Склосистема Tl2S – In2S3 – GeS2 як новітні перспективні матеріали для фотоніки

It was established that minimal content of the glass-forming component GeS2 is equal to 30 mol.% (by exploration the set of 23 different alloys with different composition). Correlation between structural properties, thermal parameters (glass transition, crystallization and melting temperatures) and optical absorption spectra along of the titled glasses system has been found. The temperatures, the band gap energy and the characteristic energy of vitreous alloys for the gastric system Tl2S‑In2S3‑GeS2 were investigated experimentally.Встановлено, що мінімальний вміст складоутворюючого компонента GeS2 дорівнює 30 мол.% (досліджували набір 23 різних сплавів з різним складом). Встановлено взаємозв'язок між структурними властивостями, термічними параметрами (температура склa, температури кристалізації та плавлення) та оптичними спектрами поглинання. Експериментально досліджені температури, енергія розриву смуг та характерна енергія склоподібних сплавів для системи Tl2S‑In2S3‑GeS2

Особливості фотопровідність монокристалів Tl1-xIn1-xSnxSe2 при низьких температурах

The photoconductivity spectra in the temperature range T≈36-200 K and the spectra of thermostimulated currents in the temperature range T≈70-300 K of Tl1-xIn1-xSnxSe2 single crystals obtained by directional crystallization of Bridgman-Stockbarger have been studied. The induced photoconductivity and long-term photoconductivity relaxation processes have been found. To interpret the found results, a model of two-center recombination has been suggested. It is illustrated that the role of the r-centers of slow recombination are formed by Tl vacancies. On the basis of the studies of the spectra of thermally stimulated currents, the thermal energy of electrons activation with t-levels of adhesion has been determined.Основні результати досліджень полягають у тому, що особливістю низькотемпературної фотопровідності монокристалів Tl1-xIn1-xSnxSe2 є домішкова та індукавана фотопровідність, а також довготривалі процеси релаксації фотопровідності. Оцінене значення часу релаксації фотопровідності становило ~102-103 с. Термічна енергія активації електронів з t-рівнів у монокристалах Tl0,75In0,75Sn0,25Se2 становила 0,13 еВ та 0,28 еВ. Зменшення вмісту Sn в Tl1-xIn1-xSnxSe2 призводить до зменшення глибини залягання цих рівнів. У монокристалах Tl0,9In0,9Sn0,1Se2існує три дефектні центри, які виконують роль t-рівнів прилипання у різних температурних інтервалах

Transport Phenomena In Single Crystals Tl1−XIn1−XGeXSe2 (x=0.1, 0.2)

Temperature dependences of electroconductivity for single crystals Tl1−xIn1−xGexSe2 were analyzed. It was established an occurrence of thermoactivated states within the temperature range 100-300 K. The conductivity is formed by delocalized carriers within the conductivity band and the jumping conductivity over the localized states which are situated in the narrow localized states near the Fermi level. Following the performed data the activation energy was evaluated with accuracy up to 0.02 eV. The density of the localized states as well as the distribution of the energy over the mentioned states was evaluated. Additionally the average distance between the localized states is evaluated at different temperatures

Optical features of novel semiconducting crystals Tl1–xGa1–xSnxSe2 (x=0.05; 0.1)

The results of the novel Tl1–xGa1–xSnxSe2 single crystals (x = 0.05; 0.1) growth together with complex studies of their optical, electric and photoelectric properties are presented. Semiconductor crystalline alloys Tl2Sе, Ga(In)2Sе3, SnSе2 possessing congruent melting features has been served as components for the quasi-ternary systems. The Tl2Se–Ga2Se3 was melted congruently at temperature 1073 K. Two compounds existied for the Tl2Sе–In2Sе3system: TlInSe2 melting congruently at 1023 K, and Tl2Sе–In2Sе3 within congruent melting nature at 1029 K. Isothermal section of the Tl2Se–Ga2Se3–SnSe2 system at 520 K have been constructed from X-ray phase and formation of the ternary compounds Tl4SnSе4, Tl2SnSе3, TlGaSе2 was confirmed. The spectral dependences of the absorption coefficients near the fundamental absorption have been studied with respect to direct as indirect dipole allowed inter-band transitions realized in the (TlGaSe2)1-x(SnSe2)x crystals for the studied temperature range. Follwing the Urbach's energy the role of electron-phonon interaction and structural disorder was analyzed. © 2019 Elsevier Gmb