Élaboration et caractérisations de couches minces d'oxyde d'indium dopé à l'étain déposées par pulvérisation cathodique à température ambiante

Abstract

L'objectif de ce travail est l'élaboration et la caractérisation de couches minces d'oxyde d'indium dopé à l'étain (ITO) par pulvérisation cathodique radiofréquence à température ambiante et sans recuit. L'étude a porté sur l'influence de la quantité d'oxygène introduite dans l'enceinte et de la puissance radiofréquence utilisée, sur les propriétés structurale, électrique et optique des films déposés. Les conditions de dépôt ont été optimisées sur substrat de verre. Les films d'épaisseur 200 nm présentent une faible cristallisation ce qui leur confère une surface lisse, une transmittance supérieure à 80 % et une résistivité de 0,5 megaOhm.cm. Des films épais d'environ 1 mm présentent des grains cristallins qui réduisent leurs qualités électriques. Afin de limiter la cristallisation une quantité contrôlée de vapeur d'eau a été introduite dans l'enceinte ; la meilleure résistivité obtenue est de 0,92 megaOhms cm. La maîtrise de ces dépôts "à froid" autorise l'usage de substrats dégradables thermiquement. Sur substrat de polyméthylpentène une résistivité de 1,6 m megaOhms cm est obtenue. Des tests hyperfréquences sur des lignes microruban d'ITO ont également été effectués.RENNES1-BU Sciences Philo (352382102) / SudocSudocFranceF