The hydrostatic pressure effects on intersubband optical absorption of n -type d-doped quantum well in GaAs

We have theoretically calculated the effects of hydrostatic pressure on subband structure and optical transitions in n -delta-doped quantum well (DDQW) in GaAs for different values of energy. The electronic structure of DDQW under the hydrostatic pressure is determined by solving the Schrödinger equation and a simple algebraic method. From our calculations, it is found that the subband energies and intersubband optical absorption is quite sensitive to the applied hydrostatic pressure. This gives a new degree of freedom in various device applications based on the intersubband transitions of electrons

Sistema de reconocimiento inteligente de señales mioeléctricas del movimiento de mano humana

En este trabajo se presenta el diseño de un algoritmo de reconocimiento de señales mioeléctricas por medio de una arquitectura de redes neuronales artificiales, para la fabricación de un prototipo de prótesis de una mano humana . En la primera etapa del proyecto se diseñó el sensor mioeléctrico que ay udo a la captura de las señales que corresponden al movimiento de cada dedo de una mano humana. Se generó una base de datos con las señales mioeléctricas capturadas, la cual sirvió p ara el entrenamiento de la red neuronal artificial (RNA), obteniendo los pesos y bias de dicha red. El rendimiento de la arquitectura fue evaluado con criterios estadísticos para la validación de la RNA, comparando datos simulados con datos experimentales. Encontramos que la mejor arquitectura en este trabajo cuenta con 7 neuronas en la capa oculta, una en la capa de salida y con un 96% de coeficiente de correlación, dicha arquitectura es la #7 de la tabla 1 la cual contiene un reporte de rendimiento del al goritmo de aprendizaje de las diferentes arquitecturas propuestas

Effect of the hydrostatic pressure on two-dimensional transport in delta-doped systems

72.20.Fr Low-field transport and mobility; piezoresistance, 73.21.Fg Quantum wells,

Overvoltages in static VAr compensators due to fault breaker opening, simulation in ATP and the actual event

Esta investigación presenta la simulación de las sobretensiones ocurridas durante una maniobra de mantenimiento en un compensador estático de potencia reactiva de 230 kV. El incorrecto funcionamiento de un interruptor de potencia causa una falla catastrófica que incluye la explosión y el incendio del equipo. La Información obtenida de investigaciones previas, donde se analizan los estados estable y transitorio del compensador, no toma en cuenta la combinación del comportamiento del compensador y la fallida operación de los medios de desconexión. La incorrecta apertura de uno de los polos del interruptor de potencia del compensador provoca sobretensiones interesantes las cuales están relacionadas con las componentes armónicas de tensión y corriente generadas por un elemento clave de la falla: el reactor controlado por tiristores. En este trabajo se utiliza el Software Alternative Transients Program (ATP) para modelar el compensador y obtener el cálculo de las sobretensiones transitorias. Se analizan las frecuencias naturales y el espectro armónico de las señales manejadas por el compensador. Con la ayuda de una videograbación se muestran imágenes reales de los arcos eléctricos generados debido a las sobretensiones. Este estudio se realiza por primera vez en este compensador estático y la información resultante es de mucha utilidad futura para el diseño eléctrico y la planificación de la operación de las redes de potencia

Donor impurity in vertically-coupled quantum-dots under hydrostatic pressure and applied electric field

In this work we make a predictive study on the binding energy of the ground state for hydrogenic donor impurity in vertically-coupled quantum-dot structure, considering the combined effects of hydrostatic pressure and in growth-direction applied electric field. The approach uses a variational method within the effective mass approximation. The low dimensional structure consists of three cylindrical shaped GaAs quantum-dots, grown in the z-direction and separated by Ga1-xAlxAs barriers. In order to include the pressure dependent Γ – X crossover in the barrier material a phenomenological model is followed. The main findings can be summarized as follows: 1) for symmetrical and asymmetrical dimensions of the structures, the binding energy as a function of the impurity position along the growth direction of the heterostructure has a similar behavior to that shown by the non-correlated electron wave function with maxima for the impurity in the well regions and minima for the impurity in the barrier regions, 2) for increasing radius of the system, the binding energy decreases and for R large enough reaches the limit of the binding energy in a coupled quantum well heterostructure, 3) the binding energy increases for higher Aluminum concentration in the barrier regions, 4) depending of the impurity position and of the structural dimensions of the system (well width and barrier thickness) – and because changing the height of the potential barrier makes possible to induce changes in the degree of symmetry of the carrier-wave function –, the electric field and hydrostatic pressure can cause the impurity binding energy increases or decreases, and finally 5) the line-shape of the binding energy curves are mainly given by the line-shape of the Coulomb interaction.