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Ălaboration et caractĂ©risations de couches minces d'oxyde d'indium dopĂ© Ă l'Ă©tain dĂ©posĂ©es par pulvĂ©risation cathodique Ă tempĂ©rature ambiante
L'objectif de ce travail est l'élaboration et la caractérisation de couches minces d'oxyde d'indium dopé à l'étain (ITO) par pulvérisation cathodique radiofréquence à température ambiante et sans recuit. L'étude a porté sur l'influence de la quantité d'oxygÚne introduite dans l'enceinte et de la puissance radiofréquence utilisée, sur les propriétés structurale, électrique et optique des films déposés. Les conditions de dépÎt ont été optimisées sur substrat de verre. Les films d'épaisseur 200 nm présentent une faible cristallisation ce qui leur confÚre une surface lisse, une transmittance supérieure à 80 % et une résistivité de 0,5 megaOhm.cm. Des films épais d'environ 1 mm présentent des grains cristallins qui réduisent leurs qualités électriques. Afin de limiter la cristallisation une quantité contrÎlée de vapeur d'eau a été introduite dans l'enceinte ; la meilleure résistivité obtenue est de 0,92 megaOhms cm. La maßtrise de ces dépÎts "à froid" autorise l'usage de substrats dégradables thermiquement. Sur substrat de polyméthylpentÚne une résistivité de 1,6 m megaOhms cm est obtenue. Des tests hyperfréquences sur des lignes microruban d'ITO ont également été effectués.RENNES1-BU Sciences Philo (352382102) / SudocSudocFranceF
Matériau multicouche transparente et conducteur et procédé de fabrication associé pour des applications dans les domaines des hyperfréquences et de l'optique
Matériau multicouche transparente et conducteur et procédé de fabrication associé pour des applications dans les domaines des hyperfréquences et de l'optique
Palladium-Catalyzed Telomerization of Butadiene with Polyols: From Mono to Polysaccharides
International audienc
Microtechnologie de l'oxyde semiconducteur ITO en couche mince
JournĂ©es Scientifiques et Technologiques GabĂšs/CĂŽtes dĂrmor; 3 pages; GabĂšs (Tunisie); 7-9 mai 200
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