In-plane magnetic domains and N\'eel-like domain walls in thin flakes of the room temperature CrTe2_2 van der Waals ferromagnet

The recent discovery of magnetic van der Waals materials has triggered a wealth of investigations in materials science, and now offers genuinely new prospects for both fundamental and applied research. Although the catalogue of van der Waals ferromagnets is rapidly expanding, most of them have a Curie temperature below 300 K, a notable disadvantage for potential applications. Combining element-selective x-ray magnetic imaging and magnetic force microscopy, we resolve at room temperature the magnetic domains and domains walls in micron-sized flakes of the CrTe$_2$ van der Waals ferromagnet. Flux-closure magnetic patterns suggesting in-plane six-fold symmetry are observed. Upon annealing the material above its Curie point (315 K), the magnetic domains disappear. By cooling back down the sample, a different magnetic domain distribution is obtained, indicating material stability and lack of magnetic memory upon thermal cycling. The domain walls presumably have N\'eel texture, are preferentially oriented along directions separated by 120 degrees, and have a width of several tens of nanometers. Besides microscopic mapping of magnetic domains and domain walls, the coercivity of the material is found to be of a few mT only, showing that the CrTe$_2$ compound is magnetically soft. The coercivity is found to increase as the volume of the material decreases

Stability of the In-Plane Room Temperature van der Waals Ferromagnet Chromium Ditelluride and Its Conversion to Chromium-Interleaved CrTe2_2 Compounds

Van der Waals magnetic materials are building blocks for novel kinds of spintronic devices and playgrounds for exploring collective magnetic phenomena down to the two-dimensional limit. Chromium-tellurium compounds are relevant in this perspective. In particular, the 1$T$ phase of CrTe$_2$ has been argued to have a Curie temperature above 300~K, a rare and desirable property in the class of lamellar materials, making it a candidate for practical applications. However, recent literature reveals a strong variability in the reported properties, including magnetic ones. Using electron microscopy, diffraction and spectroscopy techniques, together with local and macroscopic magnetometry approaches, our work sheds new light on the structural, chemical and magnetic properties of bulk 1$T$-CrTe$_2$ exfoliated in the form of flakes having a thickness ranging from few to several tens of nanometers. We unambiguously establish that 1$T$-CrTe$_2$ flakes are ferromagnetic above room temperature, have an in-plane easy axis of magnetization, low coercivity, and we confirm that their Raman spectroscopy signatures are two modes, $E_{2\text{g}}$ (103.5~cm$^{-1}$) and $A_{1\text{g}}$ (136.5~cm$^{-1}$). We also prove that thermal annealing causes a phase transformation to monoclinic Cr$_5$Te$_8$ and, to a lesser extent, to trigonal Cr$_5$Te$_8$. In sharp contrast with 1$T$-CrTe$_2$, none of these compounds have a Curie temperature above room temperature, and they both have perpendicular magnetic anisotropy. Our findings reconcile the apparently conflicting reports in the literature and open opportunities for phase-engineered magnetic properties

Room temperature 2D ferromagnetism in few-layered 1TT-CrTe2_{2}

Spin-related electronics using two dimensional (2D) van der Waals (vdW) materials as a platform are believed to hold great promise for revolutionizing the next generation spintronics. Although many emerging new phenomena have been unravelled in 2D electronic systems with spin long-range orderings, the scarcely reported room temperature magnetic vdW material has thus far hindered the related applications. Here, we show that intrinsic ferromagnetically aligned spin polarization can hold up to 316 K in a metallic phase of 1$T$-CrTe$_{2}$ in the few-layer limit. This room temperature 2D long range spin interaction may be beneficial from an itinerant enhancement. Spin transport measurements indicate an in-plane room temperature negative anisotropic magnetoresistance (AMR) in few-layered CrTe$_{2}$, but a sign change in the AMR at lower temperature, with -0.6$\%$ at 300 K and +5$\%$ at 10 K, respectively. This behavior may originate from the specific spin polarized band structure of CrTe$_{2}$. Our findings provide insights into magnetism in few-layered CrTe$_{2}$, suggesting potential for future room temperature spintronic applications of such 2D vdW magnets.Comment: 9 Pages, 4 Figure

Modulation de la fréquence d'un oscillateur spintronique (STNO) pour des applications de communication sans fil

Spin Transfer Nano-Oscillators (STNOs) are a novel type of Radio Frequency (RF) oscillators that make use of the Spin Transfer Torque (STT) effect in a magnetic tunnel junction (MTJ) device to produce high-frequency auto-oscillations. STNOs are attractive for applications in wireless communications due to their nanometric size and their frequency tuning capabilities via either a dc current or an applied field. This frequency tuning permits to encode the information via frequency shift keying (FSK) by digital modulation of the current or applied field between two discrete values without the need of an external RF mixer, leading to potentially less complex RF components. In this thesis, the feasibility of the digital frequency modulation (frequency shift keying (FSK)) using in-plane magnetized MTJ STNOs has been studied. For this, the maximum modulation rate, up to which a signal can be modulated or the frequency can be shifted between two discrete values, is an important aspect that need to be characterized.The characterization of the maximum modulation rate for in-plane magnetized MTJ STNOs has been studied via numerical macrospin simulation for different modulation configurations, i.e. modulation by a sinusoidal RF current and a sinusoidal RF field. It revealed that the maximum modulation rate under RF current modulation is given by the amplitude relaxation frequency fp of the STNO. Under RF field modulation, i.e. an RF field applied parallel to the easy axis, an enhanced modulation rate above fp can be achieved since the frequency is modulated directly via the field and not via the amplitude. This suggests an important strategy for the design of STNO-based wireless communications and to achieve high data rates. Besides numerical simulation, experimental studies of frequency shift keying (FSK) by current modulation in STNOs have been also demonstrated. The first demonstration is the FSK in standalone STNOs. The analysis confirmed that the FSK was successfully observed with a frequency shift around 200MHz (the frequency shift between ≈8.9 GHz and ≈9.1 GHz) at the modulation rate of 10Mbps. This modulation rate is however less than the upper limit, which is given by the relaxation frequency fp of the STNO as predicted in the numerical simulation, because of the relatively high phase noise of the device measured. In order to test the feasibility of the STNO within microwave systems, the FSK modulation of STNOs was performed on a printed circuit board (PCB) emitter. FSK with a frequency shift around 300MHz (the frequency shift between ≈9 GHz and ≈9.3 GHz) was observed with a modulation rate of 20 Mbps. The data rate here was limited by characteristics of the PCB emitter and not intrinsic to the STNO. The simulation and experiment studies of frequency modulation of STNOs demonstrate that the data rate of is adequate for wireless communication used in WSN. However, further improvements in materials and nanofabrication of STNOs are required to enhance the output power and improve the spectral characteristics of the oscillations to push the data rates to higher values with large frequency shift.Les Oscillateurs Spintronique (STNO) sont un nouveau type d'oscillateurs à fréquence radio (RF) qui utilisent l'effet « Spin Transfer Torque (STT) » dans un dispositif de jonction tunnel magnétique (MTJ) pour produire des oscillations entretenues à haute fréquence. Les STNO fournissent des solutions compactes pour la communication sans fil utilisées dans « wireless sensor network (WSN) » car leur fréquence peut être réglée via un courant continu. Ce réglage de fréquence permet de coder l'information via « Frequency shift keying (FSK) » par modulation numérique entre deux valeurs discrètes sans besoin d'un RF mixer, ce qui conduit à des composants RF potentiellement moins complexes. Dans cette thèse, la faisabilité de FSK a été étudiée pour des STNO MTJ à aimantation dans le plan en vue des communications sans fil utilisées dans les WSN. Les paramètres abordés dans cette étude sont le décalage de fréquence et le taux de modulation maximum, auquel la fréquence peut être décalée entre deux valeurs discrètes.Pour caractériser le taux de modulation maximum, des simulations macrospin et des études expérimentales ont été réalisées. Les simulations révèlent que le taux de modulation maximum pour FSK par courant est limité par la fréquence de relaxation du STNO, qui est de l'ordre de quelques centaines de MHz pour les STNO à aimantation dans le plan. Cela signifie que le taux de modulation maximum est limité à quelques centaines de Mbps, ce qui est ciblé ici pour une communication sans fil à débit de données modéré utilisées dans les WSN. Des études expérimentales du FSK par modulation de courant dans les STNO ont été effectuées pour des STNO autonomes et pour des STNO intégrés dans des systèmes hyperfréquences. Le FSK sur les STNO autonomes montre un décalage de fréquence autour de 200 MHz (le décalage de fréquence entre ≈ 8,9 GHz et ≈9,1 GHz) au taux de modulation de 10Mbps. Ce taux de modulation est inférieur à la limite supérieure donnée par la fréquence de relaxation du STNO comme prévu dans la simulation numérique en raison du bruit de phase relativement élevé du dispositif mesuré. Afin de tester la faisabilité du STNO dans les systèmes hyperfréquences, la modulation FSK des STNO a été effectuée sur un émetteur de carte de circuit imprimé (PCB). L'émetteur de PCB a été réalisé et développé par le partenaire du projet Mosaic FP7, TUD University. L'analyse confirme qu'un changement de fréquence autour de 300 MHz (le décalage de fréquence entre ≈9 GHz et ≈9,3 GHz) a été observé avec un taux de modulation de 20 Mbps. Le taux de données est limité par les caractéristiques de l'émetteur de PCB et non intrinsèque au STNO. Les études de simulation et d'expérience de la modulation de fréquence des STNO démontrent que le débit de données est adéquat pour la communication sans fil utilisée dans WSN.Cependant, d'autres améliorations dans les matériaux et la nanofabrication de STNO sont nécessaires pour améliorer la puissance de sortie et améliorer les caractéristiques spectrales des oscillations pour pousser les débits de données à des valeurs plus élevées avec un grand décalage de fréquenc

Frequency modulation of spin torque nano-oscillators (STNOs) for wireless communication applications

Les Oscillateurs Spintronique (STNO) sont un nouveau type d'oscillateurs à fréquence radio (RF) qui utilisent l'effet « Spin Transfer Torque (STT) » dans un dispositif de jonction tunnel magnétique (MTJ) pour produire des oscillations entretenues à haute fréquence. Les STNO fournissent des solutions compactes pour la communication sans fil utilisées dans « wireless sensor network (WSN) » car leur fréquence peut être réglée via un courant continu. Ce réglage de fréquence permet de coder l'information via « Frequency shift keying (FSK) » par modulation numérique entre deux valeurs discrètes sans besoin d'un RF mixer, ce qui conduit à des composants RF potentiellement moins complexes. Dans cette thèse, la faisabilité de FSK a été étudiée pour des STNO MTJ à aimantation dans le plan en vue des communications sans fil utilisées dans les WSN. Les paramètres abordés dans cette étude sont le décalage de fréquence et le taux de modulation maximum, auquel la fréquence peut être décalée entre deux valeurs discrètes.Pour caractériser le taux de modulation maximum, des simulations macrospin et des études expérimentales ont été réalisées. Les simulations révèlent que le taux de modulation maximum pour FSK par courant est limité par la fréquence de relaxation du STNO, qui est de l'ordre de quelques centaines de MHz pour les STNO à aimantation dans le plan. Cela signifie que le taux de modulation maximum est limité à quelques centaines de Mbps, ce qui est ciblé ici pour une communication sans fil à débit de données modéré utilisées dans les WSN. Des études expérimentales du FSK par modulation de courant dans les STNO ont été effectuées pour des STNO autonomes et pour des STNO intégrés dans des systèmes hyperfréquences. Le FSK sur les STNO autonomes montre un décalage de fréquence autour de 200 MHz (le décalage de fréquence entre ≈ 8,9 GHz et ≈9,1 GHz) au taux de modulation de 10Mbps. Ce taux de modulation est inférieur à la limite supérieure donnée par la fréquence de relaxation du STNO comme prévu dans la simulation numérique en raison du bruit de phase relativement élevé du dispositif mesuré. Afin de tester la faisabilité du STNO dans les systèmes hyperfréquences, la modulation FSK des STNO a été effectuée sur un émetteur de carte de circuit imprimé (PCB). L'émetteur de PCB a été réalisé et développé par le partenaire du projet Mosaic FP7, TUD University. L'analyse confirme qu'un changement de fréquence autour de 300 MHz (le décalage de fréquence entre ≈9 GHz et ≈9,3 GHz) a été observé avec un taux de modulation de 20 Mbps. Le taux de données est limité par les caractéristiques de l'émetteur de PCB et non intrinsèque au STNO. Les études de simulation et d'expérience de la modulation de fréquence des STNO démontrent que le débit de données est adéquat pour la communication sans fil utilisée dans WSN.Cependant, d'autres améliorations dans les matériaux et la nanofabrication de STNO sont nécessaires pour améliorer la puissance de sortie et améliorer les caractéristiques spectrales des oscillations pour pousser les débits de données à des valeurs plus élevées avec un grand décalage de fréquenceSpin Transfer Nano-Oscillators (STNOs) are a novel type of Radio Frequency (RF) oscillators that make use of the Spin Transfer Torque (STT) effect in a magnetic tunnel junction (MTJ) device to produce high-frequency auto-oscillations. STNOs are attractive for applications in wireless communications due to their nanometric size and their frequency tuning capabilities via either a dc current or an applied field. This frequency tuning permits to encode the information via frequency shift keying (FSK) by digital modulation of the current or applied field between two discrete values without the need of an external RF mixer, leading to potentially less complex RF components. In this thesis, the feasibility of the digital frequency modulation (frequency shift keying (FSK)) using in-plane magnetized MTJ STNOs has been studied. For this, the maximum modulation rate, up to which a signal can be modulated or the frequency can be shifted between two discrete values, is an important aspect that need to be characterized.The characterization of the maximum modulation rate for in-plane magnetized MTJ STNOs has been studied via numerical macrospin simulation for different modulation configurations, i.e. modulation by a sinusoidal RF current and a sinusoidal RF field. It revealed that the maximum modulation rate under RF current modulation is given by the amplitude relaxation frequency fp of the STNO. Under RF field modulation, i.e. an RF field applied parallel to the easy axis, an enhanced modulation rate above fp can be achieved since the frequency is modulated directly via the field and not via the amplitude. This suggests an important strategy for the design of STNO-based wireless communications and to achieve high data rates. Besides numerical simulation, experimental studies of frequency shift keying (FSK) by current modulation in STNOs have been also demonstrated. The first demonstration is the FSK in standalone STNOs. The analysis confirmed that the FSK was successfully observed with a frequency shift around 200MHz (the frequency shift between ≈8.9 GHz and ≈9.1 GHz) at the modulation rate of 10Mbps. This modulation rate is however less than the upper limit, which is given by the relaxation frequency fp of the STNO as predicted in the numerical simulation, because of the relatively high phase noise of the device measured. In order to test the feasibility of the STNO within microwave systems, the FSK modulation of STNOs was performed on a printed circuit board (PCB) emitter. FSK with a frequency shift around 300MHz (the frequency shift between ≈9 GHz and ≈9.3 GHz) was observed with a modulation rate of 20 Mbps. The data rate here was limited by characteristics of the PCB emitter and not intrinsic to the STNO. The simulation and experiment studies of frequency modulation of STNOs demonstrate that the data rate of is adequate for wireless communication used in WSN. However, further improvements in materials and nanofabrication of STNOs are required to enhance the output power and improve the spectral characteristics of the oscillations to push the data rates to higher values with large frequency shift

Stability of the In-Plane Room Temperature van der Waals Ferromagnet Chromium Ditelluride and Its Conversion to Chromium-Interleaved CrTe₂ Compounds

Van der Waals magnetic materials are building blocks for novel kinds of spintronic devices and playgrounds for exploring collective magnetic phenomena down to the two-dimensional limit. Chromium–tellurium compounds are relevant in this perspective. In particular, the 1T phase of CrTe2 has been argued to have a Curie temperature above 300 K, a rare and desirable property in the class of lamellar materials, making it a candidate for practical applications. However, recent literature reveals a strong variability in the reported properties, including magnetic ones. Using electron microscopy, diffraction, and spectroscopy techniques, together with local and macroscopic magnetometry approaches, our work sheds new light on the structural, chemical, and magnetic properties of bulk 1T-CrTe2 exfoliated in the form of flakes having a thickness ranging from few to several tens of nanometers. We unambiguously establish that 1T-CrTe2 flakes are ferromagnetic above room temperature, have an in-plane easy axis of magnetization, and low coercivity, and we confirm that their Raman spectroscopy signatures are two modes: E2g (103.5 cm–1) and A1g (136.5 cm–1). We also prove that thermal annealing causes a phase transformation to monoclinic Cr5Te8 and, to a lesser extent, to trigonal Cr5Te8. In sharp contrast with 1T-CrTe2, none of these compounds have a Curie temperature above room temperature, and they both have perpendicular magnetic anisotropy. Our findings reconcile the apparently conflicting reports in the literature and open opportunities for phase-engineered magnetic properties