VCSEL à fils quantiques présentant une émission laser de 1647 à 1542 nm

National audienceLes lasers à cavité verticale émettant par la surface (VCSEL) présentent de grands intérêts pour des applications variées (télécommunication, capteurs, ..), d'autant plus si ces derniers s'avèrent stables et accordables en longueur d'onde. Au-delà du procédé technologique utilisé, cette dernière propriété est aussi très limitée par l'extension du gain spectral de la zone active. Nous présentons ici la réalisation d'un VCSEL émettant à 1.55 μm, et présentant une émission laser sur une plage en longueur d'onde de 105 nm

VCSEL Based on InAs Quantum-Dashes With a Lasing Operation Over a 117-nm Wavelength Span

International audienceWe report an InP based vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) achieving a lasing operation between 1529 and 1646 nm. This optically-pumped VCSEL includes a wide-gain bandwidth active region based on InAs quantum dashes and wideband dielectric Bragg mirrors. Based on a wedge microcavity design, we obtain a spatial dependence of the resonant wavelength along the wafer, enabling thus to monitor the gain material bandwidth. We demonstrate a 117 nm continuous wavelength variation of the VCSEL emission, a consequence of the important and wide gain afforded by the use of optimized quantum dashes

VCSEL à fils quantiques présentant une émission laser de 1647 à 1542 nm

National audienceLes lasers à cavité verticale émettant par la surface (VCSEL) présentent de grands intérêts pour des applications variées (télécommunication, capteurs, ..), d'autant plus si ces derniers s'avèrent stables et accordables en longueur d'onde. Au-delà du procédé technologique utilisé, cette dernière propriété est aussi très limitée par l'extension du gain spectral de la zone active. Nous présentons ici la réalisation d'un VCSEL émettant à 1.55 μm, et présentant une émission laser sur une plage en longueur d'onde de 105 nm

InAs quantum wires on InP substrate for VCSEL applications

International audienceQuantum dash based vertical cavity surface emitting lasers (VCSEL) on InP substrate are presented. Single and close stacking layers were successfully grown with molecular beam epitaxy. Optimized quantum dash layers exhibit a strong polarized 1.55 µm photoluminescence along the [1-10] crystallographic axis. Continuous wave laser emission is demonstrated at room temperature for the first time on a quantum dash VCSEL structure on InP susbtrate. The quantum dash VCSEL laser polarization appears stable on the whole sample and with excitation, no switching is observed. Its polarization is mainly oriented along [1-10], an extinction coefficient of 30 dB is measured. Those preliminary results demonstrate the interests of quantum dashes in the realization of controlled and stable polarization VCSEL device

Thermal conductivity of InAs quantum dot stacks using AlAs strain compensating layers on InP substrate

International audienceThe growth and thermal conductivity of InAs quantum dot (QD) stacks embedded in GaInAs matrix with AlAs compensating layers deposited on (1 1 3)B InP substrate are presented. The effect of the strain compensating AlAs layer is demonstrated through Atomic Force Microscopy (AFM) and X-ray diffraction structural analysis. The thermal conductivity (2.7 W/m K at 300 K) measured by the 3ω method reveals to be clearly reduced in comparison with a bulk InGaAs layer (5 W/m K). In addition, the thermal conductivity measurements of S doped InP substrates and the SiN insulating layer used in the 3ω method in the 20-200 °C range are also presented. An empirical law is proposed for the S doped InP substrate, which slightly differs from previously presented results

GaSb VCSEL with III-As metamorphic confinement layer grown by molecular beam epitaxy

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VECSEL bi-fréquences cohérent : vers une source THz compacte

National audienceNous proposons un nouveau type de dispositif photonique permettant de concevoir une source laser bi-fréquence unique, combinant à la fois haute finesse spectrale, faible bruit et haute puissance, en vue de bénéficier de fréquence de battement dans le régime THz. L'originalité réside dans l'utilisation conjointe d'une architecture de type VECSEL (Vertical External Cavity Surface Emitting Laser) et d'une zone active à boites quantiques InAs/InP, présentant un gain avec un fort caractère inhomogène. Son développement s'appuie sur des caractérisations spectroscopiques (photoluminescence, saturation du gain) et structurales dont nous présentons les résultats préliminaires

Low threshold current density (311)B QD lasers

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Polarization properties of a quantum dashes VCSEL under a low frequency modulation

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Oxide-confined mid-infrared VCSELs

International audienceThe first oxide-confined GaSb-based vertical-cavity surface emitting laser operating in the mid-infrared is demonstrated. Laser operation at -20°C in continuous wave is achieved with a device emitting around 2.3 µm. The influence of the lateral confinement on laser performances is presented and discussed