Phonetikerwerbsverläufe bei russland-deutschen Aussiedlern im segmentalen Bereich

Der Beitrag beschäftigt sich mit den Phonetikerwerbsverläufen (im segmentalen Bereich) bei russland-deutschen Spätaussiedlern im Ruhrgebiet - außerhalb jeglichen Phonetikunterrichts. Das Forschungskorpus bilden mit einem 6-monatigen Abstand mehrfach aufgenommene Interviews. Die Fehlerhäufigkeit ist das Kriterium für die Entwicklung der Aussprache, die untersuchten Fehler gelten als verallgemeinerbare Indikatoren für die Lernfortschritte. Die Werte aus den Interviews werden unter dynamischem Aspekt verglichen. Die Auswertung der Erwerbsverläufe lässt die untersuchte Gruppe nach dem Alter zweiteilen. Die niedrigeren Fehlerquoten bei Jugendlichen zeigen, dass Fehler zumeist allein durch den Sprachkontakt zurückgehen. Bei den Erwachsenen geht der Erwerbsprozess langsam vor sich. Die erworbenen Formen sind mehr oder weniger korrekt, selten perfekt. Zuerst wird der Vokaleinsatz in seiner delimitativen Funktion erworben, dann die relativ korrekten Langvokale. Später stellt sich das reduzierte E (Schwa) statt Vollvokal ein, danach die Kurzvokale und das vokalisierte R. Der Ich-Laut und die Palatalisierung weisen langfristig hohe Fehlerquoten auf, ebenso die Lenisierung der Plosive. Der Ang-Laut ist oft zu 100 % falsch. Diese empirisch ermittelte Erwerbsreihenfolge sollte bei der Festlegung einer Vermittlungsprogression im die Integration unterstützenden Sprachunterricht berücksichtigt werden

Amorphous silicon carbide heterojunction solar cells on p-type substrates

The performance of silicon heterojunction (SHJ) solar cells is discussed in this paper in regard to their dependence on the applied amorphous silicon layers, their thicknesses and surface morphology. The emitter system investigated in this work consists of an n-doped, hydrogenized, amorphous silicon carbide a-SiC:H(n) layer with or without a pure, hydrogenized, intrinsic, amorphous silicon a-Si:H(i) intermediate layer. All solar cells were fabricated on p-type FZ-silicon and feature a high-efficiency backside consisting of a SiO2 passivation layer and a diffused local boron back surface field, allowing us to focus only on the effects of the front side emitter system. The highest solar cell efficiency achieved within this work is 18.5%, which is one of the highest values for SHJ-solar cells using p-type substrates. A dependence of the passivation quality on the surface morphology was only observed for solar cells including an a-Si:H(i) layer. It could be shown that the f ill factor suffers from a reduction due to a reduced pseudo fill factor for emitter thicknesses below 11 nm due to a lower passivation quality and/or a higher potential for shunting thorough the a-Si emitter to the crystalline wafer with the conductive indium tin oxide layer. Furthermore, the influence of a variation of the doping gas flow (PH3) during the plasma enhanced chemical vapor deposition of the doped amorphous silicon carbide a-SiC:H(n) on the solar cell current-voltage characteristic-parameter has been investigated. We could demonstrate that a-SiC:H(n) shows in principle the same dependence on PH3-flow as pure a-Si:H(n)

Development and understanding of the intrinsic and doped amorphous emitter-layer stacks for silicon heterojunction solar cells

Comparison of the open-circuit voltage Voc determined by sunsVoc to the implied voltage Voc,impl determined by transient QSSPC lifetime measurements can lead to a quick and easy analysis and characterization of silicon heterojunction (SHJ) solar cells, especially in regard to finding the optimum doping concentration of the emitter layer (stack system). The Voc,impl represents the interface passivation quality. The sunsVoc value gives us additionally a measure of the apparent band-bending. Increasing the concentration of doping gases during the deposition of e.g. a-Si:H(p) reduces the interface passivation quality (Voc,impl) and increases the band-bending (sunsVoc value). The best trade off is realized when the ratio of sunsVoc to Voc,impl (Voc trade off ) first comes to a saturation value near 1, while increasing the doping concentration. For a-Si:H(p) layers the pseudo fill factor PFF is found to be dependent on the doping concentration, too. Thus, the maximum value obtained for the PFF sunsVoc product is taken as a measure for the optimal doping concentration of a-Si:H(p) emitter layers. This approaches are applied to answer the following questions: i) what is the optimum doping concentration for an a-Si:H(n) emitter layer vs. an a-Si:H(i & n) emitter layer stack? ii) what is the best doping concentration of the a-Si:H(p) layer in an a- Si:H(i & p) emitter layer stack system including a variation of the a-Si:H(i) as well as the a-Si:H(p) layer thickness