silicon carbide is the waste of rice production, which includes compounds of silicon and carbon-containing organic substances. The cheapness and availability of such raw materials necessitate the development of technologies to obtain silicon carbide from it. An important direction in silicon carbide synthesis technology is to obtain a high purity product. To remove impurities from rice husks, it is necessary to carry out its pre-extraction treatment. It has been established that the extraction treatment of rice husks with acid solution makes it possible to clean the raw materials from metal compounds and the excess amount of carbon-containing components. To remove impurities of metal compounds and the excess amount of carbon-containing compounds from rice husks, it has been proposed to perform the extraction with an aqueous solution of the mixture of 10 % sulfur and 15 % acetic acids. We have derived the time dependences of the degree of extraction of cellulose from rice husks. Two temporal sections of the process have been identified. It is shown that the extraction of cellulose from rice husks obeys a pseudo first-order reaction. We have calculated the constants of speed and activation energy in the course of extraction for the two time sections of the process. The activation energy of extraction over a first period is 10.75 kJ/mol; over a second period, the activation energy value is 26.10 kJ/mol. It has been established that an increase in the extraction temperature from 20 to 100 Β°C leads to a two-fold improvement in the process efficiency. It is shown that silicon carbide, synthesized from rice husk after its extraction treatment, is a pure crystalline material whose particles' size is from 1 to 20 micrometer
    corecore